DCR1970X
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125°C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 125°C ，门打开
从67 ％V
DRM
以2000A
门源30V ， 10 ，
t
r
< 0.5μs的，T
j
= 125°C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
1000
-
-
马克斯。
150
-
200
1000
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T
V
T（ TO ）
r
T
t
gd
通态电压
阈值电压
通态斜率电阻
延迟时间
I
T
= 3000A ，T
例
= 125°C
T
例
= 125°C
T
例
= 125°C
V
D
= 67% V
DRM
，门源30V ， 10
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 25°C
-
-
-
1.36
0.88
0.16
3.0
V
V
m
s
t
q
打开-O FF时间
T
j
= 125°C ，V
R
= 100V ，的di / dt = 10A / μs的，
dV
DR
/ DT = 20V /μs的线形到67 ％V
DRM
-
300
s
Q
S
I
RR
I
L
I
H
存储电荷
反向恢复电流
闭锁电流
保持电流
I
T
= 2000A ， TP = 1000US ，T
j
= 125°C,
的di / dt = 10A / μs的，
T
j
= 25°C,
T
j
= 25°C,
-
-
-
-
3000
165
1
200
C
A
A
mA
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
V
GD
I
GT
I
GD
参数
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
门非触发电流
测试条件
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25°C
在40 ％的V
DRM ，
T
例
= 125°C
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25°C
在40 ％的V
DRM ，
T
例
= 125°C
马克斯。
3
待定
300
待定
单位
V
V
mA
mA
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