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初步数据
碳化硅肖特基二极管
世界上第一个600V肖特基二极管
革命性的半导体
材料 - 碳化硅
交换行为基准
没有反向恢复
在没有温度的影响
切换行为
无远期恢复

SDT12S60
产品概述
V
RRM
Q
c
I
F
600
30
12
P-TO220-2-2.
反向重复峰值电压
浪涌峰值反向电压
功耗,
T
C
=25°C
工作和存储温度
第1页






V
nC
A
TYPE
SDT12S60
P-TO220-2-2.
订购代码
Q67040-S4470
记号
D12S60
销1
C
销2
A
3脚
最大额定值,在
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
连续正向电流,
T
C
=100°C
RMS正向电流,
f=50Hz
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
符号
I
F
I
疲劳风险管理
价值
12
17
36
49
120
6.48
600
600
88.2
-55... +175
单位
A
浪涌不重复正向电流,正弦半波
I
FSM
重复峰值正向电流
T
j
=150°C,
T
C
=100°C,
D=0.1
I
FRM
I
FMAX
i
2
dt
非重复峰值正向电流
t
p
=10s,
T
C
=25°C
i
2
t
值,
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
As
V
W
°C
V
RRM
V
RSM
P
合计
T
j ,
T
英镑
2002-01-14
初步数据
热特性
参数
特征
热阻,结 - 案
热阻,结 - 环境,含铅
R
thJC
R
thJA
-
-
-
-
符号
分钟。
典型值。
SDT12S60
单位
马克斯。
1.7
62
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
二极管的正向电压
I
F
=12A,
T
j
=25°C
I
F
=12A,
T
j
=150°C
符号
分钟。
V
F
-
-
I
R
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
1.5
1.7
40
100
1.7
2.1
A
400
2000
反向电流
V
R
=600V,
T
j
=25°C
V
R
=600V,
T
j
=150°C
电气特性,在
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
AC特性
总容性充电
V
R
=400V,
I
F
=12A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
符号
分钟。
Q
c
t
rr
C
-
-
-
第2页
典型值。
30
不适用
马克斯。
-
-
单位
-
-
nC
ns
pF
开关时间
V
R
=400V,
I
F
=12A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
总电容
V
R
=1V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=300V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=600V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
450
45
43
-
-
-
2002-01-14
初步数据
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
90
SDT12S60
2二极管的正向电流
I
F
=
f
(T
C
)
参数:
T
j
175 °C
24
W
A
20
70
60
18
16
P
合计
I
F
50
40
30
20
10
0
0
14
12
10
8
6
4
2
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
T
C
0
0
20
3典型。正向特性
I
F
=
f
(V
F
)
参数:
T
J,T
p
= 350 s
24
4典型。正向功率耗散主场迎战
平均正向电流
P
F( AV) = F(我
F
)
T
C
=100°C,
d
=
t
p
/T
44
W
A
P
F( AV )
150°C
125°C
100°C
25°C
-40°C
d=0.1
d=0.2
36
d=0.5
d=1
32
28
24
12
20
8
16
12
4
8
4
0
0
0.5
1
1.5
16
I
F
V
V
F
2.5
0
0
2
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40
60
80
100 120 140
°C
T
C
180
4
6
8
10
12
16
A
I
F( AV )
2002-01-14
初步数据
5典型。反向电流与反向电压
I
R
= F(V
R
)
10
2
SDT12S60
6瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
1
SDT12S60
A
10
1
K / W
150°C
125°C
100°C
25°C
10
0
10
0
Z
thJC
I
R
10
-1
D = 0.50
10
-1
10
-2
0.20
0.10
0.05
10
-2
10
-3
单脉冲
0.02
0.01
10
-3
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
V
R
600
10
-4 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
7典型。电容与反向电压
C = F(V
R
)
参数:
T
C
= 25 °C,
f
= 1兆赫
600
8典型。
C
储能
E
C
= F(V
R
)
9
pF
500
450
J
7
6
5
4
3
2
1
0
0
C
350
300
250
200
150
100
50
0
0
10
10
1
10
2
V
V
R
10
3
E
C
400
100
200
300
400
V
V
R
600
第4页
2002-01-14
初步数据
9典型。电容的电荷与电流斜率
Q
c
= F(二
F
/ DT )
参数:
T
j
= 150 °C
40
SDT12S60
nC
32
28
IF * 2
IF
Q
c
IF * 0.5
24
20
16
12
8
4
0
100 200 300 400 500 600 700 800
A / μs的
1000
di
F
/ DT
页面
5
2002-01-14
初步数据
碳化硅肖特基二极管
世界上第一个600V肖特基二极管
革命性的半导体
材料 - 碳化硅
交换行为基准
没有反向恢复
在没有温度的影响
切换行为
无远期恢复

