LTZ1000/LTZ1000A
超精密基准
特点
n
n
n
n
n
n
描述
该LTZ1000和LTZ1000A是超稳定的温度
可控引用。他们的目的是提供7V
与0.05PPM的温度漂移输出/ ° C，约
1.2V
P-P
的2μV / √kHr的噪声和长期稳定性。
包括在芯片上是一个地下稳压基准，
加热电阻器对温度稳定，和一个温
perature感应晶体管。外部电路是用于
设置工作电流和温度稳定
参考。这允许最大的灵活性和最佳的长期
长期稳定性和噪声。
该LTZ1000和LTZ1000A引用可以提供苏
perior性能较旧的设备，如LM199 ，
前提是用户实现了加热器控制和
妥善管理的热布局。为了简化热
绝缘性， LTZ1000A采用了专有的芯片连接
方法是提供显著较高的耐热性
比LTZ1000 。
L,
线性LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标
技术公司。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
n
n
1.2V
P-P
噪音
2μV / √kHr长期稳定性
非常低滞后
0.05PPM /°C的漂移
温度稳定
400 ° C / W热阻LTZ1000A减少
绝缘要求
特定网络版为-55 ° C至125°C温度范围
采用TO -99封装
应用
n
n
n
n
n
电压表
校准器
标准单元
秤
低噪声RF振荡器
典型用途
低噪声基准
LTZ1000
V
IN
≥ 10V
产量
30k
3
7
6
1N4148
（ PPM ）
0
2
长期稳定性
+
–
LT
1006
2
4
120
0.02F
–2
1000 TA01
0
10
天
20
30
的典型器件不时= 0长期稳定性
WITH NO预处理或老化
1000 TA01b
1000afd
1
LTZ1000/LTZ1000A
绝对最大额定值
（注1 ）
引脚配置
底部视图
8
7
Q2
6
Q1
5
4
H8包
TO-5金属的CAN
T
JMAX
= 150°C,
LTZ1000CH ：
θ
JA
= 80 ° C / W
LTZ1000ACH ：
θ
JA
= 400 ° C / W
7V
3
1
加热器基板............................................... 35V ....
集电极发射极击穿Q1 ............................... 15V
集电极发射极击穿Q2 ............................... 35V
发射基地反向偏置.......................................... 2V
工作温度范围.........- 55℃ ≤牛逼
A
≤ 125°C
存储温度范围............- 65℃ ≤牛逼
A
≤ 150°C
基板正向偏压0.1V ............................................
2
订购信息
无铅完成
LTZ1000ACH#PBF
LTZ1000CH#PBF
含铅涂层
LTZ1000ACH
LTZ1000CH
最热
LTZ1000ACH
LTZ1000CH
最热
LTZ1000ACH
LTZ1000CH
包装说明
8引脚TO- 5金属罐（ 0.200英寸PCD ）
8引脚TO- 5金属罐（ 0.200英寸PCD ）
包装说明
8引脚TO- 5金属罐（ 0.200英寸PCD ）
8引脚TO- 5金属罐（ 0.200英寸PCD ）
特定网络版温度范围
-55 ° C至125°C
-55 ° C至125°C
特定网络版温度范围
-55 ° C至125°C
-55 ° C至125°C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
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此产品只在托盘提供。欲了解更多信息，请访问：
http://www.linear.com/packaging/
电气特性
参数
齐纳电压
齐纳变化与电流
齐纳二极管的泄漏电流
齐纳噪声
加热器电阻
加热器击穿电压
晶体管Q1击穿
晶体管Q2击穿
Q1 ， Q2电流增益
热阻
长期稳定性
条件
（注2 ）
民
7.0
6.9
典型值
7.2
7.15
80
20
1.2
200
35
15
35
80
时间= 5分钟
时间= 5分钟
300
20
50
200
80
400
2
450
° C / W
° C / W
μV√kHr
最大
7.5
7.45
240
200
2
420
单位
V
V
mV
A
V
P-P
Ω
V
V
V
l
Z
= 5毫安， （V
