【半导体技术参数概述这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优】,IC型号KF5N50D,KF5N50D PDF资料,KF5N50D经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13751165337

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第16页 > KF5N50D

半导体

技术参数

概述

这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速

开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良

雪崩特性。它主要适用于电子镇流器和

开关模式电源。

特点

V

DSS

= 500V ，我

D

= 4.3A

·漏源

导通电阻，R

DS （ ON）

= 1.4Ω （最大） @V

GS

= 10V

·QG （典型值）

= 12NC

H

G

F

F

KF5N50D/DZ

N沟道MOS场

场效应晶体管

A

C

K

D

L

B

J

E

N

M

DIM毫米

_

A

6.60 + 0.20

_

6.10 + 0.20

B

_

5.34 + 0.30

C

_

D

0.70 + 0.20

_

E

2.70 + 0.15

_

2.30 + 0.10

F

0.96 MAX

G

0.90最大

H

_

1.80 + 0.20

J

_

2.30 + 0.10

K

_

0.50 + 0.10

L

_

M

0.50 + 0.10

0.70分钟

N

最大额定值（ TC = 25 ℃ ）

特征

漏源电压

栅源电压

@T

C

=25℃

漏电流

@T

C

=100℃

脉冲（注1）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

重复性雪崩能量

（注1 ）

峰值二极管恢复的dv / dt

（注3）

耗电

耗散

Tc=25℃

减免上述25 °

T

j

T

英镑

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DP

E

AS

E

AR

dv / dt的

P

D

等级

500

±30

4.3

2.7

13

270

8.6

20

59.5

0.48

150

-55½150

mJ

mJ

V / ns的

W

W/℃

℃

℃

A

单位

V

V

1

2

3

1.门

2.漏

3.源

DPAK （1）

最高结温

存储温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结点到

环境

R

thJC

R

thJA

2.1

110

℃/W

℃/W

引脚连接

(KF5N50D)

D

(KF5N50DZ)

D

G

G

S

S

2008. 12. 3

版本号： 1

1/6

KF5N50D/DZ

电气特性（TC = 25⊥ ）

特征

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

STATIC

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

排水截止电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

I

DSS

V

th

I

GSS

R

DS （ ON）

I

D

=250 , V

GS

=0V

I

D

= 250 ，参考25 ℃

V

DS

=500V, V

GS

=0V,

V

DS

=V

GS

, I

D

=250

KF5N50D

KF5N50DZ

V

GS

=±30V, V

DS

=0V

V

GS

=±25V, V

DS

=0V

500

-

-

2.0

-

-

-

-

0.55

-

-

-

-

1.10

-

-

10

4.0

±100

±10

1.4

V

V/℃

V

nA

V

GS

= 10V ，我

D

=2.5A

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管评级

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

S

I

SP

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

＆ LT ; V

th

I

S

= 5A ，V

GS

=0V

I

S

= 5A ，V

GS

=0V,

dIs/dt=100A/

-

-

-

-

-

-

-

-

300

3.1

5

A

20

1.4

-

-

V

ns

μ

C

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

KF5N50D

KF5N50DZ

V

DS

=25V, V

GS

=0V,

f=1.0MHz

V

DD

=250V

R

L

=50

R

G

=25

(Note4,5)

-

V

DS

= 400V ，我

D

=5A

V

GS

=10V

(Note4,5)

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

12

3.4

4.5

23

17

40

13

510

440

69

6

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

pF

ns

nC

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1.0MHz的

注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。

注2 ） L = 19.5mH ，我

S

= 5A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

j

=25℃.

注3 ）I

S

≤5A,

DI / dt≤100A / ，V

DD

ΔBV

DSS

，起始物为

j

=25℃.

