BUK9226-75A 全国供应商、价格、PDF资料
BUK9226-75A,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:
- FET特点:
- 漏极至源极电压333Vdss444:
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
- Id时的Vgs333th444(最大):
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:
- 功率_最大:
- 安装类型:
- 封装/外壳:
- 供应商设备封装:
- 包装:
BUK9226-75A,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:45A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24.6 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3120pF @ 25V
- 功率_最大:114W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
BUK9226-75A,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:
- FET特点:
- 漏极至源极电压333Vdss444:
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
- Id时的Vgs333th444(最大):
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:
- 功率_最大:
- 安装类型:
- 封装/外壳:
- 供应商设备封装:
- 包装:
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5600PF 250V 10% X7R 1206
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 250MW 18V SOD882
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.027UF 250V X7R 1206
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 48A DPAK
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 48-VFQFN 裸露焊盘 IC 8051 MCU 96K FLASH 48-QFN
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5600PF 500V 10% X7R 1206
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 3300PF 2.5KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 51PF 300V 5% RADIAL
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 27V 250MW SOD882
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.027UF 250V X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 51PF 300V 5% RADIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 1000PF 2.5KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5600PF 100V 20% X7R 1206
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 48-VFQFN 裸露焊盘 IC 8051 MCU 15K FLASH 48-QFN
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 2.4V 250MW SOD882