BLT80,115详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 10V 250MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):10V
- 频率_转换:900MHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):-
- 增益:-
- 功率_最大:2W
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 150mA,5V
- 电流_集电极333Ic444(最大):250mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:带卷 (TR)
BLT80,115详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 10V 250MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):10V
- 频率_转换:900MHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):-
- 增益:-
- 功率_最大:2W
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 150mA,5V
- 电流_集电极333Ic444(最大):250mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:带卷 (TR)
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 NXP Semiconductors 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20SOIC
- 多芯导线 General Cable/Carol Brand 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 2C/14 19/.0147TC OA SH CL2
- RF FET NXP Semiconductors SOT539B TRANS LDMOS SOT539B
- RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN 10V 250MA SOT223
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-DIP(0.300",7.62mm) IC HEX INVERTER 14DIP
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.39UF 160VDC RADIAL
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盘 IC BATT PROT 2-4CELL LIION 8WSON
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 NXP Semiconductors 20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20SSOP
- 多芯导线 General Cable/Carol Brand 20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) 2C/12 19/.0185TC OA SH CL2
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 560PF 50V 10% NP0 0603
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.47UF 160VDC RADIAL
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC HEX INVERTER 14TSSOP
- 多芯导线 General Cable/Carol Brand 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 2C/14 41/30TC TRAFFIC LOOP
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盘 IC BATT PROT 2-4CELL LIION 8WSON
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 5600PF 100V 5% X7R 0603