DESIG
新
D F或T ü T E
ENDE
ST我
MM
RECO
数据
LE SUB 6412
IB
OT
POSS
片
ISL
UCT ：
P OD
NS
ISL6414
2004年8月
FN9128.1
三路输出，低噪声LDO稳压器
集成了复位电路
该ISL6414是一个超低噪音的三路输出LDO稳压器
微处理器复位电路，并优化
供电的无线芯片组。该IC接收输入电压
范围为3.0V至3.6V ，并提供了三个稳压输出
电压： 1.8V （ LDO1 ） ， 2.84V （ LDO2 ） ，另有超
清洁2.84V （ LDO3 ） 。片上逻辑提供测序
LDO1和LDO2的BBP / MAC和I / O电源之间
电压输出。 LDO3的特点是没有超低噪音
通常超过30μV RMS帮助VCO的稳定性。高
集成和薄四边扁平无引线（QFN ）封装
使得ISL6414的理想选择供电当今许多的
小形状因数的工业标准无线卡，如
PCMCIA ，迷你PCI和Cardbus - 32 。
该ISL6414使用一个内部PMOS晶体管的通
装置。 SHDN引脚控制LDO1和LDO2输出
而SHDN3控制LDO3输出。内部电压
测序确保了LDO1输出（ 1.8V电源）是
前LDO2被打开始终稳定。当供电
下，电源LDO2的LDO1之前被删除
输出熄灭。该ISL6414还集成了复位
函数，它不再需要附加的复位集成电路
在WLAN应用需要。该IC将触发复位信号
信号每当V
IN
电源电压低于预先设定的
阈值，保持V后置位状态至少25ms的
IN
有
上升超过复位阈值。的输出故障检测
电路表明调控对LDO1的损失。其他特点
包括过流保护，热关断和
电池反接保护。
特点
小型DC / DC转换器尺寸
- 三个LDO和一个小尺寸复位电路
采用4x4mm QFN封装
高输出电流
- LDO1 ， 1.8V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
- LDO2 ， 2.84V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫安
- LDO3 ， 2.84V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
超低压差电压
- LDO2 ， 2.84V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125mV （典型值） ，在300毫安
- LDO3 ， 2.84V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mV （典型值） ，在200毫安
超低输出电压噪声
- <30μV
RMS
（典型值）的LDO3 （ VCO供应）
稳定与较小的陶瓷输出电容器
电压排序为BBP / MAC和模拟电源
广泛的保护和监视功能
- 过流和短路保护
- 热关断
- 反向电池保护
- 故障指示器
逻辑控制的双关断引脚
集成的微处理器复位电路
- 可编程复位延迟
- 免费提供复位输出
经过验证的参考设计总WLAN系统
解
QFN封装选项
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
没有信息 - 产品外形
- 近晶片级封装足迹提高PCB
效率，是档案稀释剂
无铅加退火有（符合RoHS ）
订购信息
产品型号
ISL6414IR
ISL6414IR-T5K
ISL6414IR-TK
ISL6414IRZ （注）
ISL6414IRZ-TK
（注）
温度。
范围（° C）
-40至+85
包
16 Ld的QFN
PKG 。
DWG 。 ＃
L16.4x4
L16.4x4
L16.4x4
L16.4x4
L16.4x4
16 Ld的QFN磁带和卷轴
16 Ld的QFN磁带和卷轴
-40至+85
16 Ld的QFN
（无铅）
应用
PRISM 3 ， PRISM GT ，以及PRISM芯片组WWR
无线局域网卡
- PCMCIA ， Cardbus32 ， MiniPCI接口卡
- 闪存卡
手持式仪表
16 Ld的QFN磁带和卷轴
（无铅）
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003-2005 。版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6414
绝对最大额定值
（注1 ）
V
IN
， SHDN / SHDN3到GND / GND3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -7.0V至7.0V
SET ， CC ， FAULT到GND / GND3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7.0V
输出电流（连续）
LDO1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
LDO2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫安
LDO3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻（典型注2,3）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
8.0