Z
+ VBE
Q1
) I
Q1
= 100A
l
Z
= 1mA时， （V
Z
+ VBE
Q1
) I
Q1
= 100A
1毫安 - 我
Z
< 5毫安
V
Z
= 5V
l
Z
= 5毫安，为0.1Hz < F <为10Hz
1
Q1
= 100A
I
L
≤ 100A
I
C
= 10μA ， LVCEO
I
C
= 10μA ， LVCEO
I
C
= 100A
LTZ1000
LTZ1000A
中T = 65℃
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
所有的测试是在25 ℃。脉冲测试用于LTZ1000A来
最大限度地减少测试过程中温度上升。 LTZ1000和LTZ1000A设备
在-55°C至125 ° C的QA测试。
1000afd
2
LTZ1000/LTZ1000A
典型性能特性
齐纳电压随电流
100
90
齐纳电压噪声（NV / √Hz的）
齐纳电压的变化（毫伏）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
齐纳开尔文
感觉到Q1
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
齐纳电流（毫安）
1000 G01
齐纳电压噪声谱
500
450
齐纳噪声
I
Z
= 4毫安
齐纳ALONE
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.1
齐纳电流= 4毫安
1
10
频率（Hz）
100
齐纳电流= 0.5毫安
齐纳电压噪声（ 2μV / D）
I
Z
- 0.5毫安
0
10
20
30
40
时间（秒）
50
60
1000 G02
1000 G03
模具温度上升
VS加热器电源
0.8
0.7
加热器功率（ W）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25 35 45 55 65 75 85 95 105 115 125
芯片温度高于环境温度（ ° C）
1000 G04
模具温度对时间
125
LTZ1000A
片芯温升（ ° C）
加热器功率= 0.3W
125
模具温度上升对时间
LTZ1000
LTZ1000
片芯温升（ ° C）
100
100
75
加热器功率= 0.2W
75
加热器功率= 0.7W
加热器功率= 0.5W
50
50
LTZ1000A
25
加热器功率= 0.1W
25
加热器功率= 0.3W
0
0.1
1
10
100
时间（秒）
1000
0
0.1
1
10
100
时间（秒）
1000 G06
1000
1000 G05
引脚功能
引脚1 ：
加热器阳性。必须有较高的正值
比2脚和4脚。
引脚2 ：
加热器负。必须有较高的正值
比针脚4.必须具有相同或更低的电势比针脚1 。
3脚：
齐纳阳性。必须有较高的正值
比4脚。
引脚4 ：
基板和稳压负。必须有一个更高的
比针脚7.正值如果Q1是Zenered （约7V ）一
在公测的永久退化将导致。
5脚：
温度补偿晶体管集电极。
引脚6 ：
温度传感晶体管的基极。如果基
发射结Zenered （约7V ） ，晶体管会
遭受永久性的测试版降级。
引脚7 ：
发射器的感应和补偿晶体管。
引脚8 ：
集电极感应晶体管。
1000afd
3
LTZ1000/LTZ1000A
框图
1
8
3
5
*
Q2
Q1
*
*
2
6
4
7
1000 TA07
*衬底器件，不要正向偏压
应用信息
LTZ1000和LTZ1000A能够提供终极的
电压基准的表现。更好的温度漂移
大于0.03ppm / °的量级C和长期稳定性
每月1μV可以实现。约0.15ppm噪声
也可以得到。这样的表现是在牺牲
电路的复杂性，由于外部影响可以很容易地
导致超过1ppm的输出电压的变化。
热电偶的影响是最严重的问题之一，
可以给很多ppm的表观漂移/°C，以及事业
低频噪声。在TO- 5的可伐输入导线
当连接到铜包形式的热电偶
PC板。这些热电偶产生的输出
35μV / ℃。它是强制性的，以保持齐纳和晶体管
导致在相同的温度，否则1ppm的至5ppm的
在输出电压中的变化可以容易地从预期
这些热电偶。
气流穿过引线吹也可以引起小
温度的变化，特别是因为包是
加热。这看起来就像1ppm的低频5ppm的
发生过若干分钟内的噪声。为了获得最好的
结果，该装置应位于一个封闭的区域
并且还有来自气流屏蔽。
当然，任何温度梯度外部产生，
从电源说，横跨不应出现
关键电路。引线的晶体管和齐纳
应连接到相同大小的PC轨迹均衡
的热损失，并维持在类似的温度。
PC板的底部应采用屏蔽
对气流为好。
电阻器，以及具有电阻温度coef-
