K6T8008C2M家庭
文档标题
1Mx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
最初的草案
敲定
- 采用新的编码系统。
- 提高V
IN
, V
OUT
最大。在绝对最大RATINGS'from
’
7.0V至V
CC
+0.5V.
- Icc的变化：从12至10mA
- 改变ICC1 ： 10 12毫安
草案日期
1999年6月22日
2000年2月29日
备注
ADVANCE
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备yourquestions 。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
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修订1.00
2000年2月
K6T8008C2M家庭
产品列表
商用产品温度（ 0 70 ° C）
部件名称
K6T8008C2M-TB55
K6T8008C2M-TB70
K6T8008C2M-RB55
K6T8008C2M-RB70
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ， 5.0V ， LL
44 TSOP2 -F ，为70ns ， 5.0V ， LL
44 TSOP2 -R ， 55ns ， 5.0V ， LL
44 TSOP2 -R ，为70ns ， 5.0V ， LL
CMOS SRAM
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K6T8008C2M-TF55
K6T8008C2M-TF70
K6T8008C2M-RF55
K6T8008C2M-RF70
功能
44 TSOP2 -F ， 55ns ， 5.0V ， LL
44 TSOP2 -F ，为70ns ， 5.0V ， LL
44 TSOP2 -R ， 55ns ， 5.0V ， LL
44 TSOP2 -R ，为70ns ， 5.0V ， LL
功能说明
CS
1
H
X
L
L
L
CS
2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
注：X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5到V
CC
+0.5V
-0.3 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
备注
-
-
-
-
K6T8008C2M-B
K6T8008C2M-F
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
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修订1.00
2000年2月
K6T8008C2M家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
产品
K6T8008C2M家庭
所有的家庭
K6T8008C2M家庭
K6T8008C2M家庭
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
CMOS SRAM
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0至70℃ ，另有规定。
工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，另有规定。
2.过冲： V
CC
+ 3.0V的情况下脉冲宽度的
≤30ns.
3.冲： -3.0V的情况下脉冲宽度的
≤30ns.
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH ，
CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
白细胞介素，
CS
2
=V
IH
我们= V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS
1
=V
IH
， CS
2
=V
IL
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的
K6T8008C2M-B
K6T8008C2M-F
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
10
12
70
0.4
-
3
50
80
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
4
修订1.00
2000年2月
