OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
OneNAND闪存
TM
规范
密度
1Gb
2Gb
4Gb
产品型号
KFG1G16Q2M-DEB5
KFH2G16Q2M-DEB5
KFW4G16Q2M-DEB5
V
CC
（核心& IO）
1.8V(1.7V~1.95V)
1.8V(1.7V~1.95V)
1.8V(1.7V~1.95V)
温度
EXTENDED
EXTENDED
EXTENDED
PKG
63FBGA(LF)
63FBGA(LF)
63FBGA(LF)
版本：版本。 1.1
日期： 2005年7月20日
1
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
1.0
介绍
该规范包含了三星电子公司的OneNAND信息
，闪存产品系列。部分
1.0包括一个总体概述，修订历史记录，以及产品订购信息。
第2.0节描述了OneNAND闪存设备。第3.0节提供了有关设备操作的信息。电气规格
时序波形在第4.0 ，虽然6.0 。第7.0节提供了额外的应用程序和有关使用技术说明
的OneNAND闪存。包装尺寸被发现在第8.0节
信息在本文档提供有关三星产品，
并随时更改，恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可，
明示或暗示，被禁止的或其他方式，
任何知识产权权利三星的产品或技术。所有
信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或者类似用途
应用产品故障可能导致人身或人身伤害，或任何军事或损失
国防应用，或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。
MuxOneNAND
，是三星电子公司的注册商标，公司的其它名称及商标属于各自所有者的财产
他们的合法拥有者。
版权
2005年，三星电子公司，有限公司
2
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
1.1
OneNAND闪存
修订历史
文档标题
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
1.更正勘误表
2.修改缓存中读取流程图
3.修订待机电流
4.修改后备用区的描述
5.添加CE不在乎状态Asynch写，加载，程序和块
擦除时序图
1.更正勘误表
2.增加拷贝回程序运行用随机数据输入
3.主动挂起擦除电流
4.更改TBA从11ns的到11.5ns
草案日期
2004年10月26日
2004年12月7日
备注
初步
初步
0.2
2004年12月24日
初步
0.3
1.更正勘误表
2005年1月10日
2.修改ISB典型值从50uA的降至10uA
3.修订ISB从为100uA至50uA的最大值
4.修改后擦除电流TBD
5.修订TCE ， TAA和TACC的最大值从70ns的为76ns
6.修订的VCC- IO描述
7.修订备用区的描述
在控制器状态寄存器8.增加了额外的信息
9.增加了相关的命令来中断状态寄存器的位
在3.4.3章10.修写保护状态
11.修改后复制回程序操作说明
12.添加了额外的信息，多块擦除操作
13.禁用FBA限制在OTP操作
14.修正缓存中读取流程图
对DDP 15.新增ISB信息
16.修正复位参数说明
在热复位时序图17.添加RDY信息
18.增加了数据保护时间在掉电信息
19.修正中断引脚上升和下降的斜率曲线图
20.加限制的双重操作地址寄存器设置
21.加限制的高速缓存读操作地址寄存器设置
1.更正勘误表
2.更新DC参数的RMS值
3.增加QDP功能
产品编号4.增加速度信息
5.修订tOEZ描述
6.修订OTP寄存器的设置限制
7.新增流感样病例，劳工组织和QDP ISB信息
8.新增引导顺序Infrormation的技术说明
9.目标类添加信息
1.修改OTP负荷运行流程图
2005年2月25日
初步
0.4
初步
0.4.1
2005年3月2日
初步
3
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
修订历史
修订历史号
1.0
1.更正勘误表
2.增加了DFS限制多块擦除。
3.增加了数据保护流程。
4.删除缓存中读取操作。
5.增加了对命令寄存器的更多信息。
6.修正中断状态寄存器的信息。
7.新增INT引脚的原理图。
8.改变tPGM1到205 320us ， tPGM2到220 350us 。
9.修正ECC绕道说明
10.修订的AC / DC参数
11.修改后的参数复位和时序图。
1.更正勘误表
2.删除2.65V / 3.3V的设备描述。
3.修正后的数据保护流程图。
4.修改后无效块表创建流程图。
5.修正多块擦除说明
FL灰内存
草案日期
五月。 17，2005
备注
最终科幻
1.1
2005年7月20日
最终科幻
4
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
1.2
闪存产品类型选择
三星提供了各种闪存解决方案，包括NAND闪存， OneNAND闪存的
和NOR闪存。三星提供闪存产品
这两个组件和各种卡格式，包括RS - MMC ， MMC ， CF卡， SM卡和。
要确定哪个三星闪存产品解决方案最适合你的应用程序，请参阅该产品选择表。
应用程序需要
快速随机读取
快速的连续读
快写/编程
多块擦除
擦除挂起/恢复
回拷
锁定/解锁/锁定紧
ECC
可扩展性
三星闪存产品
NAND
OneNAND闪存
（最多64块）
（ EDC）的
外部（硬件/软件）
（ ECC ）
国内
X
NOR
1.3
订购信息
KF X XX16 Q 2米 - D E B 5
速度
5 ： 54MHz的
6 ： 66MHz的
产品线desinator
B：包括坏块
D：菊花样品
工作温度范围
E =扩展级温度。 （ -30
°C
85
°C)
包
D： FBGA （无铅）
VERSION
第一代
页面架构
2 ： 2KB页
三星
OneNAND闪存记忆
设备类型
G：单芯片
H：双芯片
W：四核芯片
密度
1G ：1GB
2G ：2GB
4G ：4GB
组织
X16组织
工作电压范围
问： 1.8V （ 1.7 V至1.95V ）
5
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
