FQP34N20详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 15.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3100pF @ 25V
- 功率_最大:180W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
FQP34N20L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 15.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:72nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3900pF @ 25V
- 功率_最大:180W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
- 布线管,配线管道 Panduit Corp 1206(3216 公制) DUCT SOLD NOHO WH 1.5X1.5"X 6’
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 43PF 50V 5% NP0 0201
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 22.1K OHM 1/4W .1% AXIAL
- 独立编程器 Digi International TO-220-5 成形引线 JTAG-BOOSTER FOR XSCALE 3.3V
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 6.4PF 25V R2H 0201
- LED - 分立式 Sharp Microelectronics 4-PLCC LED WHITE 5000K 20MA 3.2V PLCC4
- 配件 Panduit Corp 模块 STRIP,FANNING
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 47PF 50V 5% NP0 0201
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 6.7PF 25V R2H 0201
- 独立编程器 Digi International TO-220-5 成形引线 JTAG-BOOSTER FOR ARM7TDMI 3.3V
- LED - 分立式 Sharp Microelectronics 4-PLCC LED WHITE 6700K 20MA 3.2V PLCC4
- 配件 Panduit Corp 模块 STRIP,FANNING
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 4.4PF 50V NP0 0201
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 22.1K OHM 1/4W 1% AXIAL