初步
DS1135
3合1高速硅延迟线
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特点
全硅定时电路
三个独立的缓冲延迟
稳定且精确的温度和
电压
前缘和后缘精密蜜饯
输入对称
标准的8引脚DIP和8引脚SOIC
（ 150密耳）
气相位， IR和波峰焊
可用磁带和卷轴
商用和工业温度范围
可用;看到订单信息表
5V操作（ 3V操作见第一部分
数DS1135L ）
推荐替代DS1013和
DS1035
引脚分配
IN1
IN2
IN3
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
OUT1
OUT2
OUT3
DS1135M 8引脚DIP
IN1
IN2
IN3
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
OUT1
OUT2
OUT3
DS1135Z 8引脚SOIC （ 150万）
IN1
IN2
IN3
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
OUT1
OUT2
OUT3
DS1135U 8引脚118密耳uSOP
引脚说明
IN1-IN3
OUT1-OUT3
V
CC
GND
- 输入信号
- 输出信号
- + 5V电源
- 地面
描述
在DS1135系列是一款低功耗， + 5伏的高速流行的DS1013和DS1035的版本。
在DS1135系列的延迟线具有在单个封装中三个独立的逻辑缓冲延迟。该
设备是Dallas Semiconductor最快的3合1延迟线。它可在一个标准的8引脚DIP和
150万8引脚小型SOIC封装，以及8引脚， 118万uSOP 。
该器件具有精确的前缘和后缘的精度。它有一个清一色的固有可靠性
硅延迟线的解决方案。每路输出可驱动多达10 LS负载。
标准延迟值示于表1中的顾客可接触达拉斯半导体在
（ 972 ） 371-4348进行自定义的延迟值的详细信息。
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061500
DS1135
逻辑图
图1
IN
OUT
延时
三选一
PART数目的延迟表（T
PLH
, t
PHL
)
表1
每延迟
产量
（纳秒）
5/5/5
6/6/6
8/8/8
10/10/10
12/12/12
15/15/15
20/20/20
25/25/25
30/30/30
初始
公差
（注1 ）
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
公差OVER
TEMP和电压
（注2 ）
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
±1.0
ns
±1.5
ns
±1.0
ns
±1.5
ns
±1.0
ns
±1.5
ns
±1.0
ns
±1.5
ns
±1.0
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±2
ns
±1.5
ns
±2
ns
±1.5
ns
±2
ns
±1.5
ns
±2
ns
产品型号
DS1135-5
DS1135-6
DS1135-8
DS1135-10
DS1135-12
DS1135-15
DS1135-20
DS1135-25
DS1135-30
注意事项：
1.标称条件是+ 25 ° C和V
CC
= + 5.0伏。
2.电压范围为4.75伏到5.25伏。
3.延迟的精确度是两个前缘和后缘。
测试设置说明
图2示出了用于测量DS1135的定时参数的硬件配置。
输入波形是通过在软件控制下一个精确的脉冲发生器产生的。时间延迟是
由连接到输出的时间间隔计数器（20 ps分辨率）进行测定。在DS1135输出抽头
被选择并连接到由甚高频开关控制单元的时间间隔计数器。所有的测量都
全自动带由计算机通过一个IEEE 488总线控制每台仪器。
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DS1135
环境温度： 25℃
±=3°C
电源电压（V
CC
): 5.0V
±=0.1V
输入脉冲：
高： 3.0V
±=0.1V
低： 0.0V
±=0.1V
源阻抗： 50Ω =最大值。
上升和下降时间： 3.0 ns（最大值） 。 - 测量0.6V和2.4V之间。
脉冲宽度： 500纳秒
脉冲周期： 1
s
输出负载电容： 15 pF的
输出：每个输出被加载有一个74F04输入栅极的等效。
数据的测量是在上升沿和下降沿的1.5V电平。
测试条件
注意：
上述条件是仅用于测试，并且不限制其他数据片的条件下的设备。
时序图
期
t
上升
t
秋天
80%
1.5V
20%
IN
t
WI
t
PLH
t
OR
1.5V
OUT
1.5V
t
PHL
t
OF
t
WI
1.5V
1.5V
注意事项：
1.所有电压以地为参考。
2.脉冲宽度和占空比规格可能会超过，但是，精度将应用程序
相对于去耦，布局等敏感
3.电时间是从功率的应用，以稳定的延迟正在制作的时刻的时间
在输出上。
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