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IDT71V416YS12BE8 全国供应商、价格、PDF资料

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IDT71V416YS12BE8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 48BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：4M (256K x 16); 速度：12ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：48-TFBGA; 供应商器件封装：48-CABGA（9x9）; 包装：带卷 (TR)

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IDT71V416YS12BE8 北京首天伟业科技有限公司 010-62962871、
IDT71V416YS12BE8 北京显周科技有限公司 13910052844（微
IDT71V416YS12BE8 北京人上科技有限公司 13910052844（微

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IDT72V283L15PF
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC FIFO 32768X18 15NS 80QFP
CRCW2010127KFKTF
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ESA40DRMS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 80POS .125 SQ WW
IDT71V416YS10BE8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-TFBGA IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA
ICS841S012DKILFT
时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 56-VFQFN 裸露焊盘 IC FREQ SYNTHESIZER 56VFQFN
H3BXG-10103-B4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A2015B/X 3"
IDT72V283L6PF
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC FIFO 32768X18 6NS 80QFP
CRCW201012K0FKEFHP
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 12.0K OHM 1W 1% 2010 SMD
IDT72V285L10TFG
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SS 65536X18 10NS 64STQFP
CRCW201012R0FKEFHP
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 12.0 OHM 1W 1% 2010 SMD
H3BXG-10103-R4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A2015R/X 3"
ICS8422002AGI-07LF
时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC SYNTHESIZER LVHSTL 20-TSSOP
IDT72V285L10TFG8
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SS 65536X18 10NS 64STQFP
CRCW201012R0JNEF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 12.0 OHM 3/4W 5% 2010 SMD
IDT72V293L6PF8
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC FIFO 65536X18 6NS 80QFP

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