7-1879693-3 全国供应商、价格、PDF资料
7-1879693-3详细规格
- 类别:通孔电阻器
- 描述:RES 604 OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- 系列:H8, Holsworthy
- 制造商:TE Connectivity
- 电阻333Ω444:604
- 功率333W444:0.25W,1/4W
- 成分:金属薄膜
- 特性:脉冲耐受
- 温度系数:±100ppm/°C
- 容差:±0.1%
- 封装/外壳:轴向
- 供应商器件封装:轴向
- 大小/尺寸:0.098" 直径 x 0.283" L(2.50mm x 7.20mm)
- 高度:-
- 端子数:2
- 包装:散装
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 825K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 47PF 630V 1% NP0 0805
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 22000UF 16V
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.15UF 25V 10% X7R 0805
- 时钟/计时 - 实时时钟 Texas Instruments 24-DIP 模块(0.61",15.49mm) IC RTC MOD W/114X8 NVSRAM 24-DIP
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.022UF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 可插式 Molex Connector Corporation TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN CAGE SFP GANGED 1X4 SOLDER
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.15UF 50V 10% X8L 0805
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 680000UF 16V
- 存储器 Texas Instruments 28-DIP 模块(0.61",15.49mm) IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 47PF 200V 2% NP0 0805
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 7.50K OHM 1/4W 0.1% AXIAL