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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第2页 > KA5Q1265RF
www.fairchildsemi.com
KA5Q-SERIES
KA5Q0765RT/KA5Q12656RT/KA5Q1265RF/
KA5Q1565RF
飞兆功率开关（ FPS ）
特点
准谐振转换器控制器
为待机模式，内部突发模式控制器
逐个脉冲电流限制
过电流保护锁
过电压保护（VSYNC ：最小11V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
自动重启动模式
描述
飞兆半导体的功率开关（FPS ）产品系列是专
专为离线SMPS具有最少的外部
组件。飞兆半导体的功率开关（FPS ）由高
电源电压值SenseFET和电流模式PWM控制器IC 。
PWM控制器具有集成固定振荡器，
欠压锁定，前沿消隐，优化的栅极导通/
关断驱动器，热关断保护，过电压
保护，温度补偿精密电流源
用于回路补偿和故障保护电路。相比
分立式MOSFET和控制器或R
CC
开关转换器
解决方案中，飞兆功率开关（ FPS ）可以降低总
元件数量，设计尺寸和重量，并在同一时间
增加&效率，生产率和系统的可靠性。它有
一个基本平台非常适用于成本效益的设计准
谐振转换器为C -TV电源。
TO-220F-5L
TO-3PF-5L
1
1
1.漏2. GND 3. V
CC
4. FB 5.同步
内部框图
VCC
漏
3
+
-
32V
+
-
1%
11V上
12V关闭
突发模式
3.5V/1.25V
国内
BIAS
1
-
+
VREF
+
-
UVLO
15V/9V
-
+
S
Ro
罗恩
n
QB
ROF
ROFF
f
SYNC
5
普通模式
4.6V/2.6V
VREF
+
-
OSC
R
IFB
LEB
450ns
反馈
4
2.5R
R
-
+
IDELAY
1V
+
-
S
Q
OFFSET
+
7.5V
延迟
80ns
-
+
-
OLP
动力
on
RESET
OCL
热
关闭
上电复位
(VCC=6.5V)
+
-
RSENSE
1V
R
Q
S
R
SYNC
12V
2
来源
OVP
Rev.1.0.3
2003仙童半导体公司
KA5Q-SERIES
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
特征
KA5Q0765RT
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲电流Avalanch
(3)
（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
热阻
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SYNC
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
RthJC
650
±30
28
7.0
5.6
20(570)
40
-0.3到V
CC
-0.3至13
47
0.37
+160
-25至+85
-55到+150
2.7
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
° C / W
符号
价值
单位
KA5Q12656RT
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲Avalanch电流（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
热阻
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SYNC
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
RthJC
650
±30
48
12
8.4
30(950)
40
-0.3到V
CC
-0.3 -13
55
0.4
+160
-25至+85
-55到+150
2.5
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
° C / W
绝对最大额定值
（续）
2
KA5Q-SERIES
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
特征
符号
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SYNC
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
RthJC
价值
650
±30
48
12
8.4
33(950)
40
-0.3到V
CC
-0.3至13
95
0.76
+160
-25至+85
-55到+150
1.31
单位
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
° C / W
KA5Q1265RF
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲Avalanch电流（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
热阻
KA5Q1565RF
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲Avalanch电流（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
热阻
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SYNC
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
RthJC
650
±30
60
15
12.0
36(1050)
40
-0.3到V
CC
-0.3至13
98
0.78
+160
-25至+85
-55到+150
1.28
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
° C / W
注意：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 10MH ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27Ω ，开始TJ = 25°C
3， L = 13uH ，开始TJ = 25°C
3
KA5Q-SERIES
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS
（上）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=7.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=7.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
F = 1MHz的
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，V
GS
=0V
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(1)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=85°C
V
GS
= 10V ，我
D
=4.0A
分钟。
650
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
1.3
1110
105
50
25
55
80
50
57
9.3
29.3
马克斯。
-
200
300
1.6
-
-
-
-
-
-
-
74
-
-
nC
nS
pF
单位
V
A
A
KA5Q0765RT
漏源击穿电压
KA5Q12656RT/KA5Q1265RF
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(1)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=12.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=12.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=85°C
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
650
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.7
1820
185
32
38
120
200
100
60
10
30
-
200
300
0.9
-
-
-
-
-
-
-
78
-
-
nC
nS
pF
V
A
A
4
KA5Q-SERIES
绝对最大额定值（ SFET部分）
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
特征
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=85°C
V
GS
= 10V ，我
D
=7.3A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=14.6A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=14.6A,
V
DS
=0.8BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
分钟。
650
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.5
2580
270
50
50
155
270
125
90
15
45
马克斯。
-
200
300
0.65
-
-
-
-
-
-
-
117
-
-
nC
单位
V
A
A
W
pF
KA5Q1565RF
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
nS
5
www.fairchildsemi.com
KA5Q-SERIES
KA5Q0765RT/KA5Q12656RT/KA5Q1265RF/
KA5Q1565RF
飞兆功率开关（ FPS ）
特点
准谐振转换器控制器
为待机模式，内部突发模式控制器
逐个脉冲电流限制
过电流保护锁
过电压保护（VSYNC ：最小11V ）
内部热关断功能
