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GSOT24-HT3-GS08详细规格: 类别：TVS - 二极管; 描述：DIODE ESD 1LINE 24V LLP75-3B; 系列：-; 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division; 电压_反向关态（典型值）：24V; 电压_击穿：27V; 功率333W444：235W; 极化：单向; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-WDFN; 供应商器件封装：LLP75-3B; 包装：带卷 (TR)

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GSOT24-HT3-GS08 深圳市诺洋电子科技有限公司 0755-83223003
GSOT24-HT3-GS08 深圳市芯脉实业有限公司 0755-84507209
GSOT24-HT3-GS08 深圳德田科技有限公司 0755-83254070
GSOT24-HT3-GS08 北京人上科技有限公司 13910052844（微

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IDT71V3577SA75BG8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
GRM43ER72A225MA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 2.2UF 100V 20% X7R 1812
GSOT24C-GS08
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Opto Division TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
G7L-2A-TUB-CB-DC48
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 48V
IDT71V3577SA75BGG8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
IDT71V3577SA75BGGI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
G7L-2A-TUB-J-CB-DC100
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 100V
GSOT24C-GS08
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Opto Division TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
GRM43NR72A104KA01K
陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812
GRM43NR72A104KA01K
陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812
G7S-4A2B DC24
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-EMC Div RELAY SAFETY 6PST 6A 24V
IDT71V3577SA75BQGI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
GRM43QR72E154KW01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 0.15UF 250V 10% X7R 1812
GSP1.7500.1
电源输入 - 输入端，输出端，模块 Schurter Inc 3-WDFN GSP1 APPLIANCE INLET 10A 70
G7SA-2A2B-DC24
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-EMC Div RELAY SAFETY 4PST 6A 24V

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