注4 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤300,

值班cycle≤2 ％。

注5 ）基本上是独立的工作温度。

记号

1

1

KF5N50

801

D

2

KF5N50

801

DZ

2

1

产品名称

2

批号

2008. 12. 3

版本号： 1

2/6

KF5N50D/DZ

Fig1 。我

D

- V

DS

100

V

DS

=30V

Fig2 。我

D

- V

GS

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

V

GS

=10V

10

1

10

V

GS

=7V

T

C

=100

C

1

V

GS

=5V

10

0

25

C

0.1

0.1

1

10

100

10

-1

2

4

6

8

10

漏 - 源极电压V

DS

(V)

栅 - 源电压V

GS

(V)

Fig3 。 BV

DSS

- TJ

归一化的击穿电压BV

DSS

1.2

V

GS

= 0V

I

DS

= 250

图四。

DS （ ON）

- I

D

3.0

ON - 电阻r

DS （ ON）

()

2.5

2.0

1.5

V

GS

=10V

V

GS

=6V

1.1

1.0

1.0

0.5

0

0

0.9

0.8

-100

-50

0

50

100

150

2

4

6

8

10

12

结温Tj （ C）

漏电流I

D

(A)

Fig5 。我

S

- V

SD

10

2

Fig6 。

DS （ ON）

- TJ

3.0

V

GS

=10V

I

DS

= 2.5A

反向漏电流I

S

(A)

归一化导通电阻

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

10

1

T

C

=100

C

25

C

10

0

10

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

0.0

-100

-50

0

50

100

150

源 - 漏极电压V

SD

(V)

结温Tj （ C）

2008. 12. 3

版本号： 1

3/6

KF5N50D/DZ

图7. - V

DS

1000

12

I

D

=5A

Fig8 。 Qg- V

GS

栅 - 源电压V

GS

(V)

西塞

10

8

6

4

2

0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

V

DS

= 400V

V

DS

= 250V

V

DS

= 100V

电容（pF）

100

科斯

10

CRSS

1

0

5

10

15

20

25

30

35

40

漏 - 源极电压V

DS

(V)

门 - 电荷Qg （ NC）

Fig9 。安全工作区

10

2

操作在此

Fig10 。我

D

- T

j

6

5

（ KF5N50D ， KF5N50DZ ）

区由R限于

DS （ ON）

10s

100s

漏极电流ID （ A）

10

1

漏电流I

D

(A)

4

3

2

1

0

0

25

50

75

100

125

150

10

0

1ms

10ms

10

-1

TC = 25℃

TJ = 150℃

2

单脉冲

100ms

DC

10

0

10

10

1

10

2

10

3

漏 - 源极电压V

DS

(V)

结温Tj （

C

)

Fig11 。瞬态热响应曲线

瞬态热阻

Duty=0.5

10

0

0.2

0.1

0.05

10

-1

0.02

0.01

P

e

ULS

P

DM

t

1

t

2

GLE

罪

10

-2

10

-5

- 占空比，D = T

1

/t

2

T

J（下最大）

- T

c

- R

thJC

=

P

D

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

时间（秒）

2008. 12. 3

版本号： 1

4/6

KF5N50D/DZ

Fig12 。栅极电荷

VGS

快

恢复

二极管

10 V

ID

0.8 VDSS

1.0毫安

ID

Q

QGS

QGD

Qg

VGS

V

DS

Fig13 。单脉冲雪崩能量

1

EAS =

LI

AS2

2

BV

DSS

BV

DSS

- V

DD

BV

DSS

L

I

AS

50V

25

V

DS

10 V

VGS

I

D

(t)

V

DD

V

DS

(t)

时间

tp

Fig14 。阻性负载开关

V

DS

90%

RL

0.5 VDSS

25

VDS

10V

VGS

V

GS

10%

t

D（上）

t

on

tr

t

D（关闭）

tf

t

关闭

2008. 12. 3

版本号： 1

5/6

查看更多KF5N50DPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

聚芯优品（深圳）控股集团有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

电话：0755-28458422

联系人：max

地址：深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD双子塔.西塔3903B

KF5N50D

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

KF5N50D

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市鹏顺兴科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

电话：0755-23063133/23042311

联系人：谭小姐

地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

KF5N50D

-

-

-

-

终端采购配单精选

HECC GROUP CO，LIMITED

QQ：

点击这里给我发消息

电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890

联系人：Sante Zhang/Mollie

地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

KF5N50D

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

电话：0755-83209937

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

KF5N50D

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

查询更多KF5N50D供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计