KM681000B家庭
128K ×8位低功耗CMOS静态RAM
特点
初步
CMOS SRAM
概述
该KM681000B家庭是由三星先进的制造
CMOS工艺技术。该系列可支持各种
的工作温度范围和具有各种封装类型
系统设计的用户灵活性。该系列产品还支持低
数据保持电压，用于电池后备低操作
数据保持电流。
工艺技术： 0.6
§-
CMOS
组织： 128Kx8
电源电压： 5.0V单
10%
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： JEDEC标准
32 - DIP ， 32 - SOP ， 32 - TSOP I R / F
产品系列
功耗
产品
家庭
KM681000BL
KM681000BL-L
KM681000BLE
KM681000BLE-L
KM681000BLI
KM681000BLI-L
Industrial(-40~85
)
70/100ns
Extended(-25~85
)
70/100ns
操作
温度
速度
PKG型
待机
(I
SB1
，最大值）
100
§
20
§
100
§
50
§
100
§
50
§
70mA
操作
(I
CC2
)
Commercial(0~7
)
55/70ns
32-DIP,32-SOP
32 - TSOP I R / F
32-SOP
32 - TSOP I R / F
32-SOP
32 - TSOP I R / F
引脚说明
功能框图
A
0~3,
A
8~11
N.C
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
V
CC
A
15
CS
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
32-DIP
32-SOP
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CS
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP
I型 - 前进
OE
A
10
CS
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
V
SS
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
y解码器
X解码器
A
4~7,
A
12~16
CELL
ARRAY
控制逻辑
CS
1
， CS
2
WE
,
OE
I / O
1
~
8
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
CS
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
I / O缓冲器
32-TSOP
I型反转
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
CS
1
A
10
OE
名字
A
0
~A
16
WE
功能
地址输入
写使能输入
片选输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
地
无连接
CS
1
， CS
2
OE
I / O
1
-I / O
18
VCC
VSS
N.C
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
产品列表&订购信息
产品列表
商用产品温度
(0~70
)
部件名称
KM681000BLP-5
KM681000BLP-5L
KM681000BLP-7
KM681000BLP-7L
KM681000BLG-5
KM681000BLG-5L
KM681000BLG-7
KM681000BLG-7L
KM681000BLT-5
KM681000BLT-5L
KM681000BLT-7
KM681000BLT-7L
KM681000BLR-5
KM681000BLR-5L
KM681000BLR-7
KM681000BLR-7L
初步
CMOS SRAM
扩展温度产品
(-25~85
)
部件名称
KM681000BLGE-7
KM681000BLGE-7L
KM681000BLGE-10
KM681000BLGE-10L
KM681000BLTE-7
KM681000BLTE-7L
KM681000BLTE-10
KM681000BLTE-10L
KM681000BLRE-7
KM681000BLRE-7L
KM681000BLRE-10
KM681000BLRE-10L
工业温度产品
(-40~85
)
部件名称
KM681000BLGI-7
KM681000BLGI-7L
KM681000BLGI-10
KM681000BLGI-10L
KM681000BLTI-7
KM681000BLTI-7L
KM681000BLTI-10
KM681000BLTI-10L
KM681000BLRI-7
KM681000BLRI-7L
KM681000BLRI-10
KM681000BLRI-10L
功能
32-DIP,55ns,L-pwr
32-DIP,55ns,LL-pwr
32-DIP,70ns,L-pwr
32-DIP,70ns,LL-pwr
32-SOP,55ns,L-pwr
32-SOP,55ns,LL-pwr
32-SOP,70ns,L-pwr
32-SOP,70ns,LL-pwr
32 - TSOP楼55ns ， L- PWR
32 - TSOP楼55ns ， LL- PWR
32 - TSOP楼为70ns ， L- PWR
32 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR
32 TSOP R， 55ns ，L-压水堆
32 - TSOP R， 55ns ， LL- PWR
32 - TSOP R，为70ns ， L- PWR
32 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR
功能
32-SOP,70ns,L-pwr
32-SOP,70ns,LL-pwr
32-SOP,100ns,L-pwr
32-SOP,100ns,LL-pwr
32 - TSOP楼为70ns ， L- PWR
32 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR
32 - TSOP楼为100ns ， L- PWR
32 - TSOP楼为100ns ， LL- PWR
32 - TSOP R，为70ns ， L- PWR
32 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR
32 TSOP的R，为100ns ，L-压水堆
32 - TSOP R，为100ns ， LL- PWR
