BCV26详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 30V 1.2A SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1.2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:220MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
BCV26详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 30V 1.2A SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1.2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:220MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
BCV26详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 30V 1.2A SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):1.2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:220MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
BCV26,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 30V 500MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:220MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
BCV26,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 30V 500MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:220MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
BCV26,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL PNP 30V 500MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100µA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:220MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 8200PF 16V 10% X7R 0402
- 单二极管/齐纳 Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 350MW 5.6V SOT-23
- D-Sub TE Connectivity TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AMPLIMITE HDP20,SMALL PACK
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS DARL PNP 30V 1.2A SOT-23
- 电容器 EPCOS Inc 1000UF 200V 35X25 SNAP-IN
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 330PF 50V 5% NP0 0402
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 1.5PF 16V NP0 01005
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor DO-204AL,DO-41,轴向 DIODE ZENER 6.2V 1W DO-41
- 单二极管/齐纳 Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 350MW 5.6V SOT-23
- D-Sub TE Connectivity TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AMPLIMITE HDP20,SMALL PACK
- 电容器 EPCOS Inc 680UF 200V 30X25 SNAP-IN
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 330PF 50V 5% X7R 0402
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 1.6PF 16V NP0 01005
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.082UF 16V 10% X7R 0402
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 6.8V 225MW SOT-23