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BFG310W/XR,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：6V; 频率_转换：14GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1dB @ 2GHz; 增益：18dB; 功率_最大：60mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：10mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：CMPAK-4; 包装：带卷 (TR)

BFG310W/XR,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：6V; 频率_转换：14GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1dB @ 2GHz; 增益：18dB; 功率_最大：60mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：10mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：CMPAK-4; 包装：剪切带 (CT)

BFG310W/XR,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：6V; 频率_转换：14GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1dB @ 2GHz; 增益：18dB; 功率_最大：60mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：10mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：CMPAK-4; 包装：带卷 (TR)

BFG310W/XR,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：6V; 频率_转换：14GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1dB @ 2GHz; 增益：18dB; 功率_最大：60mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：10mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：CMPAK-4; 包装：Digi-Reel®

C1210X475K5RACAUTO
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 4.7UF 50V 10% X7R 1210
C0402C201G5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 200PF 50V 2% NP0 0402
BFG310W/XR,115
RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors SC-82A，SOT-343 TRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R
BA2902F-E2
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Rohm Semiconductor 14-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） IC OP AMP QUAD 32V 0.7MA SOP14
C1608X5R1C225M/0.80
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 2.2UF 16V 20% X5R 0603
BD80GA3WEFJ-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 IC REG LDO 8V .3A 8HTSOP-J
C0402C201G5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 200PF 50V 2% NP0 0402
C1210X563KDRACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.056UF 1KV 10% X7R 1210
74AUP1G00FZ4-7
逻辑 - 栅极和逆变器 Diodes Inc 6-XFDFN IC GATE NAND SGL 2INP 6DFN
BD8152FVM-TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽） IC REG BOOST 1.4A 8MSOP
C1608X5R1C334K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.33UF 16V 10% X5R 0603
C1210X682J5GACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 6800PF 50V 5% NP0 1210
C0402C209B5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 2PF 50V NP0 0402
BFG325/XR,215
RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors SOT-143R TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT143R
BA2903F-E2
线性 - 比较器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） IC COMPARATOR DUAL 0.6MA SOP8

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