产品speci fi cation
QM3001K
P沟道30V的快速开关MOSFET
概述
该QM3001K是最高性能的沟
P沟道MOSFET的极端高密度，
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的小功率开关和负载的
交换机的应用程序。
该QM3001K符合RoHS和绿色产品
要求，具有全功能的可靠性批准。
产品综述
BVDSS
-30V
应用
RDSON
52m
ID
-3.3A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
绿色设备可用
负荷开关
TO252引脚配置
D
G
绝对最大额定值
S
等级
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
P
D
@T
A
=70℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ -10V
连续漏电流， V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
2
总功耗
总功耗
3
3
1
1
10s
稳定状态
-30
±20
单位
V
V
-3.8
-3.1
-17
1.32
0.84
-55到150
-55到150
-3.3
-2.7
1
0.64
A
A
A
W
W
℃
℃
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJC
参数
热阻结到环境
1
1
典型值。
---
---
---
马克斯。
125
95
80
单位
℃/W
℃/W
℃/W
热阻结到环境（T
≤
10s)
热阻结案件
1
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1 2
产品speci fi cation
QM3001K
P沟道30V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
2
分钟。
-30
---
---
---
-1.2
---
---
---
---
---
---
---
---
---
典型值。
---
-0.023
42
75
-1.6
4
---
---
---
11
6.4
2.3
1.9
2.8
8.4
39
6
583
100
80
马克斯。
---
---
52
90
-2.5
---
-1
-5
±100
---
9.0
3.2
2.7
5.6
15.1
78.0
12.0
816
140
112
单位
V
V/℃
mΩ
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
nC
ΔBV
DSS
/△T
J
BV
DSS
温度COEF网络cient
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
总栅极电荷（ -4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= -10V ，我
D
=-3A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
V
GS
=V
DS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-24V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=-24V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±20V
, V
DS
=0V
V
DS
= -5V ，我
D
=-3A
V
DS
=-15V , V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
V
DD
=-15V , V
GS
= -10V ，R
G
=3.3Ω,
I
D
=-3A
---
---
---
---
ns
V
DS
=-15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
---
---
pF
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
2,4
1,4
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= -1A ，T
J
=25℃
I
F
= -3A ，的di / dt = 100A / μs的，T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
7.8
2.5
马克斯。
-3.3
-17
-1
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
二极管的正向电压
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3，功耗为150 ℃的结温限制
4.数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
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