K4X56323PG - 7 （ 8 ）电子/ G
输入/输出功能说明
符号
CK ， CK
TYPE
输入
描述
移动DDR SDRAM
时钟： CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号进行采样的
渡CK和CK的下降沿的上升沿的。内部时钟信号从来自
CK / CK 。
时钟使能： CKE高激活，并且CKE低停用内部时钟信号和输入设备
缓冲器和输出驱动器。以CKE LOW提供预充电断电和自
刷新操作（所有银行闲置） ，或ACTIVE POWER- DOWN （行积极参与任何银行） 。 CKE是
同步的所有功能，除了禁止输出，这是异步实现。输入
缓冲区，不包括CK ， CK和CKE ，是在断电和自刷新模式，该模式将被禁用
做作的低待机功耗。
芯片选择： CS使（注册LOW ）和禁用（注册HIGH ）命令解码器。
当CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 CS为外部银行的选择
系统与多家银行。 CS被认为是命令代码的一部分。
命令输入： RAS ， CAS和WE （连同CS ）定义命令被输入。
输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。当DM采样输入数据被屏蔽
HIGH一起在写访问的输入数据。 DM进行采样DQS的两边。 DM
引脚包括虚拟负载在内部，以匹配DQ和DQS装载。对于X32 ， DM0
对应于DQ0 - DQ7数据; DM1对应于DQ8 - DQ15数据， DM2对应
到上DQ16 - DQ23数据， DM3对应于DQ24 - DQ31数据
银行ADDRES输入： BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或预充电
命令被应用。
地址输入：提供行地址为ACTIVE命令，列地址和AUTO
预充电位为读/写命令，以选择一个位置在所述存储器阵列的
各银行。 A10预充电命令周期内采样
确定是否预充电适用于一家银行（ A10 LOW）或所有银行（ A10 HIGH ） 。但愿
一家银行将被预充电，该行被选中BA0 ， BA1 。地址输入还提供了
一个模式寄存器设置命令在操作码。 BA0和BA1确定哪个模式寄存器
（模式寄存器或扩展模式寄存器）的模式寄存器设置命令时被加载。
数据输入/输出：数据总线
数据选通：输出与读出的数据，输入与写入数据。边沿对齐的读数据，集中在写
数据。它被用于获取写入数据。对于X32 ， DQS0对应于DQ0 - DQ7的数据; DQS1
对应于DQ8 - DQ15数据， DQS2对应于DQ16 - DQ23数据， DQS3 corre-
sponds对DQ24 - DQ31数据
无连接：无内部电气连接是否存在。
DQ电源： 1.7V至1.95V
DQ地面。
电源： 1.7V至1.95V
地面上。
CKE
输入
CS
输入
RAS ， CAS ， WE
DM0,DM1,
DM2,DM3
输入
输入
BA0 ， BA1
A [ N： 0 ]
输入
输入
DQ
DQS0,DQS1,
DQS2,DQS3
I / O
I / O
NC
VDDQ
VSSQ
VDD
VSS
-
供应
供应
供应
供应
2006年1月