科幻cients ，可以产生热电偶效应。某些类型的
电阻器可以产生数百热电偶的毫伏
情侣电压。在这些电阻热电偶效应
也会干扰的输出电压。线绕
电阻器通常具有最低的热电偶电压
而锡氧化物型电阻具有极高的热电偶
电压。薄膜电阻，特别是威世精密液膜
电阻器，可以具有较低的热电偶电压。
普通的电路试验板的技术还不够好
以得到稳定的输出电压与LTZ1000家族
设备。为模拟板试验，因此建议小
印刷电路板可以由使用该参考文献中，
扩增fi er和线绕电阻。必须小心，以
确保加热器电流不溢流通过相同的
接地线为基准的负侧（发射极
Q1的） 。加热器电流的变化可能会增加，或
由，参考电压引起的错误与减
温度。采用低电阻单点接地
布线建议。
1000afd
4
LTZ1000/LTZ1000A
应用信息
设定控制温度
控制晶体管的发射极 - 基极电压设置
稳定温度为LTZ1000 。随着价值观
在应用中给定的，温度通常为60℃。
这提供了裕量的15℃以上的最高环境
为45℃ ，例如。在发射极 - 基极产生的变化
电压通常会造成大约± 10℃的变化。自
大约为2mV / ℃，是在发射极 - 基极电压的变化
很容易预测，其他温度容易设置。
因为较高的温度加速老化，降低
长期稳定性，具有一致的最低温度
的操作环境应该被使用。该LTZ1000A
应设置约10℃高于LTZ1000 。这
是因为在正常工作的功率耗散
LTZ1000A导致约10 ℃的温度上升。的
当然两种类型的设备应该从绝缘
环境。热身几分钟是平常。
如果不需要极端的精度或
在LTZ1000的低噪声，线性技术使得
宽线的电压基准。像LT1021器件
可以提供漂移低至为2ppm / ℃，例如设备
该LM399A提供1PPM /的漂移℃。只有应用
需要非常低噪声，低漂移与时间系统蒸发散
在LTZ1000应该使用这个设备。请参阅应用笔记
AN- 82和AN- 86的进一步信息。咨询直线
技术应用部门更多的帮助。
典型应用
负参考电压
齐纳+ SENSE
V
+
15V
GND
0.1F
1
2N3904
1k
7
LT1013
R4
13k
R3
70k
3
6
10k
1M
2
1N4148
0.1F
400k*
R1
120
4
7
2
8
LT1013
1
R2
70k
+
–
5
8
5
–
+
3
R5
1k
4
1N4148
齐纳 - FORCE
齐纳 - SENSE
0.022F
*提供温度补偿，删除LTZ1000A
近似变化对参考电压一个100ppm的变化对电阻值：
R1
R2
R3
R4 / R5比
为100ppm =
R(
)
0.012
7
7
R
= 0.01%
V
Z
1ppm
0.3ppm
0.2ppm
1ppm
V
–
≥ 10V
A1和A2贡献较比输出漂移在50° C温度范围内2μV
1000 TA02
1000afd
5
LM199 / LM299 / LM399精密基准
2005年4月
LM199/LM299/LM399
精密基准
概述
该LM199系列精密，温度稳定
单片式齐纳二极管提供温度系数的因素
10比高质量的参考齐纳管好。构建
一个单芯片上的温度稳定器电路
并积极参考齐纳。有源电路降低
齐纳至约0.5Ω ，动态阻抗
允许稳压超过0.5毫安工作到10 mA的电流
范围中的电压或温度基本上没有变化
系数。此外，一个新的次表面齐纳结构赋予
低噪音和出色的长期稳定性比较
普通单片齐纳二极管。包与一个供给
热屏蔽，以减少加热功率，提高温
perature调节。
该LM199系列的引用是非常容易使用
和游离的，常常遇到的问题
普通的齐纳二极管。几乎没有滞后于参考
电压与温度循环。此外， LM199是自由的
电压的变化，由于应力的线索。最后，由于
单位是温度稳定，升温时间快。
在LM199可以用在几乎任何应用中代替
普通的齐纳二极管具有更高的性能。有些理想
应用模拟到数字转换器，校准标
dards ，精密电压或电流源或精密
电源供应器。此外，在许多情况下， LM199可以重新
放置在现有的设备的引用以最小的
接线的变化。
该LM199系列器件封装在一个标准的她 -
metic TO- 46封装内部的热屏蔽。该LM199是
额定为-55℃至+ 125℃ ，而LM299是
额定工作温度-25℃ + 85℃和LM399是
评分从0℃到+ 70℃。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
保证0.0001 ％/℃的温度系数
低动态阻抗 - 0.5Ω
在击穿电压初始容差 - 2 ％
在400 μA夏普击穿
宽工作电流 - 500 μA 10 mA的
宽电源电压范围下稳定
保证低噪音
低功耗的稳定 - 300 mW的25℃
久经考验的可靠性，低应力的封装TO- 46
集成电路气密封装，对于低滞后
