FQP2P25
典型特征
（续）
1.2
2.5
-bv
DSS
（范
alized ）
漏源击穿电压
2.0
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= -250
A
0.5
注意事项：
1. V
GS
= -10 V
2. I
D
= -1.15 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
2.5
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
1
2.0
-I
D
，漏电流[ A]
1毫秒
10毫秒
10
0
-I
D
，漏电流[ A]
100
s
1.5
DC
1.0
10
-1
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.5
10
-2
10
0
10
1
10
2
0.0
25
50
75
100
125
150
-V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
N 2 O TE S：
1 . Z
J·C
( t) = 2 .4
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
J·C
( t)
10
-1
JC
0 .0 2
0 .0 1
的I N G - 乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
Z
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年4月
