ECH8309-TL-H 全国供应商、价格、PDF资料
ECH8309-TL-H详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 4.5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1780pF @ 6V
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：8-ECH
- 包装：带卷 (TR)
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 15NS 44SOJ
- FET - 单 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH 60V 4A ECH8
- 光纤 Industrial Fiberoptics 9-DIP 模块 PATCH CORDS HARSH ENV 10M
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments TO-226-3、TO-92-3 标准主体 IC CURRENT SOURCE 3% TO92-3
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） CAP CER 10000PF 50V 20% X7R 0508
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Fairchild Semiconductor 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP QUAD HIGH GAIN 14-SOP
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC FREQ GENERATOR 48TSSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） CAP CER 0.22UF 10V 20% X7R 0508
- 溫度 Texas Instruments TO-206AB，TO-46-3 金属罐 IC SENSOR PRECISION TEMP TO46-3
- 时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 40-VFQFN 裸露焊盘 IC FREQ TIMING GENERATOR 40VFQFN
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Fairchild Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP DUAL HIGH POWER 8-DIP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
0755-83242658 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-82574045 
075584505750 
0755-83015506 
15321902067 
0755-23613962 
0755-/8321846 
0755-83777607 
18026926850/0 