功能
32-SOP,70ns,L-pwr
32-SOP,70ns,LL-pwr
32-SOP,100ns,L-pwr
32-SOP,100ns,LL-pwr
32 - TSOP楼为70ns ， L- PWR
32 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR
32 - TSOP楼为100ns ， L- PWR
32 - TSOP楼为100ns ， LL- PWR
32 - TSOP R，为70ns ， L- PWR
32 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR
32 TSOP的R，为100ns ，L-压水堆
32 - TSOP R，为100ns ， LL- PWR
订购信息
KM6 8 ×1000 B X X X - XX X
L- Low低功耗，空白，低功率或高功率
访问时间： 5 = 55ns ， 7 =为70ns ， 10 = 100ns的
工作温度：空白= Commerial ， I =工业级，E =扩展，
封装类型： P- DIP ，G = SOP ， T = TSOP前进， R = TSOP反转
L-低功率或低低功耗，空白，大功率
模具版本： B = 3代
密度： 1000 =为1Mbit
银行= 5V ，V = 3.0 3.6V ， U = 2.7 3.3V
组织： 8 = X8
美国证券交易委员会的标准SRAM
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
绝对最大额定值
*
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
评级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
工作温度
T
A
-25到85
-40到85
焊接温度和时间
T
SOLDER
260
， 10秒（仅限铅）
单位
V
V
W
-
初步
CMOS SRAM
备注
-
-
-
-
KM681000BL/L-L
KM681000BLE/LE-L
KM681000BLI/LI-L
-
*应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个stres唯一的等级和功能操作
器件在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
*
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5***
典型**
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
* 1 ）商业产品：T已
A
= 0至70
除非另有规定
2 ）扩展产品：T已
A
= -25 85
除非另有规定
3 ）工业产品：T已
A
= -40 85
除非另有规定
** T
A
=25
*** V
IL
（分钟） = - 3.0V的
50ns的脉冲宽度
电容*
（ F = 1MHz的，T
A
=25
)
项
输入电容
输入/输出电容
*电容采样不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
Vin=0V
Vio=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
128K ×8位低功耗CMOS静态RAM
特点
初步
CMOS SRAM
概述
该KM681000B家庭是由三星先进的制造
CMOS工艺技术。该系列可支持各种
的工作温度范围和具有各种封装类型
系统设计的用户灵活性。该系列产品还支持低
数据保持电压，用于电池后备低操作
数据保持电流。
工艺技术： 0.6
§-
CMOS
组织： 128Kx8
电源电压： 5.0V单
10%
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： JEDEC标准
32 - DIP ， 32 - SOP ， 32 - TSOP I R / F
产品系列
功耗
产品
家庭
KM681000BL
KM681000BL-L
KM681000BLE
KM681000BLE-L
KM681000BLI
KM681000BLI-L
Industrial(-40~85
)
70/100ns
Extended(-25~85
)
70/100ns
操作
温度
速度
PKG型
待机
(I
SB1
，最大值）
100
§
20
§
100
§
50
§
100
§
50
§
70mA
操作
(I
CC2
)
Commercial(0~7
)
55/70ns
32-DIP,32-SOP
32 - TSOP I R / F
32-SOP
32 - TSOP I R / F
32-SOP
32 - TSOP I R / F
引脚说明
功能框图
A
0~3,
A
8~11
N.C
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
V
CC
A
15
CS
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
32-DIP
32-SOP
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CS
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP
I型 - 前进
OE
A
10
CS
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
V
SS
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
y解码器
X解码器
A
4~7,
A
12~16
CELL
ARRAY
控制逻辑
CS
1
， CS
2
WE
,
OE
I / O
1
~
8
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
CS
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
I / O缓冲器
32-TSOP
I型反转
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
CS
1
A
10
OE
名字
A
0
~A
16
WE
功能
地址输入
写使能输入
片选输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
地
无连接
CS
1
， CS
2
OE
I / O
1
-I / O
18
VCC
VSS
N.C
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
