PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
K6R4016C1D
文档标题
256Kx16位高速静态RAM （ 5.0V工作） 。
工作在商用和工业温度范围。
CMOS SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
修订版0.1
修订版0.2
历史
最初的版本有初步。
第11页上的封装尺寸修改。
改变电流Icc ， ISB和ISB1
项
I
CC （商业）
10ns
12ns
15ns
10ns
12ns
15ns
前
90mA
80mA
70mA
115mA
100mA
85mA
30mA
10mA
当前
65mA
55mA
45mA
85mA
75mA
65mA
20mA
5mA
数据稿
九月。 7. 2001年
Septermber.28 。 2001年
2001年11月， 3 ，
备注
初步
初步
初步
I
CC （工业）
I
SB
I
SB1(Normal)
修订版0.3
1.正确的交流参数：读&写周期
2. Corrrect电源部分：删除"P ，工业，低Power"部分
3.删除数据保持特性
1.删除15ns的速度斌。
2.切换电流Icc工业模式。
项
10ns
I
CC （工业）
12ns
1.最终数据发布。
2.删除速度为12ns仓。
1.添加无铅封装类型。
2001年11月23日，
初步
修订版0.4
2001年12月18日，
前
85mA
75mA
当前
75mA
65mA
2002年7月， 09 ，
初步
1.0版
最终科幻
修订版2.0
六月。 20 ， 2003
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留到c的权利
焊割的
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版2.0
2003年6月
PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
K6R4016C1D
4Mb的异步。快速SRAM订购信息
组织。
1M ×4
产品型号
K6R4004C1D -J （K ）， C（ I） 10
K6R4004V1D -J （K ）， C（ I） 08/10
K6R4008C1D -J （K ， T，U ）C （ I） 10
512K X8
K6R4008V1D -J （K ， T，U ）C （ I） 08/10
K6R4016C1D -J （K ， T，U ， E） C（ I） 10
256K X16
K6R4016V1D -J （K ， T，U ， E） C（ I，L ， P） 08/10
Vdd的（V）的
5
3.3
5
3.3
5
3.3
速度快（纳秒）
10
8/10
10
8/10
10
8/10
PKG
记者： 32 SOJ
K： 32 SOJ （ LF ）
记者： 36 SOJ
K： 36 SOJ （ LF ）
T： 44 TSOP2
U： 44 TSOP2 （ LF ）
记者： 44 SOJ
K： 44 - SOJ （ LF ）
T： 44 TSOP2
U： 44 TSOP2 （ LF ）
E： 48 - TBGA
CMOS SRAM
温度。 &电源
C：商用温度
，正常功率范围
I：工业级温度
，正常功率范围
L：商用温度
低功率范围
P：工业级温度
低功率范围
-2-
修订版2.0
2003年6月
PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
K6R4016C1D
256K ×16位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间为10ns （最大）
低功耗
待机（ TTL ） ： （最大） 20毫安
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
操作K6R4016C1D - 10 ： 65毫安（最大）
单5.0V ±10
%
电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
数据字节控制： LB ： I / O1 I / O8 ， UB ： I / O9 I / O16
标准引脚配置
K6R4016C1D -J ： 44 SOJ -400
K6R4016C1D -K ： 44 SOJ -400 （无铅）
K6R4016C1D -T ： 44 TSOP2-400BF
K6R4016C1D -U ： 44 TSOP2-400BF （无铅）
K6R4016C1D -E ： 48 - TBGA 0.75球间距
（ 7× 9毫米）
工作在商用和工业温度范围。
CMOS SRAM
概述
该K6R4016C1D是4,194,304位高速静态随机
DOM访问内存（16位）组织为262,144字。
该K6R4016C1D使用16共同的输入和输出线和
已输出使能引脚，经营地址比快
在读周期访问时间。此外，它允许该下部和上部
由数据字节的控制（ UB ， LB）字节访问。该装置是fabri-
采用了三星先进的CMOS工艺cated和
专为高速电路技术。它特别好地
适合于高密度的高速系统应用中使用。
该K6R4016C1D封装在一个400mil 44引脚塑料SOJ
或TSOP （ II ）向前或48吨BGA 。
功能框图
CLK GEN 。
A
0
A
1
预充电电路
行选择
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
存储阵列
1024行
256 ×16列
数据
续。
数据
续。
将军
CLK
I / O电路&
列选择
A
10
A
11
A
1 2
A
13
A
14
A
15
A
16
A
1 7
WE
OE
UB
LB
CS
-3-
修订版2.0
2003年6月
PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
K6R4016C1D
引脚配置
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CS
I / O
1
I / O
2
I / O
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
CMOS SRAM
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
4 4 A
17
4 3 A
16
4 2 A
15
4 1 OE
4 0 UB
3 9 LB
3 8 I / O
16
3 7 I / O
15
3 6 I / O
14
D
VSS
I/O4
A17
A7
I/O12
VCC
C
I/O2
I/O3
A5
A6
I/O11
I/O10
B
I/O1
UB
A3
A4
CS
I/O9
A
LB
OE
A0
A1
A2
N.C
I / O
4
10
VCC 11
VSS 12
I / O
5
13
I / O
6
14
I / O
7
15
I / O
8
16
WE 17
A
5
18
A
6
19
A
7
20
A
8
21
A
9
22
SOJ /
TSOP2
3 5 I / O
13
3 4 VSS
3 3的Vcc
3 2 I / O
12
3 1 I / O
11
3 0 I / O
10
2月9日的I / O
9
2 8 N.C
2 7 A
14
2 6 A
13
2 5 A
12
2 4 A
11
2 3 A
10
H
N.C
A8
A9
A10
A11
N.C
G
I/O8
N.C
A12
A13
WE
I/O16
F
I/O7
I/O6
A14
A15
I/O14
I/O15
E
VCC
I/O5
N.C
A16
I/O13
VSS
48-TBGA
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
17
WE
CS
OE
LB
UB
I / O
1
- I / O
16
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
低字节控制（I / O
1
-I / O
8
)
上个字节的控制（ I / O
9
-I / O
16
)
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
-4-
修订版2.0
2003年6月
PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
K6R4016C1D
建议的直流工作条件*
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5**
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5***
0.8
单位
V
V
V
V
CMOS SRAM
*以上参数也保证在工业级温度范围。
** V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA
.
