DCR1970X
半导体
曲线
10000
9000
瞬时通态电流I
T
- (A)
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
Tj=25°C
Tj=125°C
0.5
1
1.5
2
2.5
瞬时通态电压，V
T
- (V)
3
V
TM
方程
V
TM
= A + BLN （我
T
） + C.I
T
+ D.√I
T
其中A = 0.271818
B = 0.0964031
C = 0.000142711
D = -0.00160626
这些值是有效的对于T
j
= 125°C
图2最大&minimum通态特性
0.02
双侧冷却
t
R
thJC
t
½
R
THI
1
e
i
i
½
1
n
热阻抗第Z （J -C ） （ ° C / W）
0.015
0.01
i
1
2
3
4
τ
i
(s)
0.6894
0.0872
0.0217
0.0043
R
THI
（ C / KW ）
12.267
3.55
1.485
1.002
0.005
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
100
图3最大（极限）瞬态热阻抗 - 结到外壳（ ° C / W）
4/9
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