G7S-4A2B DC24 全国供应商、价格、PDF资料
G7S-4A2B DC24详细规格
- 类别：功率，高于 2 安
- 描述：RELAY SAFETY 6PST 6A 24V
- 系列：G7S
- 制造商：Omron Electronics Inc-EMC Div
- 继电器类型：安全
- 线圈类型：无锁存
- 线圈电流：30mA
- 线圈电压：24VDC
- 触头外形：6PST（4 A 型，2 B 型）
- 额定接触（电流）：6A
- 开关电压：250VAC，24VDC - 最小值
- 导通电压（最大值）：19.2 VDC
- 关闭电压（最小值）：2.4 VDC
- 特性：-
- 安装类型：可插
- 端子类型：插入式
- 包装：散装
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Opto Division TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 48V
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 100V
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Opto Division TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Opto Division 3-WDFN DIODE ESD 1LINE 24V LLP75-3B
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 0.15UF 250V 10% X7R 1812
- 电源输入 - 输入端，输出端，模块 Schurter Inc 3-WDFN GSP1 APPLIANCE INLET 10A 70
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-EMC Div RELAY SAFETY 4PST 6A 24V
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div STARTR 3PHASE HYBRD 200-480V 16A
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA
0755-23917105 
15821228847 / 
15026993318 / 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-22655674 
0755-23140719 
010-62962871、 
021-51872165/ 
18026926850/0 
010-62962871、 
13910052844（微 
0755-22929859 
