FDP8030L/FDB8030L
1999年11月
FDP8030L/FDB8030L
N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET一直
专门设计用于改善的总效率
利用DC / DC转换同步或
传统开关PWM控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的
比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷
R
DS （ ON）
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶
（即使是在非常高的频率） ，并且DC / DC电力
电源设计具有更高的整体效率。
特点
80 A ， 30 V
R
DS （ ON）
= 0.0035
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.0045
@ V
GS
= 4.5 V
在指定临界直流电气参数
高温
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以消除
需要一个外部齐纳二极管瞬态
抑制器
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
175°C最高结温额定值
D
D
G
G
D
S
TO-220
FDP系列
G
S
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±20
（注1 ）
（注1 ）
单位
V
V
A
W
5W
°C
°C
80
300
187
1.25
-65到+175
275
总功率耗散@ ＃T的
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
0.8
62.5
° C / W
° C / W
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDP8030L版本C （ W）
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
单脉冲漏源
雪崩能量
最大漏源雪崩
当前
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
DD
= 20 V,
I
D
= 80 A
民
典型值
最大单位
1500
80
mJ
A
漏源雪崩额定值
（注1 ）
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= –20 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
30
23
10
100
–100
V
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 80 A
T
J
=125°C
I
D
= 70 A
V
DS
= 10 V
I
D
= 80 A
1
1.5
–5
3.1
4.0
3.6
2
V
毫伏/°C的
3.5
5.6
4.5
m
I
D（上）
g
FS
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
60
170
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
10500
2700
1650
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 4.5 V,
R
GS
= 10
I
D
= 50 A,
R
根
= 10
20
185
160
200
120
27
48
35
225
200
240
170
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
I
D
= 80 A，V
GS
= 5 V
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
注意事项：
1.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V,
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
80
300
1
1.3
A
A
V
I
S
= 80 A
FDP8030L版本C （ W）
TO- 220磁带和卷轴数据和封装尺寸
TO- 220包装管
CON组fi guration ：
造型玩具E 1.0
包装说明：
TO- 220零件PED船舶通常的管子。该管
由PVC塑料用抗-stati agent.These
在标准选项管被放置在一个内部耗散
塑料袋，条形码标签，并放置在一个盒子里
制成每可回收瓦楞纸PA的。一个框包含
2巴gs的最大值（参见图1.0）。和一个或多个华氏度
这些箱子被放在一个标记希普ING博X内
在怒江MBER不同尺寸dependi吴WHIC HC omes
部分船PED 。另一种选择自带散装
在Packagin G信息表中描述。该单位为s的
此选项被放置在一个小盒子奠定瓦特第i个抗
静电汽泡纸。这些更小的盒子是单独
标记和放置插件IDE较大框（见图3.0）。
这些较大的或中间框，然后将被放置
最后一个标记包装箱其中H仍然来自于内部
不同大小取决于运单位数。
45单位为s ，每管
每包12管
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
2袋秒每盒
香港专业教育学院的行为PLASTI C B股份公司
的TO-220封装
信息：
图2.0
TO- 220封装信息
包装选项
包装类型
每管/盒数量
箱尺寸（mm ）
每箱数量最多
每单位重量（克）
注/评论
标准
（没有F升流码）
FSCINT拉贝升SAMP乐
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1080 UNI TS马克西妈妈
定量是每波X
S62Z
体积
300
LOT ：
CBVK741B019
数量：
HTB ： B
1080
NSID ：
FDP7060
产品规格：
铁路/地铁
45
530x130x83
1,080
1.4378
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
114x102x51
1,500
1.4378
FSCINT标签
（ FSCINT ）
TO- 220散包装
CON组fi guration ：
图3.0
FSCINT标签
安钛-为static
Bubbl ê片S
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
1500 UNI TS马克西妈妈
定量是每间箱
300个单位
EO70盒
114毫米X 102毫米X 51毫米
EO70 IMMED在Iate盒
5 EO70 boxe秒每元
中间体ediate博X
FSCINT标签
的TO-220管
CON组fi guration ：
图4.0
注：所有朦胧ensions都是以英寸为单位
0.123
+0.001
-0.003
0.165
0.080
0.450
±.030
1.300
±.015
0.032
±.003
0.275
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
F
9852
NDP4060L
0.160
20.000
+0.031
-0.065
0.800
0.275
1999年8月，版本B
