IKW08T120
^
TRENCHSTOP系列
低损耗DuoPack ： IGBT的沟槽场终止和技术
具有柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
C
约。 1.0V降低V
CE （ SAT ）
和0.5V降低V
F
相比于BUP305D
短路承受时间 - 为10μs
G
设计用于：
- 频率转换器
- 不间断电源
沟槽场终止技术， 1200 V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
NPT技术提供因易并行交换能力
在V正温度系数
CE （ SAT ）
低EMI
低栅电荷
非常柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
V
CE
1200V
I
C
8A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.7V
T
， MAX
150°C
E
P-TO-247-3-1
(TO-247AC)
TYPE
IKW08T120
包
TO-247AC
订购代码
Q67040-S4514
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
T
j
T
英镑
-
-40...+150
-55...+150
260
°C
1)
符号
V
CE
I
C
价值
1200
16
8
单位
V
A
I
Cpul s
-
I
F
24
24
16
8
I
FPUL s
V
GE
t
SC
P
合计
24
±20
10
70
V
s
W
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
修订版10月1日 - 03
功率半导体
IKW08T120
^
TRENCHSTOP系列
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 96 0 V,
I
C
=8 A
V
摹ê
= 15 V
T O服务 - 24 7A
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
V
C C
= 6 0 0 V,
T
j
= 25
°
C
-
-
-
-
-
-
600
36
28
53
-
48
-
-
-
-
13
-
pF
nC
nH
A
开关特性，电感负载，
at
T
j
=25
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
反并联二极管特性
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
秋天反向二极管峰值速率
在恢复电流
t
b
t
rr
Q
rr
I
RRM
D I
r r
/日吨
T
j
=2 5
°C
,
V
R
= 6 00 V ,
I
F
= 8 A,
D I
F
/日吨
=6 0 0 A/
s
-
-
-
-
80
1.0
13
420
-
-
-
-
ns
C
A
A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
=2 5
°C
,
V
C C
= 60 0 V,
I
C
= 8 A,
V
摹ê
=- 15 /1 5 V ,
R
G
= 81
,
2)
L
σ
= 1 8 0n的H，
2)
C
σ
= 3 9P F
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
40
23
450
70
0.67
0.7
1.37
-
-
-
-
-
-
-
mJ
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1)
2)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
漏感
L
σ
钕杂散电容
C
σ
由于动态测试电路如图E.
3
修订版10月1日 - 03
功率半导体
IKW08T120
^
TRENCHSTOP系列
低损耗DuoPack ： IGBT的沟槽场终止和技术
具有柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
C
约。 1.0V降低V
CE （ SAT ）
和0.5V降低V
F
相比于BUP305D
短路承受时间 - 为10μs
G
设计用于：
- 频率转换器
- 不间断电源
沟槽场终止技术， 1200 V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
NPT技术提供因易并行交换能力
在V正温度系数
CE （ SAT ）
低EMI
低栅电荷
非常柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
V
CE
1200V
I
C
8A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.7V
T
， MAX
150°C
E
P-TO-247-3-1
(TO-247AC)
TYPE
IKW08T120
包
TO-247AC
订购代码
Q67040-S4514
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
T
j
T
英镑
-
-40...+150
-55...+150
260
°C
1)
符号
V
CE
I
C
价值
1200
16
8
单位
V
A
I
Cpul s
-
I
F
24
24
16
8
I
FPUL s
V
GE
t
SC
P
合计
24
±20
10
70
V
s
W
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
修订版10月1日 - 03
功率半导体
IKW08T120
^
TRENCHSTOP系列
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 96 0 V,
I
C
=8 A
V
摹ê
= 15 V
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V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
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V
C C
= 6 0 0 V,
T
j
= 25
°
C
-
-
-
-
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600
36
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48
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-
13
-
pF
nC
nH
A
开关特性，电感负载，
at
T
j
=25
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
反并联二极管特性
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
秋天反向二极管峰值速率
在恢复电流
t
b
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2)
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2)
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= 3 9P F
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
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-
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条件
价值
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1)
2)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
漏感
L
σ
钕杂散电容
C
σ
由于动态测试电路如图E.
3
修订版10月1日 - 03
功率半导体
