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FDB12N50FTM_WS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK; 系列：UniFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1395pF @ 25V; 功率_最大：165W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：带卷 (TR)

FDB12N50FTM_WS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK; 系列：UniFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1395pF @ 25V; 功率_最大：165W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：剪切带 (CT)

FDB12N50FTM_WS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK; 系列：UniFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1395pF @ 25V; 功率_最大：165W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：Digi-Reel®

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