HMT164U6BFR6C
HMT112U6(7)BFR8C
HMT125U6(7)BFR8C
目录
1.描述
1.1设备特点及订购信息
1.1.1产品特点
1.1.2订购信息
1.2速度等级&主要参数
1.3地址表
2.引脚架构
2.1引脚定义
2.2输入/输出功能描述
2.3引脚分配
3.功能框图
3.1 512MB ， 64Mx64模块（ X16的1Rank ）
3.2 1GB ， 128Mx64模块（ X8的1Rank ）
3.3 1GB ， 128Mx72 ECC模块（ X8的1Rank ）
3.4 2GB ， 256Mx64模块（ X8的2Rank ）
3.5 2GB ， 256Mx72 ECC模块（ X8的2Rank ）
4.地址镜像功能
对于镜像4.1 DRAM接线端子
5.绝对最大额定值
5.1绝对最大额定直流电压
5.2工作温度范围
6. AC &直流工作条件
6.1建议的直流工作条件
6.2直流&交流逻辑输入电平
6.2.1对于单端信号
6.2.2差分信号
6.2.3差分输入交叉点
6.3压摆率的定义
6.3.1对于端输入信号
6.3.2对于差分输入信号
6.4直流&交流输出缓冲水平
6.4.1单端DC &交流输出电平
6.4.2差分直流&交流输出电平
6.4.3单端输出压摆率
6.4.4差动端输出摆率
6.5过冲/下冲规格
6.6输入/输出电容&交流需要技术
6.7 IDD规格&测量条件
7.电气特性和AC时序
7.1刷新参数由器件密度
7.2 DDR3标准箱的速度和AC段
8. DIMM大纲图
8.1 512MB ， 64Mx64模块（ 1Rankx16 ）
8.2 1GB ， 128Mx64模块（ X8的1Rank ）
8.3 1GB ， 128Mx72 ECC模块（ X8的1Rank ）
8.4 2GB ， 256Mx64模块（ X8的2Rank ）
8.5 2GB ， 256Mx72 ECC模块（ X8的2Rank ）
修订版0.1 / 2009年4月
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HMT164U6BFR6C
HMT112U6(7)BFR8C
HMT125U6(7)BFR8C
1.描述
这海力士无缓冲双列直插内存模块（DIMM ）系列包括1Gb的B版本。 DDR3 SDRAM的精细
上一个240引脚的玻璃环氧基板的球栅阵列（ FBGA ）封装。这种基于1GB DDR3无缓冲DIMM系列
B版本。提供行业标准133.35毫米宽度外形高性能的8字节接口。它是合适
为便于交流和补充。
1.1设备特点&订购信息
1.1.1产品特点
VDD = VDDQ = 1.5V
VDDSPD = 3.3V至3.6V
全差分时钟输入（ CK ， / CK ）操作
差分数据选通（ DQS ， / DQS ）
片上DLL对齐DQ ， DQS和/ DQS过渡
CK转型
DM口罩写入数据中的上升沿和下降沿
数据选通的边缘
所有的地址和控制输入数据以外的数据
选通信号和数据掩码锁存的上升沿
时钟
可编程CAS延时5，6， 7，8， 9，10，和（11）
支持
可编程附加延迟是0，CL -1和CL -2燮
移植
可编程CAS写入延迟（ CWL ） = 5 ， 6 ， 7 ， 8
可编程突发长度4/8既蚕食
顺序和交错模式
BL的飞行开关
8banks
8K刷新周期/ 64ms的
DDR3 SDRAM封装： JEDEC标准78ball
FBGA （ X4 / X8 ） ， 96ball FBGA （ X16 ），支持球
选择EMRS驱动力
动态片上终端支持
异步复位引脚支持
ZQ校准支持
TDQS （终止数据选通）支持（ X8只）
写Levelization支持
自动自刷新支持
开模热传感器支持（ JEDEC可选）
修订版0.1 / 2009年4月
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