经过热循环。 33000000小时在T MTBF
A
=
+ 25°C （T
J
= +86C)
接线图
金属罐封装（ TO- 46 ）
00571714
顶视图
NS包装数H04D
订购信息
订单号
LM199AH
LM199AH/883
LM299H
LM399AH
LM399H
初始容差
环境温度
-50 ° C至+ 125°C
-50 ° C至+ 125°C
-25 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
包装标志
LM199AH
LM199AH/Q
LM299H
LM399AH
LM399H
传输媒界
500箱
20盘
500箱
500箱
500箱
NSC封装
H04A
H04A
H04A
H04A
H04A
±
2%
±
2%
±
2%
±
5%
±
5%
2005美国国家半导体公司
DS005717
www.national.com
LM199/LM299/LM399
绝对最大额定值
（注1 ）
规格为军用/航空产品不
包含在此数据表。请参考下面的可靠性
能力电气测试规范文件：
MNLM199A -X和SMD ＃ 5962-88561 。
温度稳定电压
LM199/LM299/LM399
反向击穿电流
正向电流
LM199/LM299/LM399
1毫安
40V
20毫安
参考衬底电压V
（RS） -
（注2 ）
工作温度范围
LM199
LM299
LM399
存储温度范围
焊接信息
TO-46封装（ 10秒）
40V
0.1V
-55 ° C至+ 125°C
-25 ° C至+ 85°C
-0C至+ 70°C
-55 ° C至+ 150°C
+300C
电气特性
（注3,6）
参数
反向击穿电压
反向击穿电压
更改与当前
反向动态阻抗
反向Btreakdown
温度COEF网络cient
RMS噪声
长期稳定性
温度稳定器
电源电流
温度稳定器
电源电压
预热时间至0.05 ％
最初的导通电流
V
S
= 30V ，T
A
= 25C
9≤V
S
≤40,
T
A
= + 25°C ， （注4 ）
3
140
200
3
140
200
美国证券交易委员会。
mA
I
R
= 1毫安
25C≤T
A
≤85C
0C≤T
A
≤+70C
10赫兹
≤
f
≤
10千赫
稳定， 22C≤T
A
≤28C,
1000个小时，我
R
= 1毫安
±
0.1%
T
A
= 25°C ，静止空气中，V
S
=30V
T
A
= 55C
9
8.5
22
14
28
40
9
40
V
8.5
15
mA
LM299
LM399
7
20
20
0.5
0.00003
1
0.0001
0.00003
7
20
0.0002
50
0.5
1.5
%/C
%/C
V
PPM
条件
民
0.5毫安
≤
I
R
≤
10毫安
0.5毫安
≤
I
R
≤
10毫安
6.8
LM299H
典型值
6.95
6
最大
7.1
9
民
6.6
LM399H
典型值
6.95
6
最大
7.3
12
V
mV
单位
电气特性
（注3,6）
参数
反向击穿电压
反向击穿电压
更改与当前
反向动态阻抗
反向击穿
温度COEF网络cient
RMS噪声
长期稳定性
温度稳定器
电源电流
温度稳定器
电源电压
预热时间至0.05 ％
最初的导通电流
V
S
= 30V ，T
A
= 25C
9≤V
S
≤40,
T
A
= + 25°C ， （注4 ）
3
140
200
3
140
200
美国证券交易委员会。
mA
I
R
= 1毫安
55C≤T
A
≤+85C
+85C≤T
A
≤+125C
0C≤T
A
≤+70C
10赫兹
≤
f
≤
10千赫
稳定， 22C≤T
A
≤28C,
1000个小时，我
R
= 1毫安
±
0.1%
T
A
= 25°C ，静止空气中，V
S
=30V
T
A
= 55C
9
8.5
22
14
28
40
9
40
V
8.5
15
mA
LM199A
LM399A
7
20
20
0.5
0.00002
0.0005
1
0.00005
0.0010
0.00003
7
20
0.0001
50
0.5
1.5
%/C
%/C
%/C
V
PPM
条件
民
0.5毫安
≤
I
R
≤
10毫安
0.5毫安
≤
I
R
≤
10毫安
6.8
LM199AH
典型值
6.95
6
最大
7.1
9
民
6.6
LM399AH
典型值
6.95
6
最大
7.3
12
V
mV
单位
www.national.com
2
LM199/LM299/LM399
电气特性
（注3,6）
（续）
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
注2 ：
基板电连接到所述温度稳定的负端子。可应用到的任一端子上的电压
