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BZB84-C2V7,215 全国供应商、价格、PDF资料

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BZB84-C2V7,215详细规格: 类别：二极管/齐纳阵列; 描述：DIODE ZENER DL 2.7V 300MW SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 电压_齐纳（标称）333Vz444：2.7V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：20µA @ 1V; 配置：1 对共阳极; 功率_最大：300mW; 阻抗（最大）333Zzt444：100 欧姆; 容差：±5%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BZB84-C2V7,215供应商

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C0805C684K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.68UF 50V 10% X7R 0805
BZB84-B8V2,215
二极管/齐纳阵列 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER DL 8.2V 300MW SOT-23
74279204
铁氧体磁珠和芯片 Wurth Electronics Inc 0805（2012 公制） FERRITE BEAD 600 OHM .20A 0805
71M1258-1
配件 Grayhill Inc 0805（2012 公制） SEAL RED
BU4213FVE-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor SOT-665 IC DETECTOR VOLT 1.3V ODRN 5VSOF
C1005X7R1A683K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.068UF 10V 10% X7R 0402
BSZ019N03LS
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
C0805C684K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.68UF 50V 10% X7R 0805
74279204
铁氧体磁珠和芯片 Wurth Electronics Inc 0805（2012 公制） FERRITE BEAD 600 OHM .20A 0805
C1005X7R1C102K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1000PF 16V 10% X7R 0402
BU4213FVE-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor SOT-665 IC DETECTOR VOLT 1.3V ODRN 5VSOF
BSZ042N06NS
FET - 单 Infineon Technologies * MOSF N CH 60V 19A TSDSON-8
C0805C684K8RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.68UF 10V 10% X7R 0805
71M1258-1
配件 Grayhill Inc 0805（2012 公制） SEAL RED
742792041
铁氧体磁珠和芯片 Wurth Electronics Inc 0805（2012 公制） FERRITE BEAD 600 OHM .20A 0805

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