TRENCHSTOP系列
IKP04N60T
q
低损耗DuoPack ： IGBT的沟槽场终止和技术
具有柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
非常低V
CE （ SAT ）
1.5 V（典型值）。
最高结温为175℃
短路承受时间 - 5μs的
设计用于：
- 频率转换器
- 驱动器
沟槽场终止技术， 600 V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 非常高开关速度
- 低V
CE （ SAT ）
在V正温度系数
CE （ SAT ）
低EMI
低栅电荷
非常柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
V
CE
600 V
I
C
4A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.5 V
T
， MAX
175
°C
标识代码
K04T60
包
TO-220
C
G
E
P-TO-220-3-1
(TO-220AB)
TYPE
IKP04N60T
订购代码
Q67040S4714
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
直流集电极电流，受
T
JMAX
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区（V
CE
≤
600V,
T
j
≤
175°C)
二极管的正向电流，限制了
T
JMAX
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
1)
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
400V,
T
j
≤
150°C
功耗
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
P
合计
T
j
T
英镑
-
42
-40...+175
-55...+175
260
W
°C
I
Fpuls
V
GE
t
SC
I
Cpuls
-
I
F
4
8
12
±20
5
V
s
符号
V
CE
I
C
8
4
12
12
价值
600
单位
V
A
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
2.2版日-12月04
功率半导体
TRENCHSTOP系列
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
二极管热阻
结 - 案
热阻，
结 - 环境
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V,
I
C
= 0 2毫安
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15V,
I
C
= 4A
T
j
= 25° C
T
j
= 17 5° C
二极管的正向电压
V
F
V
摹ê
= 0V,
I
F
= 4A
T
j
= 25° C
T
j
= 17 5° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 60μA ，V
权证
=V
摹ê
V
权证
= 600V
,
V
摹ê
= 0V
T
j
= 25° C
T
j
= 17 5° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
集成门极电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
I
C（ SC ）
V
摹ê
1 = 5V ，T
S·C
≤5s
V
C C
= 400V,
T
j
≤
150° C
-
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
V
权证
= 25V,
V
摹ê
= 0V,
f=
1M的赫兹
V
C C
= 4 80V,
I
C
= 4A
V
摹ê
= 1 5V
T O服务-220-3- 1
-
-
-
-
-
I
GES
g
fs
R
GINT
V
权证
= 0V ,V
摹ê
= 2 0V
V
权证
= 20V,
I
C
= 4A
-
-
-
-
-
-
4.1
-
-
600
符号
条件
R
thJA
TO-220-3-1
R
thJCD
TO-220-3-1
R
thJC
TO-220-3-1
符号
条件
IKP04N60T
q
马克斯。值
3.5
5
62
单位
K / W
价值
分钟。
典型值。
-
1.5
1.9
1.65
1.6
4.9
马克斯。
-
2.05
-
2.05
-
5.7
单位
V
A
-
-
-
2.2
-
40
1000
100
-
nA
S
252
20
7.5
27
7
36
-
-
-
-
-
-
pF
nC
nH
A
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
2.2版日-12月04
功率半导体
