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BZX884-B18,315详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 250MW 18V SOD882; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 电压_齐纳（标称）333Vz444：18V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：50nA @ 12.6V; 容差：±2%; 功率_最大：250mW; 阻抗（最大）333Zzt444：45 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOD-882; 供应商设备封装：SOD-882; 包装：Digi-Reel®

BZX884-B18,315详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 18V 250MW SOD882; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 电压_齐纳（标称）333Vz444：18V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：50nA @ 12.6V; 容差：±2%; 功率_最大：250mW; 阻抗（最大）333Zzt444：45 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOD-882; 供应商设备封装：SOD-882; 包装：带卷 (TR)

BZX884-B18,315详细规格: 类别：单二极管/齐纳; 描述：DIODE ZENER 250MW 18V SOD882; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 电压_齐纳（标称）333Vz444：18V; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：900mV @ 10mA; 电流_在Vr时反向漏电：50nA @ 12.6V; 容差：±2%; 功率_最大：250mW; 阻抗（最大）333Zzt444：45 欧姆; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOD-882; 供应商设备封装：SOD-882; 包装：剪切带 (CT)

C901U510JYSDCAWL45
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 51PF 250V 5% RADIAL
BFC238370272
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 2700PF 2.5KVDC RADIAL
BZX884-B15,315
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 250MW 15V SOD882
C1206C562KARACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 5600PF 250V 10% X7R 1206
C1206C273K5RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.027UF 50V 10% X7R 1206
BUK9214-30A,118
FET - 单 NXP Semiconductors TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH TRENCH 30V D-PAK
C8051F582-IM
嵌入式 - 微控制器， Silicon Laboratories Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC 8051 MCU 128K FLASH 32-QFN
C901U510JZSDBAWL35
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 51PF 300V 5% RADIAL
BFC238370273
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.027UF 2.5KVDC RADIAL
C1206C273KARACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.027UF 250V X7R 1206
BUK9222-55A,118
FET - 单 NXP Semiconductors TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 48A DPAK
C8051F585-IM
嵌入式 - 微控制器， Silicon Laboratories Inc 48-VFQFN 裸露焊盘 IC 8051 MCU 96K FLASH 48-QFN
C1206C562KCRACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 5600PF 500V 10% X7R 1206
BFC238370332
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 3300PF 2.5KVDC RADIAL
C901U510JZSDBAWL45
陶瓷 Kemet 径向，圆盘 CAP CER 51PF 300V 5% RADIAL

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