引用40V更积极的或0.1V比基体更负。
注3 ：
这些规范适用于30V应用的温度稳定剂和-55C≤T
A
≤+125C
为LM199 ; -25C≤T
A
≤+85C
为LM299和
0C≤T
A
≤+70C
为LM399 。
注4 ：
这个初始电流可以通过添加适当的电阻器和电容器到加热器电路被减小。参见性能曲线图来
确定的值。
注5 ：
不要在TCE的聚砜的热屏蔽洗LM199 。
注6 ：
军事数据表可用于LM199AH / 833和LM199AH -SMD （贴片＃ 5962-88561 ）要求。
功能框图
LM199/LM299/LM399
00571715
3
www.national.com
LM199 / LM299 / LM399 / LM3999精密基准
1999年5月
LM199/LM299/LM399/LM3999
精密基准
概述
该LM199系列精密，温度稳定
单片式齐纳二极管提供温度系数的因素
10比高质量的参考齐纳管好。构建
一个单芯片上的温度稳定器电路
并积极参考齐纳。有源电路降低
齐纳到约0.5Ω和AL-动态阻抗
低点稳压超过0.5毫安工作到10 mA的电流
范围中的电压或温度基本上没有变化
系数。此外，一个新的次表面齐纳结构赋予
低噪音和出色的长期稳定性相比ordi-
进制单片齐纳二极管。该软件包是用热敏提供
MAL屏蔽，以减少加热功率，提高温度
TURE调节。
该LM199系列的引用是非常容易使用
和游离的，常常经历的或 - 存在的问题
dinary齐纳二极管。几乎没有滞后于参考
电压与温度循环。此外， LM199是自由的
电压的变化，由于应力的线索。最后，由于
单位是温度稳定，升温时间快。
在LM199可以用在几乎任何应用中代替
普通的齐纳二极管具有更高的性能。有些理想AP-
褶皱被模拟 - 数字转换器，校准标
dards ，精密电压或电流源或精密
电源供应器。此外，在许多情况下， LM199可以重新
放置在现有的设备的引用以最小的
接线的变化。
该LM199系列器件封装在一个标准的她 -
metic TO- 46封装内部的热屏蔽。该LM199是
额定为-55℃至+ 125℃ ，而LM299是
额定工作温度-25℃ + 85℃和LM399是
评分从0℃到+ 70℃。
的LM3999封装在一个标准的TO-92封装和
额定0℃至+ 70°C
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
保证0.0001 ％/℃的温度系数
低动态阻抗 - 0.5Ω
在击穿电压初始容差 - 2 ％
在400 μA夏普击穿
宽工作电流 - 500 μA 10 mA的
宽电源电压范围下稳定
保证低噪音
低功耗的稳定 - 300 mW的25℃
长期稳定性 - 20ppm的
久经考验的可靠性，低应力的封装TO- 46
集成电路气密封装，对于低滞后
经过热循环。 33000000小时在T MTBF
A
=
+ 25°C （T
J
= +86C)
n
认证的长期稳定性提供
n
MIL -STD- 883标准
连接图
金属罐封装（ TO- 46 ）
塑料包装TO- 92
DS005717-10
DS005717-14
顶视图
LM199 / LM299 / LM399 （见附表第4页）
NS包装数H04D
底部视图
LM3999 （见表四页）
NS包装数Z03A
1999美国国家半导体公司
DS005717
www.national.com
绝对最大额定值
（注1 ）
规格为军用/航空产品不
包含在此数据表。请参考下面的可靠性
能力电气测试规范文件：
RETS199X为LM199 ， RETS199AX为LM199A 。
温度稳定电压
LM199/LM299/LM399
LM3999
反向击穿电流
正向电流
LM199/LM299/LM399
LM3999
40V
36V
20毫安
1毫安
-0.1毫安
参考衬底电压V
（RS） -
（注2 ）
工作温度范围
LM199
LM299
LM399/LM3999
存储温度范围
焊接信息
TO- 92封装（ 10秒）
TO-46封装（ 10秒）
40V
0.1V
-55 ° C至+ 125°C
-25 ° C至+ 85°C
-0C至+ 70°C
-55 ° C至+ 150°C
+260C
+300C
电气特性
（注3,6）
参数
反向击穿电压
反向击穿电压
更改与当前
反向动态阻抗
反向击穿
温度COEF网络cient
I
R
= 1毫安
55C≤T
A
≤+85C
+85C≤T
A
≤+125C
25C≤T
A
≤85C
0C≤T
A
≤+70C
RMS噪声
长期稳定性
温度稳定器
电源电流
温度稳定器
电源电压
预热时间至0.05 ％
最初的导通电流
V
S
= 30V ，T
A
= 25C
9≤V
