K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
NOR闪存
文档标题
64M位（ 8M ×8 / 4M ×16）双行NOR闪存
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
1.1
最初的草案
最终的特定网络阳离子
修订
- 从典型释放待机电流。 5UA （最大18uA ），以典型。
为10uA （最大为30uA ） 。
不支持48TSOP1套餐
不支持16M / 16M BANK分区
支持48TSOP1包
支持48TSOP1无铅封装
支持48FBGA含铅/无铅封装
草案日期
2002年1月10日
2002年5月22日
2003年6月18日
备注
初步
最终科幻
1.2
2003年11月18日
1.3
1.4
1.5
1.6
2004年7月22日
2004年9月16日
2005年3月16日
"Asynchronous模式可能不支持阅读以下四个连续的2006年9月8日
在200ns."无效的阅读条件添加
1
修订版1.6
2006年9月，
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
NOR闪存
64M位（ 8M ×8 / 4M ×16）双行NOR闪存
特点
单电压， 2.7V至3.6V的读取和写入操作
组织
8,388,608 ×8位（字节模式） / 4194304 ×16位（字模式）
快速读取访问时间： 70ns的
阅读虽然编程/擦除操作
双银结构
银行1 /银行2： 16兆/ 48MB
Secode （验证码）块：额外64K字节的块
功耗（典型值@ 5MHz的）
- 读电流： 14毫安
- 编程/擦除电流： 15毫安
- 阅读在写入或读出时擦除电流： 25毫安
- 待机模式/自动睡眠模式： 10μA
WP / ACC输入引脚
- 允许两个最外层的引导块在V特殊保护
IL
,
无论数据块保护状态
- 移除两个最外层的引导块在V特殊保护
IH ，
两个块恢复正常块保护状态
- 计划在V时
HH
：器件为9μs /字
擦除挂起/恢复
解锁绕道程序
硬件复位引脚
命令寄存器操作
块组保护/ unprotection的
支持常见的闪存接口
工业温度范围：-40 ° C至85°C
耐力：100,000编程/擦除周期最短
数据保存期：10年
包装： 48引脚TSOP1 ： 12 ×20 MM / 0.5毫米引脚间距
48球TBGA ： 6 ×9 mm / 0.8毫米球间距
48球FBGA ： 6 ×9 mm / 0.8毫米球间距
概述
该K8D6316U具有3.0V单电源供电，是一个64Mbit的
NOR型快闪记忆体组织为8Mx8或4M X16 。该
该设备的内存架构的设计来划分的
存储阵列到135块，由块进行保护
组。该模块结构提供高度灵活的擦除和
程序的能力。该K8D6316U NOR闪存由两
银行。此装置能够读取数据从一个存储
而编程或擦除在其他银行。访问时间
为70ns的， 80ns的和为90ns可用于该设备。该
设备的快速存取时间允许高速微处理器
操作无需等待。该设备执行程序
中的8位（字节）或16位（字）和擦除单元的操作
以块为单位。单个或多个块可以被擦除。该
块擦除操作通常是0.7秒内完成。该
设备需要15毫安的编程/擦除电流的标准
和工业温度范围。
该K8D6316U NOR闪存是使用采样为创建
宋的先进CMOS工艺技术。该装置是
可提供48引脚TSOP1和48球的TBGA ， FBGA封装。
该设备是使用EPROM应用到需要兼容
高密度和高性价比的非易失性读/写存储
的解决方案。
引脚说明
引脚名称
A0 - A21
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
DQ15数据输入/输出
A- 1 LSB地址
字/字节选择
芯片使能
OUTPUT ENABLE
硬件复位引脚
READY / BUSY输出
写使能
硬件写保护/程序
促进
电源
地
无连接
引脚配置
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE
RESET
A21
WP / ACC
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
VSS
CE
A0
DQ0 - DQ14
DQ15/A-1
字节
CE
OE
RESET
RY / BY
WE
WP / ACC
VCC
V
SS
N.C
48引脚TSOP1
标准型
12毫米X 20毫米
注意：
请参阅封装尺寸。
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.6
2006年9月，
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
订购信息
NOR闪存
K 8 6X 1 6单位的Tm - T I 0 7
三星
NOR闪存
设备类型
双行引导块
存取时间
07 = 70纳秒
08 = 80 ns的
09 = 90 ns的
工作温度范围
C =商用温度。 （ 0
°C
70
°C)
I =工业级温度。 （ -40
°C
85
°C)
包
P = 48TSOP1 （无铅）， Y = 48 TSOP1
D： FBGA （无铅）
F： FBGA
L： TBGA （无铅）
T： TBGA
VERSION
M =第1代
座建筑
T =热门引导块
B =底部引导块，
银行事业部
63 = 16Mbits + 48Mbits
组织
X8 / X16可选
工作电压范围
2.7V至3.6V
表1.产品线
产品型号
VCC
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
70ns
70ns
25ns
-7
-8
2.7V~3.6V
80ns
80ns
25ns
90ns
90ns
35ns
-9
表2. K8D6316U设备BANK区划
设备
产品型号
K8D6316U
银行1
兆
16兆位
块大小
8个8字节/ 4千字，
31 64千字节/ 32 K字
兆
48兆位
2银行
块大小
