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PROFET
BTS721L1
四通道海赛德智能电源开关
过载保护
电流限制
短路保护
热关断
过压保护
(包括负载突降)
感性负载的快速退磁
反向电池保护
1)
欠压和过压关断
自动重启动和滞后
开漏输出诊断
开路负载检测在ON状态
CMOS兼容输入
地面损失和V损失
bb
保护
静电放电
( ESD)保护
特点
产品概述
过压保护
工作电压
活动通道:
导通状态电阻
R
ON
额定负载电流
I
L( NOM )
电流限制
I
L(血肌酐)
V
BB ( AZ )
43
V
V
bb的(上)
5.0 ... 34
V
两个平行的四个平行
100
50
25
m
2.9
4.3
6.3
A
8
8
8
A
P-DSO-20
应用
C
具有诊断反馈兼容的电源开关
12 V和24 V DC接地负载
各类阻性,感性和容性负载
替代机电继电器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET与电荷泵,接地参考CMOS兼容输入和诊断
反馈,单片集成在智能SIPMOS技术。提供嵌入式保护功能。
引脚定义和功能
1,10,
11,12,
15,16,
19,20
3
5
7
9
18
17
14
13
4
8
2
6
符号功能
V
bb
正电源电压。
设计
用于同时最大布线。短路
电流从信道1到4也为低
热阻
IN1
输入1 。4 ,
激活的情况下的信道1 。4
IN2
逻辑高信号
IN3
IN4
OUT1
输出1 。4 ,
保护高侧功率输出
OUT2
通道1 .. 4.设计的布线
OUT3
最大。短路电流
OUT4
ST1/2
诊断反馈1/2
信道1和
通道2 ,开漏输出,低故障
ST3/4
诊断反馈3/4
信道3和
通道4 ,开漏,低故障
GND1/2
地面1/2
芯片1 (通道1和通道2 )
GND3/4
地面3/4
芯片2的(信道3和信道4)
引脚配置
( TOP VIEW )
V
bb
GND1/2
IN1
ST1/2
IN2
GND3/4
IN3
ST3/4
IN4
V
bb
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
bb
V
bb
OUT1
OUT2
V
bb
V
bb
OUT3
OUT4
V
bb
V
bb
1
)
与外部电流限制(例如电阻R
GND
=150
)
在GND连接,电阻器串联ST
连接,反向负载电流受限于连接的负载。
半导体集团
1 15
2003-Oct-01
BTS721L1
框图
四通道;负载开路检测状态;
+ V BB
通道1
电压
来源
V
逻辑
电压
传感器
过压
保护
当前
限制1
门1
保护
引线框架
电平转换器
整流器1
收费
泵1
收费
泵2
对于限制
松开
IND 。负载1
负载开路
短到VBB
检测1
当前
限2
门2
保护
OUT1
18
3
5
4
IN1
IN2
ST1/2
温度
传感器1
ESD
逻辑
通道2
2
GND1/2
电平转换器
整流器2
对于限制
松开
IND 。负载2
负载开路
短到VBB
2检测
OUT2
17
负载
温度
传感器2
R
R
O1
O2
GND1/2
信号地
芯片1
芯片1
负载GND
+ V BB
通道3
引线框架
芯片2的逻辑和保护电路
(相当于芯片1)
7
9
8
IN3
IN4
ST3/4
OUT3
14
第4频道
OUT4
13
负载
6
GND3/4
PROFET
信号地
2芯片
R
R
O3
O4
GND3/4
负载GND
2芯片
引线框架连接到引脚1 , 10 , 11 , 12 , 15 , 16 , 19 , 20
半导体集团
2
2003-Oct-01
BTS721L1
最大额定值
at
T
j
= 25 ° C除非另有说明
参数
电源电压(过电压保护页4 )
电源电压为充分短路保护
T
,开始
= -40 ...+150°C
负载电流(短路电流,见第5页)
负载突降保护
2
)
V
LoadDump
=
U
A
+
V
s
,
U
A
= 13.5 V
R
I
3
)
= 2
,
t
d
= 200毫秒; IN =低或高,
装入每个信道
R
L
= 4.7
,
工作温度范围
存储温度范围
功耗( DC )
5
T
a
= 25°C:
(有源所有通道)
T
a
= 85°C:
感性负载关断能耗,单脉冲
V
bb
= 12V,
T
,开始
= 150°C
5)
,
一个通道:
I
L
= 2.9 A,Z
L
= 58 mH为0
I
L
= 4.3 A,Z
L
= 58 mH为0
两个平行的渠道:
I
L
= 6.3 A,Z
L
= 58 mH为0
四个并行通道:
请参阅第9和第10页的图表
符号
V
bb
V
bb
I
L
V
负载
4
)
DUMP
43
34
自限
60
-40 ...+150
-55 ...+150
3.7
1.9
单位
V
V
A
V
°C
W
T
j
T
英镑
P
合计
E
AS
0.3
0.65
1.5
1.0
-10 ... +16
±2.0
±5.0
J
静电放电能力( ESD )
(人体模型)
输入电压(直流)
电流通过输入端子(DC)的
电流通过状态引脚( DC)
看到内部电路框图第8页
V
ESD
V
IN
I
IN
I
ST
kV
V
mA
热阻
结 - 焊接点
5),6)
结 - 环境
5)
每个通道:
一个通道的激活:
所有活动的渠道:
R
thjs
R
thJA
15
41
34
K / W
2
)
3)
4)
5
)
6
)
电源电压高于V高
BB ( AZ )
需要一个外部电流限制为GND和状态引脚,如有
150
电阻在GND连接和15 kΩ电阻串联在状态引脚。电阻输入
保护集成。
R
I
=甩负荷试验脉冲发生器的内部电阻
V
负载突降
是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
( 1层, 70微米厚)的铜面积Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。参见第15页
焊接点:器件引脚15参见第15页的焊料边缘上侧
半导体集团
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2003-Oct-01
BTS721L1
电气特性
参数和条件,
每四个信道的
在T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏,除非另有说明