S
≤40,
T
A
= + 25°C ， （注4 ）
3
140
200
3
140
200
美国证券交易委员会。
mA
10赫兹
≤
f
≤
10千赫
稳定， 22C≤T
A
≤28C,
1000个小时，我
R
= 1毫安
±
0.1%
T
A
= 25°C ，静止空气中，V
S
= 30V
T
A
= 55C
9
LM199
LM299
LM399
7
20
8.5
22
14
28
40
9
40
V
20
0.5
0.00003
0.0005
0.00003
1
0.0001
0.0015
0.0001
0.00003
7
20
8.5
15
0.0002
50
0.5
1.5
%/C
%/C
%/C
%/C
V
PPM
mA
条件
0.5毫安
≤
I
R
≤
10毫安
0.5毫安
≤
I
R
≤
10毫安
6.8
LM199H/LM299H
民
典型值
6.95
6
最大
7.1
9
民
6.6
LM399H
典型值
6.95
6
最大
7.3
12
V
mV
单位
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
电气特性
（注3）
参数
反向击穿电压
反向击穿电压
更改与当前
反向动态阻抗
反向击穿
温度COEF网络cient
RMS噪声
长期稳定性
温度稳定器
温度稳定器
电源电压
预热时间至0.05 ％
V
S
= 30V ，T
A
= 25C
3
条件
民
0.6毫安
≤
I
R
≤
10毫安
0.6毫安
≤
I
R
≤
10毫安
I
R
= 1毫安
0C
≤
T
A
≤
70C
10赫兹
≤
f
≤
10千赫
稳定，22C
≤
T
A
≤
28C,
1000个小时，我
R
= 1毫安
±
0.1%
T
A
= 25°C ，静止空气中，V
S
= 30V
6.6
LM3999Z
典型值
6.95
6
0.6
0.0002
7
20
12
18
36
5
最大
7.3
20
2.2
0.0005
单位
V
mV
%/C
V
PPM
mA
V
美国证券交易委员会。
www.national.com
电气特性
（注3）
参数
最初的导通电流
（续）
LM3999Z
民
典型值
140
最大
200
mA
单位
条件
9
≤
V
S
≤
40, T
A
= 25C
电气特性
（注3,6）
参数
反向击穿电压
反向击穿电压
更改与当前
反向动态阻抗
反向击穿
温度COEF网络cient
I
R
= 1毫安
55C≤T
A
≤+85C
+85C≤T
A
≤+125C
25C≤T
A
≤85C
0C≤T
A
≤+70C
RMS噪声
长期稳定性
温度稳定器
电源电流
温度稳定器
电源电压
预热时间至0.05 ％
最初的导通电流
V
S
= 30V ，T
A
= 25C
9≤V
S
≤40,
T
A
= + 25°C ， （注4 ）
3
140
200
3
140
200
美国证券交易委员会。
mA
10赫兹
≤
f
≤
10千赫
稳定， 22C≤T
A
≤28C,
1000个小时，我
R
= 1毫安
±
0.1%
T
A
= 25°C ，静止空气中，V
S
= 30V
T
A
= 55C
9
LM199A
LM299A
LM399A
7
20
8.5
22
14
28
40
9
40
V
20
0.5
0.00002
0.0005
0.00002
1
0.00005
0.0010
0.00005
0.00003
7
20
8.5
15
0.0001
50
0.5
1.5
%/C
%/C
%/C
%/C
V
PPM
mA
条件
0.5毫安
≤
I
R
≤
10毫安
0.5毫安
≤
I
R
≤
10毫安
LM199AH ， LM299AH
民
6.8
典型值
6.95
6
最大
7.1
9
民
6.6
LM399AH
典型值
6.95
6
最大
7.3
12
V
mV
单位
注2 ：
基板电连接到所述温度稳定的负端子。可以应用到为参考的任一接线端上的电压
ENCE是40V更积极的或0.1V比基体更负。
注3 ：
这些规范适用于30V应用的温度稳定剂和-55C≤T
A
≤+125C
为LM199 ; -25C≤T
A
≤+85C
为LM299和
0C≤T
A
≤+70C
为LM399和LM3999 。
注4 ：
这个初始电流可以通过添加适当的电阻器和电容器到加热器电路被减小。参见性能曲线图，以DE-
termine值。
注5 ：
不要在TCE的聚砜的热屏蔽洗LM199 。
注6 ：
军事RETS电气测试规范可用于LM199H / 883 ， LM199AH / 883 ，和LM199AH -20的请求/ 883 。
订购信息
初始
公差
2%
5%
5%
LM399H
LM399AH
LM3999Z
Z03A
和饱和的标准单元，所以，任何一个偏差