九十六
64字节/ 32 K字
4
修订版1.6
2006年9月，
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
FL灰内存
文档标题
64M位（ 8M ×8 / 4M ×16）双行NOR闪存
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
1.1
最初的草案
最终的特定网络阳离子
修订
- 从典型释放待机电流。 5UA （最大18uA ），以典型。
为10uA （最大为30uA ） 。
不支持48TSOP1套餐
不支持16M / 16M BANK分区
支持48TSOP1包
支持48TSOP1无铅封装
支持48FBGA含铅/无铅封装
草案日期
2002年1月10日
2002年5月22日
2003年6月18日
备注
初步
最终科幻
1.2
2003年11月18日
1.3
1.4
1.5
2004年7月22日
9月16日，
2004
2005年3月16日
1
修订版1.5
2005年3月
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
64M位（ 8M ×8 / 4M ×16）双行NOR闪存
特点
单电压， 2.7V至3.6V的读取和写入操作
组织
8,388,608 ×8位（字节模式） / 4194304 ×16位（字模式）
快速读取访问时间： 70ns的
阅读虽然编程/擦除操作
双银结构
银行1 /银行2： 16兆/ 48MB
Secode （验证码）块：额外64K字节的块
功耗（典型值@ 5MHz的）
- 读电流： 14毫安
- 编程/擦除电流： 15毫安
- 阅读在写入或读出时擦除电流： 25毫安
- 待机模式/自动睡眠模式： 10μA
WP / ACC输入引脚
- 允许两个最外层的引导块在V特殊保护
IL
,
无论数据块保护状态
- 移除两个最外层的引导块在V特殊保护
IH ，
两个块恢复正常块保护状态
- 计划在V时
HH
：器件为9μs /字
擦除挂起/恢复
解锁绕道程序
硬件复位引脚
命令寄存器操作
块组保护/ unprotection的
支持常见的闪存接口
工业温度范围：-40 ° C至85°C
耐力：100,000编程/擦除周期最短
数据保存期：10年
包装： 48引脚TSOP1 ： 12 ×20 MM / 0.5毫米引脚间距
48球TBGA ： 6 ×9 mm / 0.8毫米球间距
48球FBGA ： 6 ×9 mm / 0.8毫米球间距
FL灰内存
概述
该K8D6316U具有3.0V单电源供电，是一个64Mbit的
NOR型快闪记忆体组织为8Mx8或4M X16 。该
该设备的内存架构的设计来划分的
存储阵列到135块，由块进行保护
组。该模块结构提供高度灵活的擦除和
程序的能力。该K8D6316U NOR闪存由两
银行。此装置能够读取数据从一个存储
而编程或擦除在其他银行。访问时间
为70ns的， 80ns的和为90ns可用于该设备。该
设备的快速存取时间允许高速微处理器
操作无需等待。该设备执行程序
中的8位（字节）或16位（字）和擦除单元的操作
以块为单位。单个或多个块可以被擦除。该
块擦除操作通常是0.7秒内完成。该
设备需要15毫安的编程/擦除电流的标准
和工业温度范围。
该K8D6316U NOR闪存是使用采样为创建
宋的先进CMOS工艺技术。该装置是
可提供48引脚TSOP1和48球的TBGA ， FBGA封装。
该设备是使用EPROM应用到需要兼容
高密度和高性价比的非易失性读/写存储
的解决方案。
引脚说明
引脚名称
A0 - A21
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
DQ15数据输入/输出
A- 1 LSB地址
字/字节选择
芯片使能
OUTPUT ENABLE
硬件复位引脚
READY / BUSY输出
写使能
硬件写保护/程序
促进
电源
地
无连接
引脚配置
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE
RESET
A21
WP / ACC
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
VSS
CE
A0
DQ0 - DQ14
DQ15/A-1
字节
CE
OE
RESET
RY / BY
WE
WP / ACC
48引脚TSOP1
标准型
12毫米X 20毫米
注意：
请参阅封装尺寸。
VCC
V
SS
N.C
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.5
2005年3月
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
订购信息
FL灰内存
K 8 6X 1 6单位的Tm - T I 0 7
三星
NOR闪存
设备类型
双行引导块
存取时间
07 = 70纳秒
08 = 80 ns的
09 = 90 ns的
工作温度范围
C =商用温度。 （ 0
°C
70
°C)
I =工业级温度。 （ -40
°C
85
°C)
包
P = 48TSOP1 （无铅）， Y = 48 TSOP1
D： FBGA （无铅）
F： FBGA
L： TBGA （无铅）
T： TBGA
VERSION
M =第1代
座建筑
T =热门引导块
B =底部引导块，
银行事业部
63 = 16Mbits + 48Mbits
组织
X8 / X16可选
工作电压范围
2.7V至3.6V
表1.产品线
产品型号
VCC
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
70ns
70ns
25ns
-7
-8
2.7V~3.6V
80ns
80ns
25ns
90ns
90ns
35ns
-9
表2. K8D6316U设备BANK区划
设备
产品型号
K8D6316U
银行1
兆
16兆位
块大小
8个8字节/ 4千字，
31 64千字节/ 32 K字
兆
48兆位
2银行
块大小
九十六
64字节/ 32 K字
4
修订版1.5
2005年3月
