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» 型号"IDT71V416YS10BE8"的供应信息
IDT71V416YS10BE8 全国供应商、价格、PDF资料
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IDT71V416YS10BE8详细规格
类别:存储器
描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA
系列:-
制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc
格式_存储器:RAM
存储器类型:SRAM - 异步
存储容量:4M (256K x 16)
速度:10ns
接口:并联
电压_电源:3 V ~ 3.6 V
工作温度:0°C ~ 70°C
封装/外壳:48-TFBGA
供应商器件封装:48-CABGA(9x9)
包装:带卷 (TR)
IDT71V416YS10BE8供应商
IDT71V416YS10BE8
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
IDT71V416YS10BE8
北京显周科技有限公司
13910052844(微
IDT71V416YS10BE8
北京人上科技有限公司
13910052844(微
查看更多IDT71V416YS10BE8的供应商
IDT72V281L15TFI8
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 32768X18 15NS 64QFP
IDT72V283L10PF
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC FIFO 32768X18 10NS 80QFP
IDT71V416YL15PHI8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP
ESA40DRMN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 80POS .125 SQ WW
ICS841664AGILFT
时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 28-TSSOP(0.240",6.10mm 宽) IC CLOCK GENERATOR 28-TSSOP
H3BXG-10103-A8-ND
跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3048A/X 3"
CRCW2010120RJNEF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 120 OHM 3/4W 5% 2010 SMD
IDT72V283L15PF
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC FIFO 32768X18 15NS 80QFP
CRCW2010127KFKTF
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 127K OHM 3/4W 1% 2010 SMD
ICS841S012DKILFT
时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 56-VFQFN 裸露焊盘 IC FREQ SYNTHESIZER 56VFQFN
H3BXG-10103-B4-ND
跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A2015B/X 3"
IDT72V283L6PF
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC FIFO 32768X18 6NS 80QFP
CRCW201012K0FKEFHP
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 12.0K OHM 1W 1% 2010 SMD
IDT72V285L10TFG
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SS 65536X18 10NS 64STQFP
ESA40DRSH-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 80POS .125 EXTEND
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