组不会造成错误指示。的确，这compari-
子进程最近使用专门的自动化
这是定制设计的重新制备的计算机程序
拍摄对象噪声的数据（并且需要重复读取） ，和记录
5 7的最佳读数的平均值，就如同一个明智
标准的工程师将拒绝难以置信的读数。
为LM199AH -20的典型特性示BE-
低。这个电脑打印出每个参考的形式
稳定性是随单位。
LM299AH
LM299H
LM199AH ， LM199AH / 883
0 ° C至+ 70°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
NS
包
H04D
H04D
认证的长期漂移
美国国家半导体LM199AH - 20 ， LM299AH -20 ，
和LM399AH -50均采用超稳定的齐纳特意引用
从生产LM199AH ， LM299AH中选择运行，
LM399AH和试验，确认20的长期稳定性，
20 ，或50 ppm的每1000小时，分别该装置是
测定每168小时和每个设备的电压是
记录并比较了这样一种方式，来显示所述偏差
从它的初始值。各个测量是用一
的可能，最坏情况下的偏差
±
2 ppm时，相比于
参考电压，它是由若干组的衍生
NBS可追踪的参考，如LM199AH - 20的， 1N827的，
www.national.com
4
LM199/LM399
LM199A/LM399A
精密基准
DESCRIPTIO
U
稳定
(T
J
≈
90°C)
T
J
=
25°C
8
6
反向电流（mA ）
4
10
LM199 TA01b
特点
■
■
■
■
■
■
■
6.95V并联参考
保证为0.5ppm / ° C温度COEF网络cient
保证1Ω最大动态阻抗
保证20μV
RMS
最大噪声
2％的保证初始容差
宽工作电流范围
提供4引脚TO- 46金属
应用S
■
■
■
■
■
该LM199 / LM399精密并联型电压基准功能
在宽范围的电压的优异的温度稳定性
年龄，温度和工作电流的条件。一
稳定加热器被掺入的活性齐纳
单片衬底几乎消除了在变化
电压与温度。地下齐纳工作
过电流范围0.5毫安至10mA电流，并提供最小的
噪声和优异的长期稳定性。
理想的应用为LM199 / LM399包括数字电压
米，精密的校准设备，电流源
和其他各种精密低成本引用。 10V的
缓冲基准应用程序如下所示。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
精密基准电压万用表
校准设备电压标准
实验室测量设备
工业监控/控制仪表
高精度数据转换器
典型应用
15V
10V缓冲基准
9k
0.1%
8
反向电压变化（毫伏）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
7.5k
5%
LM399H
6.95V
3
20k
0.1%
–
4
2
LM199 TA01a
+
–
+
3
1
2
U
U
反向电压变化
7
6
10V
LT
1001
4
2
LM199399fb
1
LM199/LM399
LM199A/LM399A
绝对
（注1 ）
AXI ü RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
温度稳定.............................................. 40V
反向击穿电流................................... 20毫安
正向电流................................................ ....... 1毫安
参考衬底电压，V
RS
（注2 ） ........- 0.1V
工作温度范围
LM199/LM199A
（ OBSOLETE ）
............ -55 ° C至125°C
LM399 / LM399A ....................................... 0 ° C至70℃
存储温度范围
LM199/LM199A
（ OBSOLETE ）
............ -65℃ 150℃
LM399 / LM399A ................................. -65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
+
1
H
4
–
–
2
3
+
H封装
4引脚TO- 46金属
有热屏蔽
订购部件号
LM399H
LM399AH
LM199H
LM199AH
LM199AH-20
LM399AH-20
LM399AH-50
过时的
订购选项
卷带式：添加#TR
无铅：添加#PBF无铅卷带式：添加#TRPBF
无铅最热：
