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B82422H1102K详细规格: 类别：固定式; 描述：INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%; 系列：SIMID; 制造商：EPCOS Inc; 类型：铁氧体芯体; 电感：1µH; 电流：; 额定电流：1.15A; 电流_饱和值：-; 容差：±10%; 材料_磁芯：铁氧体鼓形芯; 屏蔽：无屏蔽; DC电阻333DCR444：最大 100 毫欧; 不同频率时的Q值：8 @ 7.96MHz; 频率_自谐振：150MHz; 工作温度：-; 封装/外壳：1210（3225 公制）; 大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）; 安装类型：表面贴装; 包装：带卷 (TR)

B82422H1102K详细规格: 类别：固定式; 描述：INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%; 系列：SIMID; 制造商：EPCOS Inc; 类型：铁氧体芯体; 电感：1µH; 电流：; 额定电流：1.15A; 电流_饱和值：-; 容差：±10%; 材料_磁芯：铁氧体鼓形芯; 屏蔽：无屏蔽; DC电阻333DCR444：最大 100 毫欧; 不同频率时的Q值：8 @ 7.96MHz; 频率_自谐振：150MHz; 工作温度：-; 封装/外壳：1210（3225 公制）; 大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）; 安装类型：表面贴装; 包装：剪切带 (CT)

B82422H1102K详细规格: 类别：固定式; 描述：INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%; 系列：SIMID; 制造商：EPCOS Inc; 类型：铁氧体芯体; 电感：1µH; 电流：; 额定电流：1.15A; 电流_饱和值：-; 容差：±10%; 材料_磁芯：铁氧体鼓形芯; 屏蔽：无屏蔽; DC电阻333DCR444：最大 100 毫欧; 不同频率时的Q值：8 @ 7.96MHz; 频率_自谐振：150MHz; 工作温度：-; 封装/外壳：1210（3225 公制）; 大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）; 安装类型：表面贴装; 包装：Digi-Reel®

B82422H1102K100详细规格: 类别：固定式; 描述：INDUCTOR 1.0UH 650MA 1210 10%; 系列：SIMID; 制造商：EPCOS Inc; 类型：铁氧体芯体; 电感：1µH; 电流：; 额定电流：650mA; 电流_饱和值：-; 容差：±10%; 材料_磁芯：铁氧体; 屏蔽：无屏蔽; DC电阻333DCR444：最大 220 毫欧; 不同频率时的Q值：10 @ 7.96MHz; 频率_自谐振：200MHz; 工作温度：-; 封装/外壳：1210（3225 公制）; 大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）; 安装类型：表面贴装; 包装：带卷 (TR)

B82422H1102K100详细规格: 类别：固定式; 描述：INDUCTOR 1.0UH 650MA 1210 10%; 系列：SIMID; 制造商：EPCOS Inc; 类型：铁氧体芯体; 电感：1µH; 电流：; 额定电流：650mA; 电流_饱和值：-; 容差：±10%; 材料_磁芯：铁氧体; 屏蔽：无屏蔽; DC电阻333DCR444：最大 220 毫欧; 不同频率时的Q值：10 @ 7.96MHz; 频率_自谐振：200MHz; 工作温度：-; 封装/外壳：1210（3225 公制）; 大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.078" H（3.20mm x 2.50mm x 2.00mm）; 安装类型：表面贴装; 包装：剪切带 (CT)

BFC241915102
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 5100PF 400VDC RADIAL
BD46305G-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 IC RESET CMOS 3.0V 50MS 5SSOP
C320C153K1R5CA
陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.015UF 100V 10% RADIAL
B82422H1102K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%
B37940K2151J060
陶瓷 EPCOS Inc 0805（2012 公制） CAP CER 150PF 200V 5% NP0 0805
BSC883N03MS G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8
BG 3430R E6327
RF FET Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
BD46315G-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 IC RESET CMOS 3.1V 50MS 5SSOP
B43504E397M82
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 390UF 420V
C320C153K2R5CA
陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.015UF 200V 10% RADIAL
BS-COVER
配件 MPD (Memory Protection Devices) 径向 PROTECT COVER FOR 9V SNAP TERM
B37940K2331J060
陶瓷 EPCOS Inc 0805（2012 公制） CAP CER 330PF 200V 5% NP0 0805
B43504F2228M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 2200UF 200V
BFC241917503
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.075UF 400VDC RADIAL
BD46315G-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 IC RESET CMOS 3.1V 50MS 5SSOP

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