EM620FU16B系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
文档标题
128K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM
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草案日期
2007年10月31日
2007年11月16日
备注
新兴的内存&逻辑解决方案公司
4F韩国建筑金融合作社B / D， 301-1妍东，济州市，济州岛，韩国Rep.of
电话： + 82-64-740-1712传真： + 82-64-740-1749 1750 /主页： www.emlsi.com
邮编： 690-719
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1
EM620FU16B系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
128K X16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
- 工艺技术： 0.15毫米全CMOS
- 组织： 128K X16
- 电源电压
= > EM620FU16B系列： 2.7V 3.3V
- 低数据保持电压： 1.5V （ MIN ）
- 三态输出与TTL兼容
- 产品包装设计的45 /55 / 70ns的
-
封装类型： 48 FPBGA
产品系列
功耗
产品
家庭
EM620FU16B-45LF
EM620FU16B-55LF
EM620FU16B-70LF
操作
温度
工业级（-40 85
o
C)
工业级（-40 85
o
C)
工业级（-40 85
o
C)
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
1A
1A
1A
操作
(I
CC1
的.max ）
3mA
3mA
3mA
PKG型
概述
该EM620FU16B系列是由EMLSI的制作
先进的全CMOS工艺技术。家庭
支持工业级温度范围及芯片级封装
年龄为系统设计的用户灵活性。家属还
支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
该EM620FU16B系列提供KGD和
JEDEC标准的48引脚，6mm X 7毫米BGA封装。
2.7V~3.3V
2.7V~3.3V
2.7V~3.3V
45ns
55ns
70ns
48-FpBGA
48-FpBGA
48-FpBGA
PIN NAME：
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
5
6
功能框图
LB
I/O8
OE
UB
A0
A3
A5
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CS1
I/O1
I/O3
I/O4
I/O5
WE
A11
CS2
I/O0
行选择
预充电电路
I / O9 I / O10
V
SS
V
CC
I/O2
V
CC
V
SS
I/O6
I/O7
DNU
I / O11 DNU
I / O12 DNU
A14
A12
A9
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
V
CC
V
SS
存储阵列
1024 x 2048
I / O14 I / O13
I / O15 DNU
DNU
A8
I / O0 - I / O7
I / O8 I / O15
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
48 FPBGA ：俯视图（球下）
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
名字
CS1，CS2
OE
WE
A0~A16
I/O0~I/O15
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
VCC
VSS
UB
LB
NC
功能
电源
地
高字节（ I / O
9~16
)
低字节（ I / O
1~8
)
无连接
WE
OE
UB
LB
CS1
CS2
控制逻辑
2
EM620FU16B系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
最低
-0.2 4.0V
-0.2 4.0V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
*
应力大于上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。功能能操作
ATION应限制在推荐的工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
功能说明
CS1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O
0-7
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
DATA IN
I / O
8-15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
DATA IN
DATA IN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
支持
支持
支持
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注：X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
3
EM620FU16B系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
V
TM3)
R
12)
交流工作条件
测试条件（测试
加载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4V至2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ： CL
1)
= 100pF电容+ 1 TTL （为70ns ）
CL
1)
= 30pF的+ 1 TTL （为45nS / 55ns ）
1.包括范围和夹具电容
R
2
= 3150欧姆
2. R
1
= 3070欧姆
,
3. V
TM
=2.8V
4， CL = 5pF的+ 1 TTL （测量与T
LZ1,2
, t
HZ1,2
, t
OLZ
, t
OHZ
, t
WHZ
)
CL
1)
R
22)
读周期
(V
cc
= 2.7 3.3V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
CO1,
t
CO2
t
OE
t
BA
t
LZ1,
t
LZ2
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ1,
t
HZ2
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
45ns
民
45
-
-
-
最大
-
45
45
25
45
10
5
5
0
0
0
10
-
-
-
20
15
15
-
10
10
5
0
0
0
10
民
55
-
-
-
55ns
最大
-
55
55
25
55
-
-
-
20
20
20
-
10
10
5
0
0
0
10
民
70
-
-
-
70ns
最大
-
70
70
35
70
-
-
-
25
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(V
cc
= 2.7 3.3V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
把脉冲宽度
写恢复时间
写信到输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW1,
t
CW2
t
AS
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
45ns
民
45
45
0
45
45
35
0
0
25
0
5
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
15
55
45
0
45
45
40
0
0
25
0
5
55ns
民
最大
-
-
-
-
-
-
-
20
民
70
60
0
60
60
50
0
0
30
-
-
0
5
70ns
最大
-
-
-
-
-
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
ns
ns
5
