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BSS 110
SIPMOS
小信号晶体管
P沟道
增强型
逻辑电平
V
GS （ TH）
= -0.8...-2.0 V
销1
S
TYPE
BSS 110
TYPE
BSS 110
BSS 110
BSS 110
销2
G
记号
SS 110
3脚
D
V
DS
-50 V
I
D
-0.17 A
R
DS （ ON）
10
包
TO-92
订购代码
Q62702-S500
Q62702-S278
Q67000-S568
磁带和卷轴信息
E6288
E6296
E6325
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
符号
值
-50
-50
单位
V
V
DS
V
DGR
R
GS
= 20 k
门源电压
连续漏电流
V
GS
I
D
±
20
A
-0.17
T
A
= 35 °C
直流漏电流，脉冲
I
Dpuls
-0.68
T
A
= 25 °C
功耗
P
合计
0.63
W
T
A
= 25 °C
半导体集团
1
12/05/1997
BSS 110
最大额定值
参数
芯片或工作温度
储存温度
热电阻，芯片到环境空气
1)
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
符号
值
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
200
E
55 / 150 / 56
K / W
单位
°C
T
j
T
英镑
R
thJA
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
-50
-
-1.5
-0.1
-2
-
-1
5.3
-
-2
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= -0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
-0.8
V
GS =
V
DS ，
I
D
= -1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
-
-1
-60
-0.1
A
V
DS
= -50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
V
DS
= -25 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
-10
nA
-
10
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.17 A
半导体集团
2
12/05/1997
BSS 110
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
0.05
0.09
30
17
8
-
S
pF
-
40
25
12
ns
-
7
10
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= -0.17 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.27 A
R
G
= 50
上升时间
t
r
-
12
18
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.27 A
R
G
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
10
13
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.27 A
R
G
= 50
下降时间
t
f
-
20
27
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.27 A
R
G
= 50
半导体集团
3
12/05/1997
BSS 110
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
A
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
典型值。
马克斯。
单位
A
-
-
-
-
-0.95
-0.17
-0.68
V
-
-1.2
I
SM
V
SD
T
A
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= -0.34 A
半导体集团
4
12/05/1997
BSS 110
功耗
P
合计
=
(T
A
)
漏电流
I
D
=
(T
A
)
参数：
V
GS
≥
-10 V
-0.18
A
0.70
W
0.60
P
合计
0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
I
D
-0.14
-0.12
-0.10
-0.08
-0.06
-0.04
-0.02
0.00
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
=25°C
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
=
(T
j
)
-60
V
-58
V
（ BR ） DSS
-57
-56
-55
-54
-53
-52
-51
-50
-49
-48
-47
-46
-45
-60
-20
20
60
100
°C
160
T
j
半导体集团
5
12/05/1997
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推荐型号
QL202ID
Q62703-Q1095
Q67000-A8298
QEA95V1DD0
QEUM5530LM5016
QEN4HJJQ15
QM30-32PL-CV
QR/P8-SC-221
Q62702-C1864
QS32245SO
QM40-14PL-CV
QL2003-2PF144I
Q62705-K245
QTP257
Q67120-C264
QDFX120-152
QM40-14PAL-CV
Q4010LTH
Q62702-C692-V1
Q4010NH5
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    Q67000-S568
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    HECC GROUP CO，LIMITED
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    Q67000-S568
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    -
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    深圳市鹏顺兴科技有限公司
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    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    Q67000-S568
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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