OneNAND闪存
TM
规范
密度
1Gb
2Gb
4Gb
产品型号
KFG1G16Q2M-DEB5
KFH2G16Q2M-DEB5
KFW4G16Q2M-DEB5
V
CC
（核心& IO）
1.8V(1.7V~1.95V)
1.8V(1.7V~1.95V)
1.8V(1.7V~1.95V)
温度
EXTENDED
EXTENDED
EXTENDED
PKG
63FBGA(LF)
63FBGA(LF)
63FBGA(LF)
版本：版本。 1.1
日期： 2005年7月20日
1
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
1.0
介绍
该规范包含了三星电子公司的OneNAND信息
，闪存产品系列。部分
1.0包括一个总体概述，修订历史记录，以及产品订购信息。
第2.0节描述了OneNAND闪存设备。第3.0节提供了有关设备操作的信息。电气规格
时序波形在第4.0 ，虽然6.0 。第7.0节提供了额外的应用程序和有关使用技术说明
的OneNAND闪存。包装尺寸被发现在第8.0节
信息在本文档提供有关三星产品，
并随时更改，恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可，
明示或暗示，被禁止的或其他方式，
任何知识产权权利三星的产品或技术。所有
信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息，请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持，重症监护，医疗，安全设备，或者类似用途
应用产品故障可能导致人身或人身伤害，或任何军事或损失
国防应用，或任何政府采购到特殊条款或规定可能适用。
MuxOneNAND
，是三星电子公司的注册商标，公司的其它名称及商标属于各自所有者的财产
他们的合法拥有者。
版权
2005年，三星电子公司，有限公司
2
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
1.1
OneNAND闪存
修订历史
文档标题
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
1.更正勘误表
2.修改缓存中读取流程图
3.修订待机电流
4.修改后备用区的描述
5.添加CE不在乎状态Asynch写，加载，程序和块
擦除时序图
1.更正勘误表
2.增加拷贝回程序运行用随机数据输入
3.主动挂起擦除电流
4.更改TBA从11ns的到11.5ns
草案日期
2004年10月26日
2004年12月7日
备注
初步
初步
0.2
2004年12月24日
初步
0.3
1.更正勘误表
2005年1月10日
2.修改ISB典型值从50uA的降至10uA
3.修订ISB从为100uA至50uA的最大值
4.修改后擦除电流TBD
5.修订TCE ， TAA和TACC的最大值从70ns的为76ns
6.修订的VCC- IO描述
7.修订备用区的描述
在控制器状态寄存器8.增加了额外的信息
9.增加了相关的命令来中断状态寄存器的位
在3.4.3章10.修写保护状态
11.修改后复制回程序操作说明
12.添加了额外的信息，多块擦除操作
13.禁用FBA限制在OTP操作
14.修正缓存中读取流程图
对DDP 15.新增ISB信息
16.修正复位参数说明
在热复位时序图17.添加RDY信息
18.增加了数据保护时间在掉电信息
19.修正中断引脚上升和下降的斜率曲线图
20.加限制的双重操作地址寄存器设置
21.加限制的高速缓存读操作地址寄存器设置
1.更正勘误表
2.更新DC参数的RMS值
3.增加QDP功能
产品编号4.增加速度信息
5.修订tOEZ描述
6.修订OTP寄存器的设置限制
7.新增流感样病例，劳工组织和QDP ISB信息
8.新增引导顺序Infrormation的技术说明
9.目标类添加信息
1.修改OTP负荷运行流程图
2005年2月25日
初步
0.4
初步
0.4.1
2005年3月2日
初步
3
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
修订历史
修订历史号
1.0
1.更正勘误表
2.增加了DFS限制多块擦除。
3.增加了数据保护流程。
4.删除缓存中读取操作。
5.增加了对命令寄存器的更多信息。
6.修正中断状态寄存器的信息。
7.新增INT引脚的原理图。
8.改变tPGM1到205 320us ， tPGM2到220 350us 。
9.修正ECC绕道说明
10.修订的AC / DC参数
11.修改后的参数复位和时序图。
1.更正勘误表
2.删除2.65V / 3.3V的设备描述。
3.修正后的数据保护流程图。
4.修改后无效块表创建流程图。
5.修正多块擦除说明
FL灰内存
草案日期
五月。 17，2005
备注
最终科幻
1.1
2005年7月20日
最终科幻
4
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
1.2
闪存产品类型选择
三星提供了各种闪存解决方案，包括NAND闪存， OneNAND闪存的
和NOR闪存。三星提供闪存产品
这两个组件和各种卡格式，包括RS - MMC ， MMC ， CF卡， SM卡和。
要确定哪个三星闪存产品解决方案最适合你的应用程序，请参阅该产品选择表。
应用程序需要
快速随机读取
快速的连续读
快写/编程
多块擦除
擦除挂起/恢复
回拷
锁定/解锁/锁定紧
ECC
可扩展性
三星闪存产品
NAND
OneNAND闪存
（最多64块）
（ EDC）的
外部（硬件/软件）
（ ECC ）
国内
X
NOR
1.3
订购信息
KF X XX16 Q 2米 - D E B 5
速度
5 ： 54MHz的
6 ： 66MHz的
产品线desinator
B：包括坏块
D：菊花样品
工作温度范围
E =扩展级温度。 （ -30
°C
85
°C)
包
D： FBGA （无铅）
VERSION
第一代
页面架构
2 ： 2KB页
三星
OneNAND闪存记忆
设备类型
G：单芯片
H：双芯片
W：四核芯片
密度
1G ：1GB
2G ：2GB
4G ：4GB
组织
X16组织
工作电压范围
问： 1.8V （ 1.7 V至1.95V ）
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