ECH8411-TL-E 全国供应商、价格、PDF资料
ECH8411-TL-E详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 9A ECH8
- 系列：-
- 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 4A，4V
- Id时的Vgs333th444（最大）：-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1740pF @ 10V
- 功率_最大：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：8-ECH
- 包装：Digi-Reel®
ECH8411-TL-E详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 9A ECH8
- 系列：-
- 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 4A，4V
- Id时的Vgs333th444（最大）：-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1740pF @ 10V
- 功率_最大：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：8-ECH
- 包装：带卷 (TR)
ECH8411-TL-E详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 9A ECH8
- 系列：-
- 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 4A，4V
- Id时的Vgs333th444（最大）：-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1740pF @ 10V
- 功率_最大：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：8-ECH
- 包装：剪切带 (CT)
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP
- 光纤 Industrial Fiberoptics 9-DIP 模块 PATCH CORDS HARSH ENV 15M
- FET - 单 ON Semiconductor 8-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） CAP CER 0.22UF 10V 20% X7R 0508
- 溫度 Texas Instruments TO-206AB，TO-46-3 金属罐 IC SENSOR PRECISION TEMP TO46-3
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 40-VFQFN 裸露焊盘 IC FREQ TIMING GENERATOR 40VFQFN
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Fairchild Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP DUAL HIGH POWER 8-DIP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC VREF SHUNT 2.49V 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） CAP CER 0.22UF 10V 20% X7R 0508
- 线性 - 比较器 Fairchild Semiconductor 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC COMPARATOR QUAD 14-DIP
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 24-VFQFN 裸露焊盘 IC CLOCK GENERATOR 24MLF
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
0755-83291010 
13910052844（微 
0755-83015506 
0755-83777708 
0755-83223003 
0755-89697985 
0755-66887761 
010-62962871、 
0755-/8321846 
010-62962871、 
0755-23613962 
0755-83951431 
0755-23607529 
