K9S2808V0M-SSB0
文档标题
16M ×8位的SmartMedia
TM
卡
修订历史
版本号
0.0
1.0
SmartMedia卡
TM
历史
首次发行。
1 ）变更吨
PROG
参数： 1毫秒（最大值）
→
500s(Max.)
2 ）更改吨
别尔斯
参数： 4ms的（最大）
→
3ms(Max.)
3 ）更改输入和输出时序电平0.8V和2.0V
→
1.5V
草案日期
1998年4月10日
1998年7月14日
备注
初步
最终科幻
1.1
1 ）变更吨
R
参数：为7μs （最大）
→
10s(Max.)
2 ）改变NOP ：10个周期（最大）
→
主阵列2个周期（最大）
备用阵列3个周期（最大）
3 ）增加了CE不要“的数据加载和读期间护理模式
t
1999年4月10日
最终科幻
1.2
1 ）修订的实时绘制出算法（参见技术说明）
2） SmartMedia卡更改电压密度模型标记方法
更改的设备名称
- SMFV016 -> K9S2808V0M ， SSB0
1999年6月30日
最终科幻
1.3
1999年9月15日
最终科幻
1.4
1.变更无效块（ S）发货之前标记的方法
2000年7月17日
- 物理格式标准规定，块状态被定义
第六字节中的备用区。
三星可以确保第一页
每一个无效块具有517列地址（ 4MB 00H数据
SmartMedia卡和高密度）或261 （ 2MB SmartMedia卡） 。
-->由SSFDC论坛物理格式标准规定的
无效块的备用区中的第6字节（列地址517为
4MB的SmartMedia和更高的密度， 261 2MB SmartMedia卡，
分别）含有两个或多个"0"的比特来表示一个无效块。
最终科幻
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9S2808V0M-SSB0
16M ×8位的SmartMedia
TM
卡
特点
单2.7V 3.6V电源
组织
- 存储单元阵列： （ 16M + 512K ）位x 8位
- 数据寄存器： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 16K + 512 ）字节
528字节页读操作
- 随机存取： 10μs的（最大）
- 串行页面访问：为50ns （最小值）
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100万编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
ID为版权保护
SmartMedia卡
TM
概述
该K9S2808V0M是16M （ 16777216 ） x8bit NAND闪存
内存备用512K （ 524,288 ） x8bit 。它的NAND单元亲
国际志愿组织的固态质量的最具成本效益的解决方案
存储市场。程序运行程序的528个字节
在典型的页面为200ps和擦除操作可以per-
形成典型的是16K字节的块为2ms 。在页数据
可在每字节50ns的周期时间被读出。在I / O引脚发球
作为用于地址和数据输入/输出端口以及的COM
命令的输入。芯片上的写控制器自动完成所有亲
克和擦除功能，包括脉冲重复，在那里
要求和内部验证和数据的裕度。即使是
写密集型系统可以利用的
K9S2808V0M的扩展1,000,000程序的可靠性/擦除
周期提供ECC （纠错码）与实时
映射出的算法。
该K9S2808V0M是大的非易失性的最佳解决方案
存储应用，如固态文件存储，数字
录音笔，数码相机等便携式应用
系统蒸发散需要非易失性。
SmartMedia卡
TM
CARD （ SSFDC ）
引脚说明
引脚名称
22 V
CC
21 CE
20 RE
19 R / B方
18 GND
17 V
CC
16 I / O
7
15 I / O
6
14 I / O
5
13 I / O
4
12 V
CC
11
1
12
22
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
SS
CLE
ALE
WE
WP
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
引脚功能
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
地
READY / BUSY输出
动力
地
无连接
I / O0 - I / O7
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
GND
R / B
ID 16MB
10 V
SS
11 V
SS
22 PAD
SmartMedia卡
TM
V
CC
V
SS
N.C
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
2
K9S2808V0M-SSB0
图1.功能框图
V
CC
V
SS
A
9
- A
23
X -缓冲器
锁存器
&解码器
Y型缓冲器
锁存器
&解码器
Y型GATING
下半场页面注册& S / A
128M + 4M位
NAND闪存
ARRAY
（ 512 + 16 ）字节x 32768
上半场页面注册& S / A
SmartMedia卡
TM
A
0
- A
7
A
8
命令
命令
注册
Y型GATING
I / O缓冲器&锁存器
V
CC
V
SS
I/0 0
I/0 7
CE
RE
WE
控制逻辑
&高压
发电机
全球缓冲区
产量
司机
CLE ALE WP
图2.阵列组织
1块= 32页
