B41456B5689M 全国供应商、价格、PDF资料
B41456B5689M详细规格
- 类别：电容器
- 描述：CAP ALUM 68000UF 25V 20% SCREW
- 系列：B41456
- 制造商：EPCOS Inc
- 电容：68000µF
- 额定电压：25V
- 容差：±20%
- 寿命0a0温度：85°C 时为 12000 小时
- 工作温度：-40°C ~ 85°C
- 特点：通用
- 纹波电流：34A
- ESR（等效串联电阻）：6 毫欧
- 阻抗：9.3 毫欧
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：径向，Can - 螺丝端子
- 尺寸/尺寸：2.032" 直径（51.60mm）
- 高度_座高（最大）：3.177"（80.70mm）
- 引线间隔：0.874"（22.20mm）
- 表面贴装占地面积：-
- 包装：散装
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 100V 2% NP0 0805
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 604 OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.15UF 50V 10% X8L 0805
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 680000UF 16V
- 存储器 Texas Instruments 28-DIP 模块（0.61"，15.49mm） IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 200V 2% NP0 0805
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 7.50K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.22UF 50V 10% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.15UF 50V 10% X7R 0805
- 存储器 Texas Instruments 28-DIP 模块（0.61"，15.49mm） IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 200V 2% NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.27UF 50V 10% RADIAL
- 配件 Molex Connector Corporation 径向 CONN CELERON RM VERT PLASTIC
0755-83258002 
021-51872165/ 
13910052844（微 
13910052844（微 
171-4729-0036 
0755-22655674 
755-83349415/ 
0755-83223003 
