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BSZ042N06NS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSF N CH 60V 19A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 36µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：92nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 30V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8; 包装：散装

BSZ042N06NS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSF N CH 60V 19A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 36µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：92nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 30V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：*; 封装/外壳：*; 供应商设备封装：*; 包装：*

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BF-10173
配件 Honeywell Sensing and Control 32-VFQFN 裸露焊盘 LIMIT SW COMPONENT PART SEAL
8-1879674-1
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 7.87K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
BSZ035N03MS G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
BU160Z-178-HT
用于 IC 的插座，晶体管 On Shore Technology Inc 8-PowerTDFN CONN SOCKET IC 16-PIN SMD
BFC242078203
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.082UF 630VDC RADIAL
C901U200JVSDCAWL35
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 20PF 400V 5% RADIAL
BGA7351,515
其它 NXP Semiconductors 径向，圆盘 IC AMP MMIC VGA 32-HVQFN
BF1101,215
RF FET NXP Semiconductors TO-253-4，TO-253AA MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143B
8-1879674-9
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 9.53K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
BFC280905215
微调器，可变 Vishay BC Components * CAP TRIMMER 1.2-3.5PF 300V TH
BGA9X12-ZIF-ADPT
用于 IC 的插座，晶体管 - 适配器 SanDisk * ADAPTER FOR BGA 9X12
C901U200JYSDAAWL40
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 20PF 250V 5% RADIAL
BF1102R,115
RF FET NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH 7V DUAL 6TSSOP
8-1879675-7
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 97.6K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
BU2006-E3/45
桥式整流器 Vishay General Semiconductor 4-SIP，BU RECTIFIER BRIDGE 600V 20A BU

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