2N7002V的供应信息|PDF资料|求购2N7002V上51电子网

2N7002V详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：280mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563F; 包装：带卷 (TR)

2N7002V详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：280mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563F; 包装：Digi-Reel®

2N7002V详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：280mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563F; 包装：剪切带 (CT)

2N7002V-7详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：280mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：Digi-Reel®

2N7002V-7详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：280mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：带卷 (TR)

2N7002V-7详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：280mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：150mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

3130-F120-P7T1-W02Q-10A
断路器 E-T-A 轴向 CIR BRKR THRM 10A ROCKER 250V
2N7002V
FET - 阵列 Fairchild Semiconductor SOT-563，SOT-666 MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F
3G3AX-RAO04600110-DE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOT-563，SOT-666 3G3_X OUTPUT AC REACTOR
325035-02-0
接线座 - 隔板块 Curtis Industries SOT-563，SOT-666 TERM BARRIER 2CIRC SGL ROW .325
3-1879062-1
钽 TE Connectivity 1206（3216 公制） CAP TANT 10UF 16V 10% 1206
3-1437426-9
接线座 - 接头，插头和插口 TE Connectivity 1206（3216 公制） CONN TERM BLOCK PLUG 12POS 5MM
412-59586
配件 Power-One 1206（3216 公制） COVER FOR MAP130 SERIES
25JR15E
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR WIREWOUND .15 OHM 5W
3130-F120-P7T1-W02Q-3A
断路器 E-T-A 轴向 CIR BRKR THRM 3A ROCKER 250V
3-1879062-8
钽 TE Connectivity 1206（3216 公制） CAP TANT 3.3UF 16V 20% 1206
325035-08-0
接线座 - 隔板块 Curtis Industries 1206（3216 公制） TERM BARRIER 8CIRC SGL ROW .325
25JR30
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR WIREWOUND .30 OHM 5W
412-59586
配件 Power-One 轴向 COVER FOR MAP130 SERIES
3-1437427-5
接线座 - 接头，插头和插口 TE Connectivity 轴向 CONN TERM BLOCK PIN 7POS BLACK
3130-F120-P7T1-W02Q-4A
断路器 E-T-A 轴向 CIR BRKR THRM 4A ROCKER 250V

2N7002V 全国供应商、价格、PDF资料