欠压锁定
内部高压感FET
自动重启动模式
描述
飞兆半导体的功率开关（FPS ）产品系列是专
专为离线SMPS具有最少的外部
组件。飞兆半导体的功率开关（FPS ）由高
电源电压值SenseFET和电流模式PWM控制器IC 。
PWM控制器具有集成固定振荡器，
欠压锁定，前沿消隐，优化的栅极导通/
关断驱动器，热关断保护，过电压
保护，温度补偿精密电流源
用于回路补偿和故障保护电路。相比
分立式MOSFET和控制器或R
CC
开关转换器
解决方案中，飞兆功率开关（ FPS ）可以降低总
元件数量，设计尺寸和重量，并在同一时间
增加&效率，生产率和系统的可靠性。它有
一个基本平台非常适用于成本效益的设计准
谐振转换器为C -TV电源。
TO-220F-5L
TO-3PF-5L
1
1
1.漏2. GND 3. V
CC
4. FB 5.同步
内部框图
VCC
漏
3
+
-
32V
+
-
1%
11V上
12V关闭
突发模式
3.5V/1.25V
国内
BIAS
1
-
+
VREF
+
-
UVLO
15V/9V
-
+
S
Ro
罗恩
n
QB
ROF
ROFF
f
SYNC
5
普通模式
4.6V/2.6V
VREF
+
-
OSC
R
IFB
LEB
450ns
反馈
4
2.5R
R
-
+
IDELAY
1V
+
-
S
Q
OFFSET
+
7.5V
延迟
80ns
-
+
-
OLP
动力
on
RESET
OCL
热
关闭
上电复位
(VCC=6.5V)
+
-
RSENSE
1V
R
Q
S
R
SYNC
12V
2
来源
OVP
Rev.1.0.3
2003仙童半导体公司
KA5Q-SERIES
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
特征
KA5Q0765RT
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲电流Avalanch
(3)
（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
热阻
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SYNC
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
RthJC
650
±30
28
7.0
5.6
20(570)
40
-0.3到V
CC
-0.3至13
47
0.37
+160
-25至+85
-55到+150
2.7
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
° C / W
符号
价值
单位
KA5Q12656RT
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲Avalanch电流（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
热阻
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SYNC
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
RthJC
650
±30
48
12
8.4
30(950)
40
-0.3到V
CC
-0.3 -13
55
0.4
+160
-25至+85
-55到+150
2.5
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
° C / W
绝对最大额定值
（续）
2
KA5Q-SERIES
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
特征
符号
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SYNC
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
RthJC
价值
650
±30
48
12
8.4
33(950)
40
-0.3到V
CC
-0.3至13
95
0.76
+160
-25至+85
-55到+150
1.31
单位
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
° C / W
KA5Q1265RF
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲Avalanch电流（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
热阻
KA5Q1565RF
漏极 - 栅极电压（R
GS
=1M)
门源（ GND ）电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流（TC = 25 ° C）
连续漏电流（TC = 100 ° C）
单脉冲Avalanch电流（能源
(2)
)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
热阻
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
I
AS
(E
AS
)
V
CC ，最大
V
FB
V
SYNC
P
D
降额
T
J
T
A
T
英镑
RthJC
650
±30
60
15
12.0
36(1050)
40
-0.3到V
CC
-0.3至13
98
0.78
+160
-25至+85
-55到+150
1.28
V
V
ADC
ADC
ADC
A（兆焦耳）
V
V
V
W
W / ℃，
°C
°C
°C
° C / W
注意：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 10MH ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27Ω ，开始TJ = 25°C
3， L = 13uH ，开始TJ = 25°C
3
KA5Q-SERIES
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS
（上）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=7.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=7.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
F = 1MHz的
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，V
GS
=0V
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(1)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=85°C
V
GS
= 10V ，我
D
=4.0A
分钟。
650
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
1.3
1110
105
50
25
55
80
50
57
9.3
29.3
马克斯。
-
200
300
1.6
-
-
-
-
-
-
-
74
-
-
nC
nS
pF
单位
V
A
A
KA5Q0765RT
漏源击穿电压
KA5Q12656RT/KA5Q1265RF
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(1)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=12.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=12.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=85°C
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
650
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.7
1820
185
32
38
120
200
100
60
10
30
-
200
300
0.9
-
-
-
-
-
-
-
78
-
-
nC
nS
pF
V
A
A
4
KA5Q-SERIES
绝对最大额定值（ SFET部分）
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
特征
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=85°C
V
GS
= 10V ，我
D
=7.3A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=14.6A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=14.6A,
V
DS
=0.8BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
分钟。
650
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.5
2580
270
50
50
155
270
125
90
15
45
马克斯。
-
200
300
0.65
-
-
-
-
-
-
-
117
-
-
nC
单位
V
A
A
W
pF
KA5Q1565RF
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
nS
5
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推荐型号
KA3842A
KK25F40
KTK161
KVR100X72RC2/128
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KSB564AYTA_NL
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KBP06G
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K50420D1EB1S
KIC3210T-031
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KUHP-5A51-240
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