FDMS8570S的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
FDMS8570S
N沟道的PowerTrench
SyncFET
TM
25 V ， 60 A， 2.8 mΩ的
特点
最大
DS （ ON）
= 2.8毫欧，在V
GS
= 10 V，I
D
= 24 A
最大
DS （ ON）
= 3.3毫欧，在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 22 A
高性能技术极低r
DS （ ON）
SyncFET
TM
肖特基体二极管
符合RoHS
2012年4月
概述
这N沟道SyncFET
TM
采用飞兆半导体生产
安森美半导体
先进
的PowerTrench
流程。
在硅和封装技术的进步有
被合并为提供低R
DS （ ON）
同时保持
通过极低的结点到出色的开关性能
环境的热阻。此装置具有额外的好处
一个有效的单块体的肖特基二极管。
应用
同步整流DC / DC转换器
电信二次侧整流
高端服务器/工作站Vcore的低端
顶部
底部
S
S
销1
D
S
G
5
6
7
8
4
G
3
D
D
S
2
S
1
D
D
D
D
D
S
电源56
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
- 连续（包装有限公司）
-Continuous
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注3）
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
参数
评级
25
12
60
24
100
45
48
2.5
-55到+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
T
C
= 25 °C
（注1A ）
2.6
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
10OD
设备
FDMS8570S
包
电源56
带尺寸
13’’
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
3000台
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电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
I
D
= 10毫安，参考25 ℃下
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= +12 V/-8 V, V
DS
= 0 V
25
23
500
±100
V
毫伏/°C的
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 10毫安，参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 24 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 22 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 24 A，T
J
= 125 °C
V
DS
= 5 V，I
D
= 24 A
1.1
1.5
-3
2.1
2.4
2.9
215
2.8
3.3
3.9
S
mΩ
2.2
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 13 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
2825
662
94
0.8
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至4.5 V V
DD
= 13 V,
I
D
= 24 A
V
DD
= 13 V，I
D
= 24 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
Ω
11
4
33
3
42
22
6.4
4.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 2 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 24 A
（注2 ）
（注2 ）
0.6
0.8
22
19
0.8
1.2
V
ns
nC
I
F
= 24 A， di / dt的= 300 A / μs的
注意事项：
1. R
θJA
与安装在FR-4板使用2盎司纯铜指定垫如下所示的装置来确定。
θJC
由设计而
= CA
确定
深受用户的电路板设计。
一个），安装在一个时50℃ / W的
1年
2
2盎司纯铜垫
B） 125 ° C / W安装时
2盎司最小焊盘
铜。
SS
SF
DS
DF
G
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
μs,
占空比< 2.0 ％ 。
3. E
AS
45毫焦是基于起始物为
J
= 25
°
C，L = 0.4 mH的，我
AS
= 15 A，V
DD
= 23 V, V
GS
= 10 V 100 ％的测试，在L = 0.1 mH的，我
AS
= 23.8 A.
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SF
DS
DF
G
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
100
80
60
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 3 V
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10V
4.5
V
GS
= 2.5 V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
，漏电流（ A）
3.6
2.7
V
GS
= 3 V
40
20
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
DS
,
漏源极电压（ V）
1.8
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 3.5 V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
0.9
0.5
0
20
40
60
V
GS
= 10 V
80
100
I
D
,
漏电流（ A）
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
9
源导通电阻
(
m
Ω
)
1.6
归
漏极至源极导通电阻
1.5
1.4
I
D
= 28 A
V
GS
= 10 V
r
DS （ON ） ，
漏
8
7
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-75
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
I
D
= 28 A
6
5
4
3
2
1
2
3
4
5
6
7
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
8
9
10
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
100
80
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 5 V
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
100
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 0 V
10
T
J
= 150
o
C
60
T
J
= 25
o
C
1
T
J
= 25
o
C
40
20
T
J
=
150
o
C
0.1
T
J
= -55
o
C
T
J
= -55
o
C
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
10000
I
D
= 28 A
8
电容（pF）
C
国际空间站
1000
C
OSS
6
V
DD
= 10 V
V
DD
= 13 V
4
V
DD
= 15 V
100
C
RSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
2
0
10
0.1
0
10
20
30
40
50
1
10
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
120
I
D
,
漏电流（ A）
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
V
GS
= 10 V
80
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25
o
C
10
T
J
= 100
o
C
60
40
不限按包
T
J
= 125
o
C
20
0
25
R
θ
JC
= 2.6 C / W
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
50
75
100
o
125
150
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
T
C
, C
ASE温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
200
100
I
D
，漏电流（ A）
图10.最大连续漏极
电流与环境温度
10000
P
（ PK）
,
瞬态峰值功率（ W）
100美
1000
100
10
1
0.1
-4
10
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
T，脉冲宽度（ S）
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
1
1E-3
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
o
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
-1
0
1
1E-4
-4
10
10
-3
10
-2
10
10
10
100
1000
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.结至环境瞬态热响应曲线
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