= （ 16K + 512 ）字节
32K网页
（ = 1024块）
上半场页寄存器
（ = 256字节）
下半场页寄存器
（ = 256字节）
第1页= 528字节
1块= 528 B ×32页
= （ 16K + 512 ）字节
1设备= 528B X 32Pages ×1024块
= 132兆位
8位
16个字节
512个字节
页寄存器
512个字节
I / O 0
第一个周期
第二个周期
第三轮
A
0
A
9
A
17
I / O 1
A
1
A
10
A
18
I / O 2
A
2
A
11
A
19
16个字节
I / O 3
A
3
A
12
A
20
I / O 0 I / O 7
I / O 4
A
4
A
13
A
21
I / O 5
A
5
A
14
A
22
I / O 6
A
6
A
15
A
23
I / O 7
A
7
A
16
*X
列地址
行地址
（页面地址）
记
：列地址：启动注册的地址。
00H命令（读） ：定义寄存器上半年的起始地址。
01H命令（读） ：定义寄存器下半年的起始地址。
* A
8
由00H或01H命令设置为"Low"或"High" 。
* X可以是高还是低。
3
K9S2808V0M-SSB0
产品介绍
SmartMedia卡
TM
该K9S2808V0M是由528列组织为32,768行（页）一个132Mbit （ 138412032位）内存。备用16列
位于从列地址为512 527阿528字节的数据寄存器连接到存储器单元阵列容纳数据
在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存之间的传输。存储器阵列由16的
该串联连接的电池单元以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。一个块由32对
一个NAND结构形成页，共16个单元的8488 NAND结构。阵列组织示于图2中。
程序和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。内存
阵列由1024个独立可擦除16K字节的块。它表明，逐位擦除操作被禁止的
K9S2808V0M.
该K9S2808V0M具有复用为8个I / O的地址。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统
升级到未来的密度维持在主板设计的一致性。命令，地址和数据都是通过写入
I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和地址
锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。所有命令都需要一个总线周期
除了块擦除命令，它需要两个周期：一个周期用于擦除设置和另一个块擦除后，执行
地址加载。在16M字节的物理空间需要24个地址，因此需要三个周期的字节级寻址：同事
UMN地址，低行地址和高的行地址，按照该顺序。页面读取和页编程需要同样的三个地址
以下周期所需的指令输入。在块擦除操作中，但是，仅在两个行地址周期被使用。设备
操作都是通过写入特定的命令到命令寄存器选择。表1定义的特定命令
K9S2808V0M.
表1.命令GNDTS
功能
阅读1
阅读2
读取ID
RESET
页编程
块擦除
阅读状态
1日。周期
00h/01h
(1)
50h
90h
FFH
80h
60h
70h
第2位。周期
-
-
-
-
10h
D0h
-
O
O
在繁忙接受命令
记
1. 00H命令定义启动寄存器上半年的地址。
该01H命令定义启动寄存器下半年的地址。
之后，由01H命令对寄存器的下半年数据存取，状态指针
自动移动到下一个周期的前半寄存器（ 00H ） 。
4
K9S2808V0M-SSB0
引脚说明
命令锁存使能（ CLE ）
SmartMedia卡
TM
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的路径激活。当高电平有效，命令锁存
入命令寄存器通过上WE信号的上升沿，在I / O端口。
地址锁存使能（ ALE ）
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址被锁存的上升沿
我们与ALE高。
芯片使能（ CE ）
行政长官输入设备选择控制。当CE变高的读出操作期间，设备将返回到待机模式。
然而，当设备处于忙状态期间的编程或擦除，CE高将被忽略，并且所述设备没有返回到
待机模式。
写使能（ WE）
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存，在WE脉冲的上升沿。
读使能（ RE ）
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的吨
REA
下降沿之后
RE的这也加一内部列地址计数器。
I / O端口： I / O 0 I / O 7
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I / O引脚浮到高阻
当芯片被释放或当输出被禁止。
写保护（ WP ）
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内置高压发生器复位时，
WP引脚为低电平有效。
就绪/忙（ R / B）
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或随机读操作是
在过程中和完成后返回高电平状态。这是一个开漏输出，不浮到高阻状态时，芯片
被取消或输出被禁止。
5
