P0120007P
250mW的功率砷化镓场效应管（无铅型）
■特点
·高达2.7 GHz频段
·超越+22 dBm的输出功率
·高达+ 41dBm输出IP3
高漏极效率
· 15dB增益的雪为2.1GHz
· SOT- 89表面贴装封装
低噪声系数
PIN号
1
2, 4
3
技术说明
住友电工
●功能
图
功能
输入/门
地
输出/漏极
4
1
数
器件
2
3
集装箱
7 “卷轴
防静电
袋
“订购
信息
部件号
P0120007P
KP027J
描述
砷化镓功率FET
2.11-2.17GHz
应用电路
1000
1
■应用
·无线通信系统
·蜂窝， PCS ， PHS ， W- CDMA ，WLAN
°说明
P0120007P是一种高性能的GaAs MESFET的收纳在
一个低成本的SOT- 89封装。我们最初开发
"pulse - doped"渠道结构，实现了低失真，
这导致高IP3 。的信道结构还实现了
极低的噪声系数。关于脉冲掺杂细节
FET沟道在我们的产品目录中描述。
金锡的利用芯片粘接实现了一个低而稳定
热阻。
在引线框架上镀有锡铋以
使器件无铅的。
SEI的悠久制造历史，培养高
器件的可靠性。 FET的估计的平均无故障时间较长
比15年在150℃ TJ 。你可以看到在细节
可靠性和质量保证。
“绝对
最大额定值（ @ T C = 25 ° C）
参数
符号
价值
单位
漏源电压
VDS
10
V
栅源电压
VGS
-4
V
漏电流
IDS
IDSS
---
RF输入功率
针
13
(*)
DBM
（连续）
功耗
Pt
2.1
W
(**)
结温
Tj
150
°C
储存温度
TSTG
- 40 + 150
°C
TC ：外壳温度。操作设备超过这些
值可能会造成永久性的损害。
（ * ）测量为2.1GHz与我们的测试夹具匹配IP3 。
（ ** ）推荐TJ下运行低于125°C 。
值
典型值。
---
---
---
---
---
24
Vds=8V
Ids=80mA
f=2.1GHz
15
---
---
41
38
ⅵELECTRICAL
产品规格（ @ T = 25 ° C）
参数
DC
饱和漏极电流
跨
夹断电压
栅源击穿电压
RF
热阻
频率
输出功率
@ 1分贝增益压缩
小信号增益
输出IP3
功率附加效率
符号
IDSS
gm
Vp
|Vgs0|
RTH
f
P1dB
G
IP3
η
添加
测试条件
VDS = 3V ， V G = 0V
VDS = 8V ，IDS =百毫安
VDS = 8V ，IDS = 10毫安
IGSO = - 10μA
通道案例
分钟。
---
90
- 3.0
3.0
---
马克斯。
300
---
- 1.7
---
60
2.7
---
---
---
---
单位
mA
mS
V
V
° C / W
GHz的
DBM
dB
DBM
%
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
2003-11
住友电气工业株式会社1 ，塔亚町，荣区， 244-8588日本
电话： + 81-45-853-7263传真： + 81-45-853-1291
电子信箱：
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
网站：
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-1-
P0120007P
250mW的功率砷化镓场效应管（无铅型）
Typical
特征
技术说明
住友电工
总功耗（ W）
4
3
2
功率降额曲线
漏极电流（mA ）
400
300
200
100
00
传输曲线
Vgs=0V
-0.5V
-1.0V
-1.5V
-2.0V
1
0
0
50
100
TC （ ℃）
150
200
2
4
VDS （ V）
6
8
负载拉移
特性（典型数据）
TC = 25°C ， VDS = 8V ，
Ids=100mA,
常见的来源，莫宁= 50
（校准器件引线）
1.0
0.6
0 .8
2 .0
6.0
3.0
4.0
5.0
90
1.2GHz
S21
4.0
2.0
2.4GHz
1.2GHz的S12
0
0.02
2.4GHz
0
0.04 0.06
10.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
2.4GHz
-4.
40
- .