http://www.linear.com/leadfree/
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
电气特性
符号参数
V
Z
ΔV
Z
r
Z
ΔV
Z
ΔTemp
反向击穿电压
反向击穿电压变化
与当前
反向动态阻抗
温度COEF网络cient
LM199/LM399
条件
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 （注3）
LM199/LM199A
民
典型值
最大
●
●
LM399/LM399A
民
典型值
最大
6.75
6.95
6
0.5
7.3
12
1.5
单位
V
mV
Ω
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
V
0.5毫安≤我
R
= 10毫安
0.5毫安≤我
R
= 10毫安
6.8
6.95
6
0.5
0.3
5
0.2
5
7.1
9
1
1
15
I
R
= 1毫安（注6 ） （为10Hz ≤ F ≤ 100Hz的）
●
-55 ° C≤牛逼
A
≤ 85°C
85°C = T
A
≤ 125°C
0 ° C≤牛逼
A
≤ 70°C
-55 ° C≤牛逼
A
≤ 85°C
85°C = T
A
≤ 125°C
0 ° C≤牛逼
A
≤ 70°C
为10Hz ≤ F ≤ 10kHz的
稳定， 22 ° C≤牛逼
A
≤ 28°C,
1000个小时，我
R
=使用1mA± 0.1 ％
●
0.3
0.5
10
0.3
7
8
8.5
22
●
2
LM199A/LM399A
1
50
e
n
ΔV
Z
ΔTime
I
H
V
H
RMS噪声
长期稳定性
20
（注4 ）
14
28
40
9
7
8
8.5
（注4 ） PPM / √kH
15
40
mA
V
秒
200
mA
LM199399fb
温度稳定供电电流T
A
= 25°C ，静止空气中，V
H
= 30V
T
A
= -55°C （注5 ）
温度稳定电源电压
预热时间为± 0.05 ％V
Z
最初的导通电流
V
H
= 30V
9V ≤ V
H
≤ 40V （注5 ）
9
3
140
200
3
140
2
U
W
U
U
W W
W
LM199/LM399
LM199A/LM399A
电气特性
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
衬底被电连接到所述负极端子
的温度稳定剂。可以施加到电压或者
参考的终端40V更积极或0.1V大于负面
衬底上。
注3 ：
这些特定网络连接的阳离子申请30V施加到温度
稳定剂和-55 °C≤牛逼
A
≤ 125 ℃下进行的LM199 ; 0 ° C≤牛逼
A
≤ 70 ℃下进行
该LM399 。
注4 ：
用的最大保证长期稳定装置
在20ppm / √kH可用。随着时间的漂移减小。
注5 ：
这个初始电流可以通过添加适当的减小
电阻器和电容器到加热器电路。见典型性能
特征图来确定的值。
注6 ：
通过保证“反向击穿变化与电流。 ”
典型PERFOR一个CE特征
反向特性
100
100
10
动态阻抗（ Ω ）
反向电流（mA ）
输出（MV ）
1
T
J
= 25°C
0.1
稳定
(T
J
≈
90°C)
0.01
6.25
6.85
6.45
6.65
反向电压（ V）
7.05
LM199 G01
最初的加热器电流
250
初始加热器电流（毫安）
V
H
= 40V
80
200
加热器电流（毫安）
加热器电流（毫安）
60
120
100
80
60
V
H
= 20V
40
20
0
85
105
0
V
H
= 40V
2
4
6 8 10 12 14 16 18
时间（秒）
LM199 G06
150
100
50
0
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
TURN ON温度（℃ ）
LM199 G04
ü W
动态阻抗
1
稳定时间
V
H
= 15V
T
A
= 25°C
T
A
= –55°C
–1
0
10
稳定
(T
J
≈
90°C)
1
T
J
= 25°C
–3
–2
0.1
10
100
1k
10k
频率（Hz）
100k
LM199 G02
–4
0
4
12
16
8
加热器时间（秒）
20
LM199 G03
加热器电流
160
140
加热器电流
T
A
= 25°C
V
H
= 10V
40
V
H
= 20V
20
V
H
= 40V
0
25 45 65
–55 –35 –15 5
温度（℃）
V
H
= 30V
V
H
= 10V
V
H
= 30V
LM199 G05
LM199399fb
3