*** V
IH
（MAX） = V
C C
+ 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
DC及经营特色*
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或O- E = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
I H
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
I H
F = 0MHz处， CS
≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
COM 。
IND 。
10ns
10ns
测试条件
民
-2
-2
-
-
-
-
-
2.4
最大
2
2
65
75
20
5
0.4
-
V
V
mA
单位
A
A
mA
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
*以上参数也保证在工业级温度范围。
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
典型值
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
-5-
修订版2.0
2003年6月
K6R4004C1D
文档标题
1Mx4位高速静态RAM （ 5.0V工作） 。
工作在商用和工业温度范围。
初步
CMOS SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
修订版0.1
历史
最初的版本有初步。
更改IC卡。 ISB和ISB1
项
I
CC （商业）
10ns
12ns
15ns
10ns
12ns
15ns
前
90mA
80mA
70mA
115mA
100mA
85mA
30mA
10mA
当前
65mA
55mA
45mA
85mA
75mA
65mA
20mA
5mA
数据稿
九月。 7. 2001年
3. 2001年11月
备注
初步
初步
I
CC （工业）
I
SB
I
SB1
修订版0.2
1.正确的交流参数：读&写周期毫安
2.删除低版本。
3.删除数据保持特性
1.删除15ns的速度斌。
2.切换电流Icc工业模式。
项
10ns
I
CC （工业）
12ns
3. 2001年11月
初步
修订版0.3
前
85mA
75mA
当前
75mA
65mA
月， 2001年18
初步
1.0版
1.最终数据发布。
2.删除速度为12ns仓。
3.删除UB ， LB releated的交流特性和时序图。
4.正确的读周期时间波形（ 2 ） 。
1.添加无铅封装类型。
2002年7月， 09 ，
最终科幻
修订版2.0
七月。 26，2004
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版2.0
2004年7月
K6R4004C1D
4Mb的异步。快速SRAM订购信息
组织。
1M ×4
K6R4004V1D -J （K ）， C（ I） 08/10
K6R4008C1D -J （K ， T，U ）C （ I） 10
512K X8
K6R4008V1D -J （K ， T，U ）C （ I） 08/10
K6R4016C1D -J （K ， T，U ， E） C（ I） 10
256K X16
K6R4016V1D -J （K ， T，U ， E） C（ I，L ， P） 08/10
3.3
5
3.3
8/10
10
8/10
3.3
5
8/10
10
产品型号
K6R4004C1D -J （K ）， C（ I） 10
Vdd的（V）的
5
速度快（纳秒）
10
PKG
记者： 32 SOJ
K： 32 SOJ （ LF ）
初步
CMOS SRAM
温度。 &电源
C：商用温度
，正常功率范围
I：工业级温度
记者： 36 SOJ
K： 36 SOJ （ LF ）
，正常功率范围
T： 44 TSOP2
L：商用温度
U： 44 TSOP2 （ LF ）
低功率范围
P：工业级温度
记者： 44 SOJ
低功率范围
K： 44 - SOJ （ LF ）
T： 44 TSOP2
U： 44 TSOP2 （ LF ）
E： 48 - TBGA
-2-
修订版2.0
2004年7月
K6R4004C1D
1M ×4位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间为10ns （最大）
低功耗
待机（ TTL ） ： （最大） 20毫安
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
操作K6R4004C1D - 10 ： 65毫安（最大）
单5.0V ± 10
%
电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置
K6R4004C1D -J ： 32 SOJ -400
K6R4004C1D -K ： 32 SOJ -400 （无铅）
工作在商用和工业温度范围。
初步
CMOS SRAM
概述
该K6R4004C1D是4,194,304位高速静态随机
存取存储器由4位组织为1,048,576字。该
K6R4004C1D使用4个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该K6R4004C1D打包
在400万的32引脚塑料SOJ 。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
功能框图
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
I / O
1
-I / O
4
I / O
1
VCC
VSS
26 I / O
4
SOJ
25
24
VSS
VCC
预充电电路
I / O
2
WE
A
5
23 I / O
3
22
21
20
19
18
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行选择
A
6
存储阵列
1024行
1024 ×4列
A
7
A
8
A
9
17 N.C
数据
续。
CLK
将军
A
10
I / O电路
列选择
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
19
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
4
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
A
12
A
14
A
16
A
18
A
11
A
13
A
15
A
17
A
19
CS
WE
OE
-3-
修订版2.0
2004年7月
K6R4004C1D
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5到V
CC+
0.5
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
初步
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件*
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
*以上参数也保证在工业级温度范围。
**
V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
***
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA.
DC及经营特色*
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
COM 。
IND 。
10ns
10ns
测试条件
民
-2
-2
-
-
-
-
-
2.4
最大
2
2
65
75
20
5
0.4
-
V
V
单位
A
A
I
CC
I
SB
mA
mA
待机电流
输出低电压电平
输出高电压电平
I
SB1
V
OL
V
OH
*以上参数也保证在工业级温度范围。
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
典型值
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
-4-
修订版2.0
2004年7月