SDT12S60
产品概述
V
RRM
Q
c
I
F
600
30
12
P-TO220-2-2.
反向重复峰值电压
浪涌峰值反向电压
功耗,
T
C
=25°C
工作和存储温度
第1页






V
nC
A
TYPE
SDT12S60
P-TO220-2-2.
订购代码
Q67040-S4470
记号
D12S60
销1
C
销2
A
3脚
最大额定值,在
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
连续正向电流,
T
C
=100°C
RMS正向电流,
f=50Hz
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
符号
I
F
I
疲劳风险管理
价值
12
17
36
49
120
6.48
600
600
88.2
-55... +175
单位
A
浪涌不重复正向电流,正弦半波
I
FSM
重复峰值正向电流
T
j
=150°C,
T
C
=100°C,
D=0.1
I
FRM
I
FMAX
i
2
dt
非重复峰值正向电流
t
p
=10s,
T
C
=25°C
i
2
t
值,
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
As
V
W
°C
V
RRM
V
RSM
P
合计
T
j ,
T
英镑
2002-01-14
初步数据
热特性
参数
特征
热阻,结 - 案
热阻,结 - 环境,含铅
R
thJC
R
thJA
-
-
-
-
符号
分钟。
典型值。
SDT12S60
单位
马克斯。
1.7
62
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
二极管的正向电压
I
F
=12A,
T
j
=25°C
I
F
=12A,
T
j
=150°C
符号
分钟。
V
F
-
-
I
R
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
1.5
1.7
40
100
1.7
2.1
A
400
2000
反向电流
V
R
=600V,
T
j
=25°C
V
R
=600V,
T
j
=150°C
电气特性,在
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
AC特性
总容性充电
V
R
=400V,
I
F
=12A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
符号
分钟。
Q
c
t
rr
C
-
-
-
第2页
典型值。
30
不适用
马克斯。
-
-
单位
-
-
nC
ns
pF
开关时间
V
R
=400V,
I
F
=12A,
di
F
/dt=200A/s,
T
j
=150°C
总电容
V
R
=1V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=300V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
V
R
=600V,
T
C
=25°C,
f=1MHz
450
45
43
-
-
-
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初步数据
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
90
SDT12S60
2二极管的正向电流
I
F
=
f
(T
C
)
参数:
T
j
175 °C
24
W
A
20
70
60
18
16
P
合计
I
F
50
40
30
20
10
0
0
14
12
10
8
6
4
2
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
T
C
0
0
20
3典型。正向特性
I
F
=
f
(V
F
)
参数:
T
J,T
p
= 350 s
24
4典型。正向功率耗散主场迎战
平均正向电流
P
F( AV) = F(我
F
)
T
C
=100°C,
d
=
t
p
/T
44
W
A
P
F( AV )
150°C
125°C
100°C
25°C
-40°C
d=0.1
d=0.2
36
d=0.5
d=1
32
28
24
12
20
8
16
12
4
8
4
0
0
0.5
1
1.5
16
I
F
V
V
F
2.5
0
0
2
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40
60
80
100 120 140
°C
T
C
180
4
6
8
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16
A
I
F( AV )
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初步数据
5典型。反向电流与反向电压
I
R
= F(V
R
)
10
2
SDT12S60
6瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
1
SDT12S60
A
10
1
K / W
150°C
125°C
100°C
25°C
10
0
10
0
Z
thJC
I
R
10
-1
D = 0.50
10
-1
10
-2
0.20
0.10
0.05
10
-2
10
-3
单脉冲
0.02
0.01
10
-3
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
V
R
600
10
-4 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
7典型。电容与反向电压
C = F(V
R
)
参数:
T
C
= 25 °C,
f
= 1兆赫
600
8典型。
C
储能
E
C
= F(V
R
)
9
pF
500
450
J
7
6
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4
3
2
1
0
0
C
350
300
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200
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100
50
0
0
10
10
1
10
2
V
V
R
10
3
E
C
400
100
200
300
400
V
V
R
600
第4页
2002-01-14
初步数据
9典型。电容的电荷与电流斜率
Q
c
= F(二
F
/ DT )
参数:
T
j
= 150 °C
40
SDT12S60
nC
32
28
IF * 2
IF
Q
c
IF * 0.5
24
20
16
12
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4
0
100 200 300 400 500 600 700 800
A / μs的
1000
di
F
/ DT
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5
2002-01-14
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操作
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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    Q67040-S4470
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    -
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    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    Q67040-S4470
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    Q67040-S4470
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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