

FDB3652详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:61A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 61A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2880pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263AB
- 包装:剪切带 (CT)
FDB3652详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:61A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 61A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2880pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263AB
- 包装:Digi-Reel®
FDB3652详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:61A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 61A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2880pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263AB
- 包装:带卷 (TR)
FDB3652_F085详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:61A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 61A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2880pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Maxim Integrated 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT23-3
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
- 数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC POT DGTL SNGL 5K SPI 8MSOP
- 电容器 Vishay BC Components 轴向,CAN CAP ALUM 470UF 25V 20% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 1.80 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 2512(6432 公制) RES 3.00 OHM 1W 1% 2512 SMD
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SC-70-5
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC TXRX RS-485 8-SOIC
- 数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 8-DIP(0.300",7.62mm) IC POT DGTL SNGL 50K SPI 8DIP
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 3V SOT23-3
- 电容器 Vishay BC Components 轴向,CAN CAP ALUM 1500UF 40V 20% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 2512(6432 公制) RES 5.60 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 6.20 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Maxim Integrated 8-DIP(0.300",7.62mm) IC TXRX RS-485 250KBPS 8-DIP