最高结温（塑料封装） 。 -55 ° C至150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.所有电压都是相对于GND 。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
参数
一般特定网络阳离子
V
IN
电压范围（注7 ）
工作电源电流
关断电源电流
SHDN / SHDN3输入阈值
V
IN
= + 3.3V ，补偿电容= 33nF ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
测试条件
民
典型值
最大
单位
3.0
I
OUT
= 0毫安
SHDN / SHDN3 = GND
V
IH
, V
IN
= 3V至3.6V
V
IL
, V
IN
= 3V至3.6V
-
-
2.0
-
-
145
-
C
OUT
= 10μF ，V
OUT
= 90％的最终
价值
上升为75mV滞后
-
2.2
3.3
600
5
-
-
-
150
20
120
2.45
3.6
850
15
-
0.4
0.25
160
-
-
2.65
V
A
A
V
V
V
°C
°C
s
V
故障输出低电压
热关断温度（注6 ）
热关断迟滞
启动时间
输入欠压锁定（注6 ）
LDO1规格
输出电压（V
OUT1
)
输出电压精度
线路调整
负载调整率
最大输出电流（I
OUT1
） （注6 ）
输出电流限制（注6 ）
输出电压噪声
LDO2规格
输出电压（V
OUT2
)
输出电压精度
最大输出电流（I
OUT2
） （注6 ）
输出电流限制（注6 ）
输入输出电压差（注4 ）
线路调整
负载调整率
I
SINK
= 2毫安
-
I
OUT
= 10毫安
V
IN
= 3.0V至3.6V ，我
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10mA至500毫安
-1.5
-0.15
-1.5
500
0.55
为10Hz < F < 100kHz时，C
OUT
= 4.7F,
I
OUT
= 50毫安
-
1.8
-
0.0
-
-
0.6
115
-
1.5
0.15
1.5
-
1.0
-
V
%
%/V
%
mA
A
V
RMS
-
I
OUT
= 10毫安
V
IN
= 3.6V
-1.5
300
330
I
OUT
= 300毫安
V
IN
= 3.0V至3.6V ，我
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10mA至300毫安
-
-0.15
-
2.84
-
-
770
125
0.0
0.2
-
1.5
-
-
220
0.15
1.0
V
%
mA
mA
mV
%/V
%
4
ISL6414
电气规格
参数
输出电压噪声
V
IN
= + 3.3V ，补偿电容= 33nF ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
（续）
测试条件
为10Hz < F < 100kHz时，我
OUT
= 10毫安
C
OUT
= 2.2F
C
OUT
= 10F
LDO3规格
输出电压（V
OUT3
)
输出电压精度
最大输出电流（I
OUT3
） （注6 ）
输出电流限制（注6 ）
输入输出电压差（注4 ）
线路调整
负载调整率
输出电压噪声
I
OUT
= 200毫安
V
IN
= 3.0V至3.6V ，我
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10mA至200毫安
为10Hz < F < 100kHz时，我
OUT
= 10毫安
C
OUT
= 2.2F
C
OUT
= 10F
复位模块规格
复位门限
复位门限迟滞（注6 ）
V
IN
到复位延迟
RESET / RESET活动超时周期（注5,6 ）
故障
阈值上升
下降阈值
注意事项：
4.规格在-40 ° C的过设计/特性保证，未经生产测试。
5.电压差定义为V
IN
- V
OUT ，
当V
OUT
为50mV低于V的值
OUT
对于V
IN
= V
OUT
+ 0.5V.
6.复位时间是线性的，在CT的2.5ms的斜率/ NF 。因此，在10nF电容（ 0.01μF ），复位时间为25ms ;在100nF的（ 0.1μF ）复位时间
将是250毫秒。
7.通过设计保证，但未经生产测试。
8. LDO1是由设计保证是在调节范围内的2.7V最小输入电压。
％ Vout的
％ Vout的
5.0
-5.0
5.5
-5.5
6.0
-5.0
%
%
VCC - V
TH
到V
TH
- 为100mV
2.564
6.3
-
25
2.630
-
20
-
2.696
-
-
-
V
mV
s
ms
-
-
30
20
-
-
V
RMS
V
RMS
I
OUT
= 10毫安
V
IN
= 3.6V
-
-1.5
200
250
-
-0.15
-
2.84
-
-
400
100
0.0
0.2
-
1.5
-
-
200
0.15
1.0
V
%
mA
mA
mV
%/V
%
-
-
65
60
-
-
V
RMS
V
RMS
民
典型值
最大
单位
典型性能曲线
0.140
0.120
0.100
V
D
(V)
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
I
O
（安培）
0.25
0.30
V
D
(V)
0.100
0.090
0.080
0.070
0.060
0.050
0.040
0.030
0.020
0.010
0.000
0.00
0.05
0.10
I
O
（安培）
0.15
0.30
图1. LD02压差电压
图2： LD03压差电压
5