符号
典型值
最大
单位
负载切换功能和特点
通态电阻(VBB为OUT )
I
L
= 2 A
每个信道
T
j
= 25°C:
R
ON
T
j
= 150°C:
两个平行的渠道,
T
j
= 25°C:
四个平行通道,
T
j
= 25°C:
额定负载电流
一个通道的激活:
活跃的两个平行的渠道:
活跃的四个平行的渠道:
器件在PCB上
5)
,
T
a
=
85°C,
T
j
150°C
输出电流,同时GND断开或拉
了; V
bb
= 30 V,
V
IN
= 0 ,见图9页
开启时间
到90%
V
OUT
:
打开-O FF时间
至10%
V
OUT
:
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
上压摆率
10至30%
V
OUT
,
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C:
压摆率关闭
70 %至40%
V
OUT
,
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C:
操作参数
工作电压
7
)
欠压关断
欠压重启
T
j
=-40...+150°C:
T
j
=-40...+150°C:
T
j
=-40...+25°C:
T
j
=+150°C:
电荷泵欠压重启
见图14页
T
j
=-40...+150°C:
欠压滞后
V
BB (下)
=
V
BB (U RST )
-
V
BB (下)
过压关断
T
j
=-40...+150°C:
过电压启动
T
j
=-40...+150°C:
过电压滞后
T
j
=-40...+150°C:
过压保护
8
)
T
j
=-40...+150°C:
I
bb
= 40毫安
待机电流,关闭所有通道
T
j
=25°C
:
V
IN
= 0
T
j
=150°C:
--
85
170
43
22
2.9
4.3
6.3
--
200
200
--
--
100
200
50
25
--
m
I
L( NOM )
2.5
3.8
5.9
--
80
80
0.1
0.1
A
I
L( GNDhigh )
t
on
t
关闭
dv / dt的
on
-dV / DT
关闭
10
400
400
1
1
mA
s
V / μs的
V / μs的
V
bb的(上)
V
BB (下)
V
BB (U RST )
V
BB ( UCP )
V
BB (下)
V
bb的(过)
V
BB (O RST )
V
bb的(过)
V
BB ( AZ )
I
的bb (关闭)
5.0
3.5
--
--
--
34
33
--
42
--
--
--
--
--
5.6
0.2
--
--
0.5
47
28
44
34
5.0
5.0
7.0
7.0
--
43
--
--
--
60
70
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
7)
8)
在电源电压增加至
V
bb
= 5.6 V (典型值)没有电荷泵,
V
OUT
≈V
bb
- 2 V
参见
V
开( CL)的
在第8页的电路图。
半导体集团
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2003-Oct-01
BTS721L1
参数和条件,
每四个信道的
在T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏,除非另有说明
符号
典型值
最大
--
--
12
单位
A
漏输出电流(包括在
I
的bb (关闭)
)
I
L(关闭)
V
IN
= 0
工作电流
9)
,
V
IN
= 5V,
T
j
=-40...+150°C
I
GND
=
I
GND1/2
+
I
GND3/4
,
对一个信道:
I
GND
四通道上:
保护功能
10)
初步峰值短路电流限制,
(见时机
图中,第12页)
--
--
2
8
3
12
mA
每个信道
T
j
=-40°C:
I
L( SCP )
11
18
25
9
14
22
T
j
=25°C:
5
8
14
T
j
=+150°C:
两个平行的渠道
一个信道的电流的两倍
四个平行通道
一个信道的当前的4倍
重复短路电流限制,
T
j
=
T
jt
每个通道
I
L(血肌酐)
--
8
--
--
8
--
两个平行的渠道
--
8
--
四个平行通道
(见时序图,第12页)
A
A
初步短路停机时间
T
,开始
=-40°C:
t
关( SC)的
T
,开始
= 25°C:
V
开( CL)的
T
jt
T
jt
--
--
--
150
--
3.8
3
47
--
10
--
--
--
--
--
ms
(见第12页第12页和时序图)
输出钳位(感性负载开关关闭)
11)
在V
开( CL)的
= V
bb
- V
OUT
热过载跳闸温度
热滞
电池反接
反向电池电压
12
)
漏源电压二极管
(V
OUT
& GT ; V
bb
)
I
L
= - 2.9 A,
T
j
= +150°C
V
°C
K
-V
bb
-V
ON
--
--
--
610
32
--
V
mV
9
)
添加
I
ST
如果
I
ST
> 0
10
)集成的保护功能,旨在防止在描述故障情况下破坏IC
数据表。故障条件被认为是"outside"正常工作范围。保护功能不
设计用于连续重复操作。
11
)如果信道是并联的,输出钳位通常是由具有最低的信道来完成
V
开( CL)的
12
)需要150
电阻接地连接。逆向负载电流通过固有漏 - 源
二极管具有由所连接的负载进行限制。注意,该功耗是高于正常
操作条件下,由于在整个本征漏极 - 源极二极管的电压降。温度
保护不动作电流反向操作过程中!输入和状态电流必须被限制(见
最大。收视率第3和电路第8页) 。
半导体集团
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2003-Oct-01
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    -
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    终端采购配单精选

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