HUF75343S3S 全国供应商、价格、PDF资料
HUF75343S3S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:205nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3000pF @ 25V
- 功率_最大:270W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:管件
HUF75343S3ST详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:205nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3000pF @ 25V
- 功率_最大:270W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 100PF 200V 5% NP0 0805
- 配件 RF Solutions BOARD DAUGHTER ICEPIC3
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 衰减器 Hittite Microwave Corporation 24-VQFN 裸露焊盘 ATTENUATOR DGTL 6BIT 4X4QFN
- 圆形 - 外壳 Hirose Electric Co Ltd CONN PLUG 20POS MALE CRIMP
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 模块,开槽 RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 110V
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 0.1PF 50V NP0 0603
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 0603(1608 公制) LED CHIP INGAN BLUE
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 100PF 200V 5% NP0 0805
- RF 放大器 Hittite Microwave Corporation TO-243AA IC GAIN BLOCK AMP SOT89
- 连接器,互连器件 Hirose Electric Co Ltd CONN PLUG 20POS FEMALE CIRC
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 模块,开槽 RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 115V
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 0.3PF 50V NP0 0603
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 1000PF 200V 5% X7R 0805
- RF 二极管 Avago Technologies US Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DIODE RF SCHTKY 15V 750MA SOT363