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FDS8960C 全国供应商、价格、PDF资料

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FDS8960C详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:35V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A,5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 7A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:570pF @ 15V
功率_最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)

FDS8960C详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:35V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A,5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 7A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:570pF @ 15V
功率_最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)

FDS8960C详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:35V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A,5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 7A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:570pF @ 15V
功率_最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:Digi-Reel®

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