-5.0
-0.2
-180
量表| S12 |
0
0
2.4GHz的1.2GHz的
S11
.4
-0
.0
-2
-0.8
1.2GHz
-1.0
- 0.
6
-1
35
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
2003-11
住友电气工业株式会社1 ，塔亚町，荣区， 244-8588日本
电话： + 81-45-853-7263传真： + 81-45-853-1291
电子信箱：
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
网站：
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-2-
- 3.
30
0
S22
量表| S21 |
45
5
-
-4
-10.0
10
0
0..
4
5
35
13
0.2
.
-90
P0120007P
250mW的功率砷化镓场效应管（无铅型）
TC = 25°C ， VDS = 8V ，
Ids=80mA,
常见的来源，莫宁= 50
（校准器件引线）
技术说明
住友电工
1.0
0 .8
2 .0
1.2GHz
5
1
13
3 .0
4 .0
5 .0
6.0
S21
4.0
2.4GHz
1.2GHz
S12
45
0 .6
1 0.0
2.0
量表| S12 |
-180
0
0.2
0.8
1.0
0
10.0
0.4
0.6
2.0
3.0
4.0
5.0
90
S11
4
- 0.
2.4GHz的S22
0
-2.
0
量表| S21 |
- 0.
1.2GHz
- 0.8
6
-1
35
IDS = 100毫安频率（ GHz）的S11 M股份公司
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
Ids=80mA
0.847
0.823
0.800
0.787
0.776
0.769
0.761
-1.0
S11Ang
-97.5
-112.3
-126.2
-139.5
-151.5
-162.7
-173.4
S11Ang
-97.3
-112.1
-126.1
-139.3
-151.4
-162.5
-173.3
S21 M股份公司
6.148
5.764
5.392
5.038
4.702
4.407
4.133
S21 M股份公司
6.188
5.802
5.428
5.071
4.734
4.437
4.159
频率（ GHz）的S11 M股份公司
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
0.846
0.821
0.798
0.785
0.774
0.766
0.759
[注意事项]
您可以从我们的网站下载S参数列表：
www.sei.co.jp/GaAsIC
/
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
2003-11
住友电气工业株式会社1 ，塔亚町，荣区， 244-8588日本
电话： + 81-45-853-7263传真： + 81-45-853-1291
电子信箱：
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
网站：
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-3-
-4.
.0
- 5.0
.
-0.2
1.2GHz
- .0
- 10 .0
- .
- 3.
0
0 ..4
0
0 .2
2.4GHz
0.02
0.04
0.06
2.4GHz
5
45
-4
-90
S21昂
107.5
97.0
87.0
77.6
68.6
60.2
52.3
S21昂
107.5
97.0
87.1
77.6
68.7
60.3
52.3
S12 M股份公司
0.038
0.041
0.043
0.045
0.046
0.046
0.047
S12 M股份公司
0.040
0.043
0.045
0.047
0.048
0.049
0.050
S12昂
36.0
28.8
21.9
15.6
9.7
4.1
-1.6
S12昂
35.7
28.5
21.4
15.1
9.1
3.5
-2.3
S22 M股份公司
0.555
0.534
0.513
0.495
0.474
0.458
0.433
S22 M股份公司
0.547
0.525
0.503
0.484
0.463
0.446
0.421
S22昂
-41.6
-47.6
-53.8
-59.4
-65.1
-70.5
-76.0
S22昂
-42.5
-48.6
-54.9
-60.6
-66.4
-71.8
-77.3
P0120007P
250mW的功率砷化镓场效应管（无铅型）
Ids=100mA
80
60
40
20
噘
（ dBm的）
增益（dB ）
IM3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
IM3/Pout
（ DBC）
ηadd
(%)
0
-20
-40
-60
-80
-100
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
IM3
IM3/Pout
噘
ηadd
收益
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
