DCP56-16-13 全国供应商、价格、PDF资料

DCP56-16-13详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN BIPO DC GAIN SOT-223

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：剪切带 (CT)

DCP56-16-13详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN BIPO DC GAIN SOT-223

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：Digi-Reel®

DCP56-16-13详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN BIPO DC GAIN SOT-223

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：带卷 (TR)