PD - 94603
HEXFET
功率MOSFET
直通孔（低电阻TO- 257AA ）
IRF7YSZ44VCM
60V的N通道
产品概述
产品型号
IRF7YSZ44VCM
BVDSS
60V
R
DS （ ON）
I
D
0.0195 20A*
第七代HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现尽可能低的导通电阻
每个芯片单位面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计
该HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效的装置
用于在多种应用中使用。
这些装置非常适合于应用程序，例如
如开关电源，马达控制， invert-
器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲
电路。
低电阻
TO-257AA
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS （ ON）
额定雪崩能量
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
20*
20*
80
50
0.4
±20
71
20
5.0
1.6
-55到150
300 （ 0.063英寸/ 1.6毫米从案例10秒）
4.3 （典型值）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
02/07/03
IRF7YSZ44VCM
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
60
—
—
2.0
17
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.064
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.0195
4.0
—
25
250
100
-100
50
18
25
20
120
60
90
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 250μA
参考至25℃ ， n = 250
A
VGS = 10V ，ID = 20A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS = 15V ， IDS = 20A
VDS = 60V ， VGS = 0V
VDS = 48V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 20A
VDS = 48V
VDD = 30V ， ID = 20A ，
VGS = 10V ， RG = 9.1Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
升西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1730
375
60
—
—
—
pF
从漏极引线测量（6毫米/
0.25英寸从包中）源
铅（6毫米/ 0.25英寸从pacakge
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20*
80
1.2
105
220
测试条件
A
V
ns
nC
T
j
= 25 ℃， IS = 20A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 20A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
向前开启时间
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
结到外壳
最小典型最大
—
—
2.5
单位
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
PD - 94603
HEXFET
功率MOSFET
直通孔（低电阻TO- 257AA ）
IRF7YSZ44VCM
60V的N通道
产品概述
产品型号
IRF7YSZ44VCM
BVDSS
60V
R
DS （ ON）
I
D
0.0195 20A*
第七代HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现尽可能低的导通电阻
每个芯片单位面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计
该HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效的装置
用于在多种应用中使用。
这些装置非常适合于应用程序，例如
如开关电源，马达控制， invert-
器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲
电路。
低电阻
TO-257AA
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS （ ON）
额定雪崩能量
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
20*
20*
80
50
0.4
±20
71
20
5.0
1.6
-55到150
300 （ 0.063英寸/ 1.6毫米从案例10秒）
4.3 （典型值）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
02/07/03
IRF7YSZ44VCM
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
60
—
—
2.0
17
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.064
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.0195
4.0
—
25
250
100
-100
50
18
25
20
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—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 250μA
参考至25℃ ， n = 250
A
VGS = 10V ，ID = 20A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS = 15V ， IDS = 20A
VDS = 60V ， VGS = 0V
VDS = 48V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 20A
VDS = 48V
VDD = 30V ， ID = 20A ，
VGS = 10V ， RG = 9.1Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
升西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1730
375
60
—
—
—
pF
从漏极引线测量（6毫米/
0.25英寸从包中）源
铅（6毫米/ 0.25英寸从pacakge
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
最小典型最大单位
—
—
—
—
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—
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20*
80
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105
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测试条件
A
V
ns
nC
T
j
= 25 ℃， IS = 20A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 20A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
向前开启时间
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
结到外壳
最小典型最大
—
—
2.5
单位
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
