初步数据
5典型。反向电流与反向电压
I
R
= F(V
R
)
10
2
SDT12S60
6瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
1
SDT12S60
A
10
1
K / W
150°C
125°C
100°C
25°C
10
0
10
0
Z
thJC
I
R
10
-1
D = 0.50
10
-1
10
-2
0.20
0.10
0.05
10
-2
10
-3
单脉冲
0.02
0.01
10
-3
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
V
R
600
10
-4 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
7典型。电容与反向电压
C = F(V
R
)
参数:
T
C
= 25 °C,
f
= 1兆赫
600
8典型。
C
储能
E
C
= F(V
R
)
9
pF
500
450
J
7
6
5
4
3
2
1
0
0
C
350
300
250
200
150
100
50
0
0
10
10
1
10
2
V
V
R
10
3
E
C
400
100
200
300
400
V
V
R
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初步数据
9典型。电容的电荷与电流斜率
Q
c
= F(二
F
/ DT )
参数:
T
j
= 150 °C
40
SDT12S60
nC
32
28
IF * 2
IF
Q
c
IF * 0.5
24
20
16
12
8
4
0
100 200 300 400 500 600 700 800
A / μs的
1000
di
F
/ DT
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5典型。反向电流与反向电压
I
R
= F(V
R
)
10
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6瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
1
SDT12S60
A
10
1
K / W
150°C
125°C
100°C
25°C
10
0
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Z
thJC
I
R
10
-1
D = 0.50
10
-1
10
-2
0.20
0.10
0.05
10
-2
10
-3
单脉冲
0.02
0.01
10
-3
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
V
R
600
10
-4 -7
10
10
-6
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-5
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-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
7典型。电容与反向电压
C = F(V
R
)
参数:
T
C
= 25 °C,
f
= 1兆赫
600
8典型。
C
储能
E
C
= F(V
R
)
9
pF
500
450
J
7
6
5
4
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C
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V
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V
V
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初步数据
9典型。电容的电荷与电流斜率
Q
c
= F(二
F
/ DT )
参数:
T
j
= 150 °C
40
SDT12S60
nC
32
28
IF * 2
IF
Q
c
IF * 0.5
24
20
16
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