产品列表&订购信息
产品列表
商用产品温度
(0~70
)
部件名称
KM681000BLP-5
KM681000BLP-5L
KM681000BLP-7
KM681000BLP-7L
KM681000BLG-5
KM681000BLG-5L
KM681000BLG-7
KM681000BLG-7L
KM681000BLT-5
KM681000BLT-5L
KM681000BLT-7
KM681000BLT-7L
KM681000BLR-5
KM681000BLR-5L
KM681000BLR-7
KM681000BLR-7L
初步
CMOS SRAM
扩展温度产品
(-25~85
)
部件名称
KM681000BLGE-7
KM681000BLGE-7L
KM681000BLGE-10
KM681000BLGE-10L
KM681000BLTE-7
KM681000BLTE-7L
KM681000BLTE-10
KM681000BLTE-10L
KM681000BLRE-7
KM681000BLRE-7L
KM681000BLRE-10
KM681000BLRE-10L
工业温度产品
(-40~85
)
部件名称
KM681000BLGI-7
KM681000BLGI-7L
KM681000BLGI-10
KM681000BLGI-10L
KM681000BLTI-7
KM681000BLTI-7L
KM681000BLTI-10
KM681000BLTI-10L
KM681000BLRI-7
KM681000BLRI-7L
KM681000BLRI-10
KM681000BLRI-10L
功能
32-DIP,55ns,L-pwr
32-DIP,55ns,LL-pwr
32-DIP,70ns,L-pwr
32-DIP,70ns,LL-pwr
32-SOP,55ns,L-pwr
32-SOP,55ns,LL-pwr
32-SOP,70ns,L-pwr
32-SOP,70ns,LL-pwr
32 - TSOP楼55ns ， L- PWR
32 - TSOP楼55ns ， LL- PWR
32 - TSOP楼为70ns ， L- PWR
32 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR
32 TSOP R， 55ns ，L-压水堆
32 - TSOP R， 55ns ， LL- PWR
32 - TSOP R，为70ns ， L- PWR
32 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR
功能
32-SOP,70ns,L-pwr
32-SOP,70ns,LL-pwr
32-SOP,100ns,L-pwr
32-SOP,100ns,LL-pwr
32 - TSOP楼为70ns ， L- PWR
32 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR
32 - TSOP楼为100ns ， L- PWR
32 - TSOP楼为100ns ， LL- PWR
32 - TSOP R，为70ns ， L- PWR
32 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR
32 TSOP的R，为100ns ，L-压水堆
32 - TSOP R，为100ns ， LL- PWR
功能
32-SOP,70ns,L-pwr
32-SOP,70ns,LL-pwr
32-SOP,100ns,L-pwr
32-SOP,100ns,LL-pwr
32 - TSOP楼为70ns ， L- PWR
32 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR
32 - TSOP楼为100ns ， L- PWR
32 - TSOP楼为100ns ， LL- PWR
32 - TSOP R，为70ns ， L- PWR
32 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR
32 TSOP的R，为100ns ，L-压水堆
32 - TSOP R，为100ns ， LL- PWR
订购信息
KM6 8 ×1000 B X X X - XX X
L- Low低功耗，空白，低功率或高功率
访问时间： 5 = 55ns ， 7 =为70ns ， 10 = 100ns的
工作温度：空白= Commerial ， I =工业级，E =扩展，
封装类型： P- DIP ，G = SOP ， T = TSOP前进， R = TSOP反转
L-低功率或低低功耗，空白，大功率
模具版本： B = 3代
密度： 1000 =为1Mbit
银行= 5V ，V = 3.0 3.6V ， U = 2.7 3.3V
组织： 8 = X8
美国证券交易委员会的标准SRAM
修订版0.3
1996年4月
KM681000B家庭
绝对最大额定值
*
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
评级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
工作温度
T
A
-25到85
-40到85
焊接温度和时间
T
SOLDER
260
， 10秒（仅限铅）
单位
V
V
W
-
初步
CMOS SRAM
备注
-
-
-
-
KM681000BL/L-L
KM681000BLE/LE-L
KM681000BLI/LI-L
-
*应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个stres唯一的等级和功能操作
器件在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
*
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5***
典型**
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
* 1 ）商业产品：T已
A
= 0至70
除非另有规定
2 ）扩展产品：T已
A
= -25 85
除非另有规定
3 ）工业产品：T已
A
= -40 85
除非另有规定
** T
A
=25
*** V
IL
（分钟） = - 3.0V的
50ns的脉冲宽度
电容*
（ F = 1MHz的，T
A
=25
)
项
输入电容
输入/输出电容
*电容采样不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
Vin=0V
Vio=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
修订版0.3
1996年4月