IM3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
IM3 /噘（ DBC）
ηadd
(%)
技术说明
住友电工
Ids=80mA
80
60
IP3
40
20
0
-20
-40
-60
-80
-100
-20
-15
-10
噘
收益
IP3
ηadd
IM3
IM3/Pout
-5
0
5
10
15
PIN （ DBM）
PIN （ DBM）
设备： P0120007P
频率： F1 = 2.1GHz的F2 = 2.101GHz
偏见： VDS = 8V ，IDS =百毫安
源匹配：马格0.68昂133.9 °
负载匹配：马格0.37昂91.1 °
设备： P0120007P
频率： F1 = 2.1GHz的F2 = 2.101GHz
偏见： VDS = 8V ，IDS = 80毫安
源匹配：马格0.68昂133.9 °
负载匹配：马格0.54昂77.8 °
[注意事项]
P
OUT
和
η
添加
由一个信号测量。
对于图中的数据之上，测定与匹配的IP3的负载阻抗。
Id=100mA
针
（ dBm的）
-15.0
-10.0
-5.0
0.0
5.0
10.0
针
（ dBm的）
-15.0
-10.0
-5.0
0.0
5.0
10.0
噘
（ dBm的）
1.2
6.3
11.4
16.4
21.4
25.1
噘
（ dBm的）
0.7
5.9
11.0
16.1
21.0
24.4
收益
（ dB）的
16.2
16.3
16.4
16.4
16.4
15.1
收益
（ dB）的
15.7
15.9
16.0
16.1
16.0
14.4
IM3
（ dBm的）
-68.1
-59.2
-47.5
-32.8
0.1
13.8
IM3
（ dBm的）
-67.8
-60.3
-48.9
-27.3
1.5
12.4
IM3/Pout
（ DBC）
-69.3
-65.5
-58.8
-49.2
-21.3
-11.3
IM3/Pout
（ DBC）
-68.5
-66.2
-59.8
-43.3
-19.5
-12.0
IP3
（ dBm的）
35.9
39.0
40.8
41.0
30.7
27.1
IP3
（ dBm的）
34.9
39.0
40.9
37.7
29.1
27.2
Id
（MA ）
97.8
95.3
91.7
88.2
85.1
93.3
Id
（MA ）
78.9
76.1
72.6
69.9
65.0
69.6
ηadd
(%)
0.2
0.5
1.8
6.0
19.8
41.9
ηadd
(%)
0.2
0.6
2.1
7.0
23.6
47.8
Id=80mA
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
2003-11
住友电气工业株式会社1 ，塔亚町，荣区， 244-8588日本
电话： + 81-45-853-7263传真： + 81-45-853-1291
电子信箱：
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
网站：
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-4-
P0120007P
250mW的功率砷化镓场效应管（无铅型）
TC = 25°C ， VDS = 8V ， IDS = 100mA时脚= -5dBm
[噘， Lstate ]
F = 2.1GHz的
Γ
噘
: 0.61∠ 92.7
来源： 0.65∠ 154.2
噘嘴最大： 13.7d家蚕
+j50
+j25
13.7
+j100
+j25
技术说明
住友电工
[IP3-Lstate]
F1 = 2.1GHz的
F2 = 2.101GHz
Γ
IP 3
: 0.37∠ 91.1
来源： 0.68∠ 133.9
IP3最高： 40.4d家蚕
+j50
39.15
+j100
12.45
40.4
25
50
100
25
50
100
-j25
-j50
-j100
-j25
-j50
-j100
TC = 25°C ， VDS = 8V ， IDS = 80毫安，引脚= -5dBm
[噘， Lstate ]
F = 2.1GHz的
Γ
噘
: 0.63∠ 94.2
来源： 0.65∠ 154.2
噘嘴最大： 13.7d家蚕
+j50
+j25
13.7
+j100
+j25
40.55
[IP3-Lstate]
F1 = 2.1GHz的
F2 = 2.101GHz
Γ
IP 3
: 0.54∠ 77.8
来源： 0.68∠ 133.9
IP3最高： 40.55d家蚕
+j50
+j100
12.45
38.05
25
50
100
25
50
100
-j25
-j50
-j100
-j25
-j50
-j100
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
2003-11
住友电气工业株式会社1 ，塔亚町，荣区， 244-8588日本
电话： + 81-45-853-7263传真： + 81-45-853-1291
电子信箱：
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
网站：
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-5-
